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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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5044
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年度刊次
目录
  • 151. 大功率LED针翅式散热器散热性能数值模拟
    作者： 何壮 杨永旺 梁才航
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  829-834
    摘要： 发光二极管(LED)作为新一代光源,得到广泛应用.然而在工作过程中,大部分的电能会转变为热能,使LED的结温升高,可靠性降低.为了使LED芯片产生的热量能够及时有效地散发出去,通常采用翅片散...
  • 152. Ku波段GaN大功率单刀双掷开关设计
    作者： 要志宏 郭丰强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  835-839
    摘要： 基于开关器件的基本工作原理和设计方法,设计了一款GaN大功率Ku波段单刀双掷(SPDT)开关,并着重讨论了GaN大功率开关的耐功率能力.经制作得到不同栅指数、不同单指栅宽的GaN开关器件,测...
  • 153. 烧结温度对AuSn焊料薄膜及封装激光器性能的影响
    作者： 夏伟 孙素娟 徐现刚 李沛旭 杨扬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  840-845
    摘要： 采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了AuSn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等.焊料在烧结后形成ξ相Au5Sn和δ相AuSn两种金属间化合...
  • 154. K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响
    作者： 司华青 张颖武 徐永宽 程红娟 练小正 齐海涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  846-849
    摘要： 采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂CdS晶体,对掺杂和未掺杂的CdS晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺...
  • 155. SiC单晶生长界面形状计算机模型的建立及验证
    作者： 孟大磊 程红娟 窦瑛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  850-855
    摘要： 利用多物理场耦合模拟软件研究了3英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅(SiC)单晶生长中感应线圈位置对单晶生长系统温度场的影响.分析了感应线圈位置变化对晶体表面径向温度、晶体内部轴向温度以及...
  • 156. OBIRCH用于集成电路短路的背面失效定位
    作者： 刘丽媛 孙哲 李庆飒 陈选龙
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  856-860
    摘要： 基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位.详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精...
  • 157. 卡盘转速及喷淋臂摆动方式对晶片腐蚀性能的影响
    作者： 刘伟 刘效岩 吴仪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  861-865,871
    摘要： 随着晶片尺寸的不断增大,精准控制单片湿法腐蚀速率及非均匀性变得越来越具有挑战性.主要研究了300 mm单片湿法腐蚀工艺过程中,喷射稀释氢氟酸时卡盘的旋转速度和喷淋臂摆动方式对晶片表面腐蚀性的...
  • 158. 基于FPGA的RFID晶圆并行测试系统设计
    作者： 张慧雷 景为平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  866-871
    摘要： 针对高频射频识别(RFID)晶圆在中测(CP)阶段单通道串行测试效率低下的问题,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的多通道并行测试系统以提高测试效率.鉴于RFID晶圆上没有集成天线,...
  • 159. ADC静态参数直方图测试激励幅度的判别方法
    作者： 周冰沁 孟德永 张一戈 杨士元 王红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  872-877
    摘要： 码密度直方图法是模数转换器(ADC)静态参数测量的主要方法.该方法要求测试激励幅度略大于被测ADC的输入范围.测试激励幅度是影响测量结果精度的决定因素,受测量仪器精度的限制.针对如何定义测试...
  • 160. 《半导体技术》稿约
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年11期
    页码:  880
    摘要：
  • 161. 国外GaN功率器件衬底材料和外延技术研发现状
    作者： 付兴中 付兴昌 崔玉兴 赵金霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  881-888,959
    摘要： GaN基功率器件的衬底和外延技术的发展对于器件性能的提升和成本的降低起着非常重要的作用.介绍了国外SiC基、Si基以及新型金刚石基GaN功率器件衬底材料和GaN外延技术的研发现状.重点讨论了...
  • 162. 近阈值标准单元库和其在传感网芯片中的应用
    作者： 刘勇攀 孙忆南 杨华中 王智博
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  889-893,915
    摘要： 将电源电压降低到晶体管阈值电压附近可以有效提高数字电路的能效,而近阈值标准单元库是近阈值数字电路设计的基础.通过分析逻辑门间静态噪声容限的兼容性、逻辑门在宽电压范围下延时变化情况,并通过求解...
