学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
热门 论文降重
免费 免费查重
学术期刊
学术导航
任务中心
论文润色
登录
文献导航

半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317

半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
文章浏览
热门刊内文献
年度刊次
目录
  • 1. 超深亚微米集成电路中的互连问题--低k介质与Cu的互连集成技术
    作者： 康晋锋 王阳元
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1121-1134
    摘要： 半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战,其中Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一,也...
  • 2. 980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制
    作者： 吴荣汉 唐君 杜云 杨晓红 梁琨 陈弘达
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1135-1139
    摘要： 采用相同生长结构的MOCVD外延片,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵,发射及接收波长相同,由谐振腔模式决定.采用双氧化电流限制结构,优化串联电阻,提高电光转换效率,制备9...
  • 3. 异质结双极晶体管高频噪声建模及分析
    作者： 吴德馨 王延锋
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1140-1145
    摘要： 提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结...
  • 4. 利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究
    作者： 杨国勇 段小蓉 许铭真 谭长华 霍宗亮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1146-1153
    摘要： 给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退...
  • 5. 采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应
    作者： 刘新宇 刘运龙 海潮和 钱鹤 韩郑生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1154-1157
    摘要： 研究了一种采用非对称结构和注Ge的部分耗尽0.8μm SOI nMOSFET的浮体效应,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V,减轻反常亚阈值斜率和kink现象.浮体效应的减少是由于...
  • 6. 新的非平面Flash Memory结构
    作者： 李明 欧文 钱鹤
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1158-1161
    摘要： 提出了一种为在低压下工作的具有较快编程速度的新的非平面的flash memory单元结构,该结构采用简单的叠栅结构并只需增加一步光刻制做出这一新的沟道结构.对于栅长为1.2μm flash单...
  • 7. 基于图聚集算法的寄存器传输级ALU工艺映射算法
    作者： 周海峰 曹炜 林争辉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1162-1167
    摘要： 给出了寄存器传输级工艺映射(RTLM)算法,该方法支持使用高层次综合和设计再利用的现代VLSI设计方法学,允许复杂的RT级组件,尤其是算术逻辑单元(ALU)在设计中重用.首先提出了ALU的工...
  • 8. 不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光
    作者： 周晓滢 孙长征 罗毅 胡卉 郭文平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1168-1172
    摘要： 研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同Mg掺杂浓度的GaN样品薄膜,经不同温度退火处理后的发光特性.实验发现随着退火温度的升高,不同掺杂浓度的Mg∶GaN材料的光致发光谱蓝带峰...
  • 9. Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究
    作者： C.Detavernier R.Van Meirhaeghe 屈新萍 李炳宗 茹国平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1173-1177
    摘要： 研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程.结果表明,加入Pd层后,退火形成Ni1-xPdxSi固熔体,该固熔体比NiSi的热稳定性好,使得NiSi向NiSi2的转变温度升高.加入P...
  • 10. 热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进
    作者： 刘忠立 林兰英 王俊 王启元 王建华 谭利文 邓惠芳 郁元桓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1178-1181
    摘要： 采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺...
  • 11. 利用AFM动态电场在Si表面实现纳米氧化结构
    作者： 胡小唐 胡晓东 郭彤
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1182-1186
    摘要： 讨论利用原子力显微镜(AFM)动态电场诱导阳极氧化作用下Si表面生成纳米氧化结构的特征,并进行相应的机理分析.实验表明,直流电压作用下的氧化结构表现出单峰特征,而电压脉冲和连续方波所得到的氧...
  • 12. X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比
    作者： 屠海令 王超群 胡广勇 郑安生 钱嘉裕 黎建明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1187-1191
    摘要： 采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关...
  • 13. 量子共振隧穿二极管的频率特性与分析
    作者： 周均铭 张世林 梁惠来 牛萍娟 王文君 赵振波 郝景臣 郭维廉 黄绮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1192-1195
    摘要： 用HP8510C网络分析仪测量了AlAs/InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的S参数,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数,计算出所研制器件的阻性截止频率为54GHz,并分析了影响器件工作...
  • 14. 硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析
    作者： 杨沁清 王启明 王红杰 胡雄伟 邓晓清
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1196-1200
    摘要： 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布,结果表明波导主要受横向压应力影响,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近.根据波导的应力分布,得出波导的折射率分布,并使用ADI全矢量方法求...
  • 15. 新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现
    作者： 汤庭鳌 汤祥云 程君侠 虞惠华 陈登元
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1201-1206
    摘要： 提出了一种利用与CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术.通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试,表明逻辑集成电路的铁电锁存新技术是切实可行的.
  • 16. 氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性
    作者： 刘新宇 刘运龙 海潮和 钱鹤 韩郑生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1207-1210
    摘要： 研究了14～16nm的H2-O2合成薄栅介质击穿特性.实验发现,N2O气氛氮化H2-O2合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性.H2-O2合成法制备的样品,其击穿场强分布特...
  • 17. 一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法
    作者： 吴勇 庄奕琪 杜磊 花永鲜 马仲发
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1211-1216
    摘要： MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题.实验对比发现,MOSFET沟道电流的1/f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中ESD潜在损伤的情况.在相同的静电应力条件...
  • 18. 金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化
    作者： 卓铭 徐秋霞
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1217-1223
    摘要： 研究了用Ni进行金属诱导横向晶化(MILC)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化,改进了MILC的结构,通过在埋层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区,减少了大晶粒多晶硅中的缺陷分布;同时...
  • 19. IC测试系统精密定时器的新结构
    作者： 施映 林雨 王东辉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1224-1227
    摘要： 讨论了一种适合于VLSI的精密定时子系统的新结构.该结构将定时计数器分为高速和低速两部分,低速部分采用存储器代替分散的寄存器,既有利于集成,又降低了系统的成本.同时,新的精密定时子系统还解决...
  • 20. 带偏差约束的时钟线网的拓扑构造和优化
    作者： 刘毅 洪先龙 蔡懿慈
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年11期
    页码:  1228-1232
    摘要： 提出了一种新的拓扑构造和优化方法,综合考虑了几种拓扑构造方法的优点,总体考虑偏差约束,局部进行线长优化.实验结果表明,它可以有效控制节点之间的偏差,同时保证减小时钟布线树的整体线长.

