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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. 无机络合溶胶-凝胶法制备多孔ZnO薄膜
    作者： 杨立荣 步邵静 程志捷 靳正国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  241-246
    摘要： 利用无机络合溶胶-凝胶法制备多孔ZnO薄膜,同时利用多种测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌、多孔和光学性能进行了研究.XRD和SEM的测试结果表明,ZnO薄膜的晶体结构为六方纤锌矿,薄膜表面...
  • 2. 双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较
    作者： 刘新宇 吴德馨 和致经 郑英奎 陈震
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  247-251
    摘要： 研制了Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT),并对其特性进行了比较.由于采用了双...
  • 3. 一种新型的集成电路片上CMOS温度传感器
    作者： 周润德 张盛 王乃龙
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  252-256
    摘要： 介绍了一种可以用于片上温度监控的CMOS温度传感器,该传感器具有面积小、功耗低、精度高、易于实现等优点,可以比较容易地集成到芯片上实现温度监测功能.
  • 4. 不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流
    作者： 张贺秋 许铭真 谭长华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  257-261
    摘要： 研究了不同厚度的超薄栅1.9nm到3.0nm器件在恒压应力下的栅电流变化.实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的.
  • 5. 980nm氧化物限制的垂直腔面发射激光器
    作者： 廉鹏 朱文军 沈光地 渠红伟 董立闽 邓军 邹德恕 郭霞 黄静
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  262-265
    摘要： 采用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOCVD),制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980nm的垂直腔面发射激光器.应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制.在28mA脉冲电流驱动下,...
  • 6. 具有混合I-V特性的静电感应晶体管的电性能
    作者： 刘肃 李思渊 王永顺 胡冬青
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  266-271
    摘要： 研究了具有混合型I-V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I-V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五...
  • 7. 一种应用于二次布局的有效划分方法
    作者： 侯文婷 吕勇强 吴为民 洪先龙 蔡懿慈
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  272-278
    摘要： 提出了一种基于二次布局的结合MFFC结群和hMETIS划分的算法.实验表明:这种方法能得到很好的布局结果,但是运行消耗的时间比较长.为了缩短划分在二次布局中运行的时间,提出了一种改进的结群算...
  • 8. MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离
    作者： 于彤军 张国义 秦志新 童玉珍 胡晓东 陆曙 陈志忠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  279-283
    摘要： 利用X射线衍射(XRD)测量用MOCVD生长的InGaN样品,观察到InN相.通过X射线衍射理论,计算得到InN相在InGaN中的含量.通过退火和变化生长条件发现InN相在InGaN薄膜中的...
  • 9. 氮对重掺锑直拉硅中氧沉淀的影响
    作者： 余学功 张媛 杨德仁 马向阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  284-287
    摘要： 通过在不同条件下退火,研究氮杂质对重掺锑硅(HSb-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,在高温单步退火(1000～1150℃)和低高两步退火(650℃+1050℃)后,掺氮HSb-Si中与氧...
  • 10. 多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及其场电子发射
    作者： 宋雪梅 蔡让岐 贺德衍 陈光华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  288-291
    摘要： 研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性.以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的微晶金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(＜1V/μm),发射电流增大(＞...
  • 11. 多晶硅薄膜压阻系数的理论研究
    作者： 刘晓为 张颖 王东红 陈伟平 霍明学
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  292-296
    摘要： 利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,...
  • 12. 少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性
    作者： 廖天康 游志朴 潘飞蹊 黄林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  297-301
    摘要： 提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)结...
  • 13. CMOS器件的等时、等温退火效应
    作者： 何宝平 姜景和 王桂珍 罗尹虹 龚建成
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  302-306
    摘要： 研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性,给出了nMOSFET和pMOSFET器件不同条件下的对比结果.研究表明:100℃等温退火是最有效的,等时退火所需的全过程时间最短,通过25℃与1...
  • 14. 载流子扩散对电荷耦合器件调制传递函数的影响
    作者： 宋敏 张颖 郐新凯 郑亚茹
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  307-311
    摘要： 以表面沟道前射电荷耦合器件(CCD)为例,从理论上讨论了CCD内载流子扩散的机制,提出了利用光积分周期内收集的总信号电荷密度求CCD调制传递函数的方法,并获得了耗尽宽度随信号电荷密度改变时的...
  • 15. 钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响
    作者： 刘新宇 吴德馨 和致经 孙海锋 袁志鹏 郑丽萍
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  312-315
    摘要： 采用全耗尽的InGaP材料在基区GaAs表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT).通过对不同尺寸、有...
  • 16. 新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性
    作者： 刘训春 孙海锋 王润梅 石瑞英 袁志鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  316-320
    摘要： 利用电子运动速度过冲现象,设计出了一种新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管.这种结构不仅提高了器件的截止频率,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压.所制备器件的截止频率达到7...
  • 17. 用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片
    作者： 张斌 许晓丽 邵凯
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  321-324
    摘要： 介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75mm GaAs MMIC工艺研制,芯片面积约...
  • 18. 0.25μm GaAs基MHEMT器件
    作者： 刘训春 张海英 汪宁 王润梅 石华芬 石瑞英 罗明雄
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  325-328
    摘要： 采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为...
  • 19. 碳化硅CMOS反相器的特性
    作者： 姬慧莲 李跃进 杨银堂 柴常春 郭中和
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  329-332
    摘要： 建立了6H-SiC CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了SiC CMOS反相器的温度特性,结果表明,室温下沟道长度为1.5μm的6H-SiC ...
  • 20. 一种基于混沌的真随机源电路
    作者： 周涛 白国强 陈弘毅 黄谆
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  333-339
    摘要： 提出了一种基于混沌的随机源电路,通过利用电容上电荷的再分配,实现了一个离散混沌系统.该电路在0.8μm CMOS工艺下流片成功,核心面积小于4200μm2,功耗小于1mW,优于目前已有的几种...
  • 21. 倒装芯片各向异性导电胶互连的剪切结合强度
    作者： 吴丰顺 吴懿平 邬博义 陈力
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  340-345
    摘要： 采用冲击试验方法研究了各向异性导电胶膜(ACF)互连的玻璃和柔性基板上倒装芯片(COG和COF)的剪切结合强度.结果表明:COF比COG的剪切强度高.ACF的固化程度达85%时有最大的结合强...
  • 22. 中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法
    作者： 于民 张兴 施小康 石浩 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  346-350
    摘要： 在CMOS工艺超浅结形成过程中,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成.文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析,这种影响随着注入粒子种类的改...
  • 23. 成品率驱动下基于模型的掩模版优化算法
    作者： 洪先龙 王旸 石蕊 蔡懿慈
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  351-357
    摘要： 提出并实现了以分段分类思想为基础的掩模版优化算法,它是一种基于模型的光学邻近效应方法.该算法具有矫正精度高、灵活性强和矫正效率较高的特点,适合于版图中关键图形的矫正.实验表明,该优化算法可以...
  • 24. 用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅
    作者： 伊福庭 叶甜春 孙加兴 谢常青 陈大鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  358-360
    摘要： 采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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