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半导体学报(英文版)2002年第3期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs纳米颗粒的平均...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 报道了采用电子束光刻、反应离子刻蚀及热氧化等工艺,在p型SIMOX(separation by implanted oxygen)硅片上成功制造的一种单电子晶体管.特别是,提供了一种制造量子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 从VDMOS的物理结构出发建立子电路模型,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式.相对以往文献的结果,该模型避免了过多工艺参数的引入,同时对子电路进行了有效的简化.在参数提取软件中的加载结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 提出了一种基于灵敏放大器的新型触发器.和其它触发器相比,该触发器在近似相等的功耗下能以更快的速度工作,并且其所需要的MOS管少,芯片占用的面积也少.这种触发器消除了"假信号"问题,通过使用伪...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 提出了一种新型电荷传输型电路.电路由MOS管及电容组成,在计算相关量的匹配度时,先计算出相关量的差值,然后将此差值放大,使电路的计算精度提高.采用电荷传输型电路的方式,大大降低了电路的功耗....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 采用低压化学气相沉积方法,依靠纯SiH4气体的热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了Si纳米量子点.实验研究了SiO2膜的薄层化对Si纳米量子点光致发光特性的影响.结果表明,当SiO2膜厚...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 报道了采用不同的电介质薄膜SiO2、SiOxNy、Si3N4和SiOxPyNz及其组合用于InGaAsP/InP多量子阱材料的包封源.在高纯氮气保护下经850℃、7s的快速退火处理,结果发现...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜.实验中发现:在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜.用高分辩透...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 在最大衬底电流条件下(Vg=Vd/2),研究了不同氧化层厚度的表面沟道n-MOSFETs在热载流子应力下的退化.结果表明, Hu的寿命预测模型的两个关键参数m与n氧化层厚度有着密切关系.此外...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中,制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET,研究了MFIS电容的界面和存...
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15. 新型双环路电流型压控振荡器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 基于电流环振结构,同时应用了负延迟前接机制,实现了一种新型的双环路电流型压控振荡器结构,不仅提高了压控振荡器的振荡频率,而且也优化了噪声特性.设计采用1.2μm上海贝岭Bsim CMOS工艺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法制备CeO2-TiO2复合氧化物催化剂,取代贵金属催化剂在不同工艺下制备气敏催化元件,研究在C4H10气氛中催化剂浓度和制备工艺对气敏催化性能的影响.结果表明,CeO2-Ti...
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17. 硅片缺陷粒径分布参数的提取方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 利用电学测量方法,给出了在集成电路制造过程中,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃(缺陷)的粒径分布参数提取方法.首先基于双桥微电子测试结构,通过具体制造工艺得到数据,然后处理得到故障的粒径分布.再利...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并进行了离子注入设备模型的初步研究.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 研究了浅沟槽隔离(STI)工艺的各主要工艺步骤:沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化.使用器件模拟软件Medici和Davinci分析了STI结构的隔离性能以及沟槽隔离...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年3期页码:摘要： 提出了一种有效的基于遗传算法的VLSI布图规划方法.在染色体的表达中,对软模块不同形状和硬模块的布局方向进行了编码,并设计了有效的启发式解码方法进行解码.测试结果表明,该算法比已有算法得到了...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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