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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. A Novel Semiconductor CIGS Photovoltaic Material and Thin-Film ED Technology
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1357-1363
    摘要：
  • 2. 蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应
    作者： Hideaki Fujitani Patrice Houlet 刘晓彦 孙雷 杜刚 韩汝琦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1364-1368
    摘要： 运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用.同时还模...
  • 3. 基于DLL的RF CMOS振荡器中电荷泵电流源失配
    作者： An Da-wei John BURNETT MAN Cheuk-ho WONG Wing-lok 仇玉林 李金城
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1369-1373
    摘要： 研究了电荷泵中电流源失配造成的假频分量,推导出了一个用于计算假频分量的公式.提供了两个数表用于直观了解参数改变时假频变化情况.最后对设计基于DLL的RF CMOS振荡器提供了一些参考方法.
  • 4. 高消光比偏振不灵敏电吸收调制器
    作者： 刘国利 周帆 孙洋 朱洪亮 王圩 陈娓兮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1374-1376
    摘要： 用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器,应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性,以及其高消光比(＞40dB)和低电容(...
  • 5. 钕离子注入单晶硅光致发光的起源
    作者： 张通和 徐飞 易仲珍 程国安 肖志松
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1377-1381
    摘要： Nd离子注入到(111)单晶硅中形成钕掺杂层,室温下,紫外光(220nm)激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强.X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在Si...
  • 6. 氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算
    作者： 孙以材 范志新 陈玖琳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1382-1386
    摘要： 以铝掺杂氧化锌(A1-doped ZnO,简称AZO)和锡掺杂氧化铟(Sn-dopedIn2O3,简称ITO)薄膜为例,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式,定量计算...
  • 7. 钇钡铜氧半导体薄膜的宽光谱响应特性
    作者： 万春明 刘向东 刘景和 孙强 李丹 李国栋 李建立 李艳红 黄宗坦 黄承彩 黄江平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1387-1391
    摘要： 对以Si为衬底的钇钡铜氧(分子式:Y1Ba2Cu3O7-δδ≥0.5,简称:YBCO)半导体薄膜的宽光谱响应特性进行了研究.采用该薄膜作灵敏元的单元测辐射热计分别对红外波段(1-15μm)、...
  • 8. 高能A一辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光
    作者： 侯明东 方家熊 李向阳 裴慧元
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1392-1396
    摘要： 采用能量2GeV、剂量1010-1013cm-2的Ar+辐照P型Cd096Zno.04Te材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究.实验结果和分析表明,Ar+辐照在C...
  • 9. 闪锌矿GaN(001)表面的电子结构
    作者： 冯夏 康俊勇 朱梓忠 蔡端俊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1397-1400
    摘要： 采用混合基表示的第一原理赝势方法,计算了闪锌矿结构的GaN(001)(1×1)干净表面的电子结构.分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质,比较了GaN(001)的G...
  • 10. 氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用
    作者： 张锦心 朱爱平 李东升 李立本 杨德仁 王淦 阙端麟 黄笑容
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1401-1405
    摘要： 通过常温下压痕之后的高温热处理实验,研究了掺氮直拉硅单晶(NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理.实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉...
  • 11. 有机染料在多孔铝中的发光研究
    作者： 冀会辉 李清山 潘志锋 王清涛 董艳锋 袁淑娟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1406-1410
    摘要： 用电化学方法制备的多孔阳极氧化铝具有孔径大小均匀、相互平行、排列规则的微孔结构,可作为多种发光材料的透明基底.以多孔铝为载体,将有机染料嵌入多孔铝孔中,获得有机染料固体镶嵌膜,测量了镶嵌膜的...
  • 12. 电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO2膜的电流增强及模型解释
    作者： 冯文修 刘剑 田浦延 陈蒲生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1411-1415
    摘要： 用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)10 nm SiO2膜,制备了<100>和<111>晶向Si衬底上的Si-SiOxNy-Al电容结构.研究了电子从〈100〉和〈111>不同晶向N型硅...
  • 13. 硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响
    作者： 任丙彦 刘彩池 张志成 王猛 郝秋燕
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1416-1419
    摘要： 通过对406mm热场中氩气的流动方式及流速进行调整,得到了氧碳含量不同的硅单晶,并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来,对实验结果进行了分析,得到了降低氧碳含量的最佳氩气流场分布.