  • 163. 砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制
    作者： 赵子润 陈凤霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  894-898
    摘要： 基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/DPHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位...
  • 164. 带通ΣΔ调制器在MEMS陀螺驱动环路的应用
    作者： 任臣 徐磊 杨亮 杨拥军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  899-903
    摘要： 研究了MEMS陀螺驱动环路的数字ΣΔ闭环控制.基于MEMS陀螺机械结构的二阶谐振特性,采用自激振荡的方式实现驱动闭环,通过数字延迟链实现相位控制,通过PI控制器保证驱动模态恒幅振动.设计4阶...
  • 165. 一种改进的增强型GaN HEMT大信号模型
    作者： 刘军 李文钧 陆海燕 陈秋芬 韩春林
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  904-910
    摘要： 提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型.模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则.提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈...
  • 166. 一种新型低阳极发射效率快恢复二极管
    作者： 何延强 刘钺杨 吴迪 温家良 金锐
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  911-915
    摘要： 采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p+区和低掺杂p-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管.与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持...
  • 167. 30～2 600 MHz超宽带GaN功率放大器的设计与实现
    作者： 钱可伟 陆宇 陈晓娟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  916-920,929
    摘要： 基于第三代半导体GaN的高电子迁移率晶体管技术,利用Cree CGH40010管芯大信号模型并结合ADS2009U1软件,结合商用GaN管芯的自身特性,采用微带-电阻-微带-电容-微带的负反...
  • 168. HDP介质淀积引起的新天线效应及损伤机理
    作者： 李明 杭弢 黄红伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  921-924
    摘要： 超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究.从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用电性分析、物理失效分析、工艺排查结合电路设计分析等手段,研究了一种与...
  • 169. 铜柱凸块生产关键工艺技术研究
    作者： 何智清 孟津 薛兴涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  925-929
    摘要： 讨论了铜柱凸块生产工艺中籽晶层厚度和电镀电流密度等关键制程因素对铜柱凸块共面性、晶圆应力、凸块剖面结构和电镀效率等方面的影响.研究结果表明增加电镀籽晶层厚度可以提高凸块共面性;在相同电镀电流...
  • 170. 受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响
    作者： 吴元庆 周涛 张宇峰 张鹏 王泽来 赵洋 陆晓东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  930-936
    摘要： 少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段.基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析...
  • 171. 粉末靶磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的特性
    作者： 刘思宁 吴川 吴法宇 周艳文
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  937-943
    摘要： 室温下采用射频磁控溅射粉末靶,在玻璃基底上制备了掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)三层透明导电薄膜.通过优化中间银层厚度,优化了三层透明导电薄膜的光电性能.采用原子力显微镜和...
  • 172. 操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响
    作者： 夏洋洋 王月青 王玉婵 王青 蔡道林 陈一峰 陈邦明 霍如如 魏宏阳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  944-949
    摘要： 基于中芯国际40 nm工艺制备的64 Mbit相变存储器,设计并进行了两组对比实验.分别使用不同幅值和脉宽的RESET电流脉冲对存储器单元进行疲劳操作,对相变存储器单元的疲劳性能与RESET...
  • 173. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  949
    摘要：
  • 174. 塑封倒装焊器件DPA试验流程研究
    作者： 张丹群 张素娟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  950-953
    摘要： 倒装焊器件与常规的引线键合结构不同,现行的DPA标准不能完全适用于倒装焊结构.结合现有标准和倒装焊器件结构特点,以某塑封倒装焊集成电路器件为例,提出一套经过试验验证的、实用性强的倒装焊器件D...
  • 175. 大数据分析在半导体可靠性研究中的应用
    作者： 周柯 尹彬锋 王继华 高金德
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年12期
    页码:  954-959
    摘要： 常规复杂耗时的工艺可靠性评估已经成为开发先进工艺的瓶颈问题,为了满足技术开发对可靠性性能的更高要求,提出利用"大数据"的概念,以数据库为手段的一种有效的分析处理流程.通过这种分析方法,可以使...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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