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
  • 期刊分类
  • 最新期刊
  • 期刊推荐
  • 相关期刊
一般工业技术 交通运输 军事科技 冶金工业 动力工程 化学工业 原子能技术 大学学报 建筑科学 无线电电子学与电信技术 机械与仪表工业 水利工程 环境科学与安全科学 电工技术 石油与天然气工业 矿业工程 自动化技术与计算机技术 航空航天 轻工业与手工业 金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报 半导体光电 半导体光子学与技术(英文版) 半导体技术 半导体学报(英文版) 北京电子 电信建设 北京通信之窗 吉林大学学报(信息科学版) 重庆邮电大学学报(自然科学版) 湖南邮电职业技术学院学报 磁性材料及器件 电波科学学报 电声技术 电讯技术 电子学报 电子学报(英文) 电力电子 电力系统通信 电路与系统学报 电气电子教学学报 电视技术 影视制作 电信工程技术与标准化 电信交换
电子设计工程 信息技术 计算机与数字工程 中国新通信 电子测量技术 电子世界 电子测量与仪器学报 激光与红外 光电工程 通信技术 电视技术 光学技术 电子制作 机械设计与制造工程 电子测试 激光与光电子学进展 数字技术与应用 半导体学报(英文版) 信息通信 激光杂志 移动通信 现代雷达 信号处理 电子元件与材料 电子科技
半导体学报(英文版)
按字母查找期刊：

联系合作 广告推广: shenyukuan@paperpass.com

京ICP备2021016839号 营业执照 版物经营许可证:新出发 京零 字第 朝220126号