  • 14. 肖特基C-V法研究AlxGa1-xN/GaN异质结界面二维电子气
    作者： 俞慧强 刘杰 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 沈波 郑有炓 钱悦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1420-1424
    摘要： 通过对Pt/AI0 22Ga078N/GaN肖特基二极管的C-V测量,研究分析了A1022Ga078N/GaN异质结界面二维电子气(2DEG)浓度及其空间分布.测量结果表明,Al0.22Ga...
  • 15. RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料
    作者： 刘宏新 刘成海 孙殿照 曾一平 李晋闽 林兰英 王晓亮 胡国新
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1425-1428
    摘要： 用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-a,...
  • 16. 离子束外延生长半导体性锰硅化合物
    作者： 何宏家 刘志凯 廖梅勇 杨君玲 杨少延 柴春林 陈诺夫
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1429-1433
    摘要： 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物,Mn27Si47和Mn15Si26.俄歇电子谱深度组分测量结果表明,在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn,另一部...
  • 17. Si/SiGe PMOS器件的模拟优化设计与样品研制
    作者： 于奇 何林 凡则锐 刘道广 张静 易强 李开成 李竞春 杨沛锋 杨谟华 谢孟贤 谭开洲 陈勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1434-1438
    摘要： 通过理论分析与计算机模拟,给出了以提高跨导为目标的Si/SiGe PMOSFET优化设计方法,包括栅材料的选择、沟道层中Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及Si盖帽层厚度的优化和阈值电压的...
  • 18. 碲镉汞光伏器件的电极界面参数
    作者： 方家熊 李言谨 胡晓宁
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1439-1443
    摘要： 利用热场发射理论和数值计算方法,分析了碲镉汞光伏器件的电流-电压特性,提取了金属-半导体(MS)界面参数,并对这些参数进行了讨论.结果表明,Sn/Au金属膜-碲镉汞薄膜PN器件的电极界面的势...
  • 19. 高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化
    作者： 亢宝位 吴郁 王哲 程序
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1444-1449
    摘要： 对GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度,以解决其最大集电极电流远小于常规...
  • 20. 低功耗64×64 CMOS快照模式焦平面读出电路新结构
    作者： 吉利久 喻松林 李晓勇 陈中建 韩建忠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1450-1457
    摘要： 介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路的低功耗新结构-OESCA(Odd-Even SnapshotCharge Amplifier)结构该结构像素电路非常简单,仅用三个NMOS管...
  • 21. 一种高效MOS半波整流电路
    作者： 李永明 路超
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1458-1461
    摘要： 针对传统半波整流电路的不足提出了基于MOS工艺的改进方法及电路.该电路利用MOS工艺的寄生电容特性形成电荷转运,有效地提高了半波整流电路的整流效率,缩短了上电时间并在一定程度上减小了纹波系数...
  • 22. MSM光探测器的直流特性
    作者： 刘文楷 林世鸣 武术
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1462-1467
    摘要： 在稳态条件下金属-半导体-金属(MSM)光探测器的光电流一维模型可以通过求解电流连续方程和传输方程来建立并求解.在这种条件下,器件内部的载流子分布情况和总体光电流可以得到解析解而不用数值方法...
  • 23. MOS器件的质子总剂量效应
    作者： 何宝平 姜景和 张正选 彭宏论 王桂珍 罗尹红
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1468-1473
    摘要： 介绍了几种加固和非加固MOS电路的质子辐照总剂量效应实验,质子束的能量为9、7、5、2MeV.实验结果表明,在相同的吸收剂量下,MOS器件累积电离辐射损伤与质子能量成正比.还给出了栅极偏压对...
  • 24. 一种新的等离子体边缘损伤的测量方法
    作者： 张进城 朱志炜 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年11期
    页码:  1474-1480
    摘要： 在等离子体刻蚀多晶硅工艺中,栅边缘氧化层直接暴露在等离子体环境中,由于UV射线的作用栅边缘处将会产生损伤,这种损伤包含了大量的界面态和氧化层陷阱.文中讨论了等离子体边缘损伤与圆片位置关系、天...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
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学科分布
研究主题
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