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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. AlGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器
    作者： Ma Hong Yi Xinjian Zhu Guangxi 易新建 朱光喜 马宏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  745-748
    摘要： 采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了1550nm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器,有源区为3周期的张应变量子阱结构,应变量为-0.40%.器件制作成脊型波导结构,并采用7...
  • 2. 一种DC～5GHz串联微波开关的温度特性和功率处理能力的测试与分析
    作者： Gu Hongming Hu Xiaodong Li Qian Lou Jianzhong Lü Miao Zhao Zhengping 吕苗 娄建忠 李倩 胡小东 赵正平 顾洪明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  749-755
    摘要： 描述了一种串联微波MEMS开关的设计、制造过程,它制作在玻璃衬底上,采用金铂触点,在DC～5GHz,插损小0.6dB,隔离度大于30dB,开关时间小于30μs.对这种微波开关的温度特性和功率...
  • 3. 高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管
    作者： Bai Dafu Liu Xunchun Sun Haifeng Wang Runmei Yuan Zhipeng 刘训春 孙海锋 王润梅 白大夫 袁志鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  756-761
    摘要： 报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的...
  • 4. SDH系统STM-16速率级CMOS注入同步环形振荡器
    作者： Lin Qisong Liu Li Wang Zhigong Xiong Mingzhen Zhang Li 刘丽 林其松 熊明珍 王志功 章丽
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  762-765
    摘要： 基于0.25μm CMOS工艺,通过在环形振荡器的基础上引入注入同步技术,实现了一种新颖的应用于SDH系统STM-16速率级的注入同步振荡器.测试结果表明,该振荡器中心频率为2.488GHz...
  • 5. 一种用于暗域交替式相移掩模设计的自适应版图划分方法
    作者： Hon Xuanglong Wang Di Wu Weimin 吴为民 洪先龙 王迪
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  766-770
    摘要： 提出了一种新的用于加速130nm以下工艺交替式相移掩模设计流程的版图划分方法,该方法能够自适应调整版图划分的粒度.讨论了消除相位冲突的方法和版图压缩中相位兼容性保持的策略.利用上述算法实现的...
  • 6. 一种分段线性补偿的带隙基准
    作者： Lai Xinquan Li Xianrui LI Yushan Wang Hongyi 李先锐 李玉山 来新泉 王红义
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  771-777
    摘要： 提出了一种采用分段线性补偿的方法来实现高精度带隙基准,其基本原理是将整个温度区间分为若干个子区间,在不同子区间上采用不同线性补偿函数达到最佳补偿.由于温度区间缩小,补偿误差也随之减小,从而在...
  • 7. 包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析
    作者： Hao Yue Yang Lin'an Yu Chunli 于春利 杨林安 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  778-783
    摘要： 采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点考虑了衬底电流的作用.模拟结果与实验有很好的一致性.该解...
  • 8. 大规模混合模式初始详细布局算法
    作者： Hong Xianlong Luo Lijuan Zhou Hanbin Zhou Qiang 周强 周汉斌 洪先龙 罗丽娟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  784-789
    摘要： 以大规模混合模式布局问题为背景,提出了有效的初始详细布局算法.在大规模混合模式布局问题中,由于受到计算复杂性的限制,有效的初始布局算法显得非常重要.该算法采用网络流方法来满足行容量约束,采用...
  • 9. 磁场调制下的双电子量子点qubit
    作者： 孙连亮 李树深 陈早生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  790-793
    摘要： 研究了磁场中二维有限深抛物形量子点中双电子在总自旋分别为S＝0或S＝1时的电子态,在有效质量近似下,利用精确的对角化方法计算了系统的能级结构.发现系统的基态总自旋S可以通过改变磁场的大小进行...
  • 10. 利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征
    作者： 刘坤 叶志镇 向因 季振国 宋永梁
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  794-797
    摘要： 采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜.XRD测试和UV-Vis吸收谱测试证明在高于880℃的温度下热处理,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜.光致发光...
  • 11. 杂质对单晶硅材料硬度的作用
    作者： 李东升 杨德仁 阙端麟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  798-803
    摘要： 室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响.实验发现,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性--晶向有关,还与所掺入杂质的种类和浓度有关.损伤造成的裂纹倾向于沿着...
  • 12. ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长
    作者： 刘伟 叶建东 周昕 张荣 施毅 朱顺明 秦锋 胡立群 郑有炓 顾书林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  804-808
    摘要： 利用低压金属有机源气相沉积(LP-MOCVD)技术,在 (0001)蓝宝石衬底上生长ZnO纳米岛,发现在适当的生长条件下,可以生长出规则排列的纳米岛.实验发现随着生长时间的增加,在蓝宝石衬底...
  • 13. Zn1-xMgxO薄膜的低压MOCVD生长与性质
    作者： 刘伟 刘松民 叶建东 周昕 张荣 施毅 朱顺明 秦锋 胡立群 郑有炓 顾书林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  809-813
    摘要： 利用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)技术,采用两步生长法,在(0001)蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的Zn1-xMgxO合金单晶薄膜.实验发现随着Mg原子的增多,ZnMgO的晶格常...
  • 14. 具有复合埋层的新型SIMON材料的制备
    作者： 刘忠立 刘相华 张恩霞 易万兵 王曦 董业民 金波 陈猛 陈静
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  814-818
    摘要： 采用氮氧共注入方法制备了新型的SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen)SOI材料.采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试...
  • 15. 硼离子选择注入制备多孔硅微阵列
    作者： 朱建中 朱自强 王伟明 邵丽 陈少强
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  819-823
    摘要： 根据p型硅和n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件,利用硼离子选择注入,在n型硅片上的局部微区域,形成易于腐蚀的p型硅,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列.省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的...
  • 16. 双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件
    作者： 于芳 刘忠立 昝育德 李瑞云 林兰英 王俊 王占国 王建华 王玉田 韩秀峰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  824-830
    摘要： 报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、...
  • 17. 发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P/GaAsHBT特性的影响
    作者： 孙海锋 汪宁 石瑞英 罗明雄 袁志鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  831-835
    摘要： 在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时,常常出现电流坍塌的问题.研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P/GaAs HBT直流及高频特性的影响,并对实验现象进行了理论分析.
  • 18. 双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型
    作者： 刘新宇 吴德馨 陈震
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  836-840
    摘要： 利用泊松方程以及异质结能带理论,通过费米能级-二维电子气浓度的线性近似,推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型.计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度,栅金属与顶部平面掺杂层...
  • 19. HfO2高k栅介质漏电流机制和SILC效应
    作者： 刘晓彦 康晋锋 杨红 王成刚 王漪 王玮 韩德栋 韩汝琦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  841-846
    摘要： 利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层,研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)效应.对HfO2栅介质泄漏电流输运机制的分析...
  • 20. 非制冷热释电薄膜红外探测器热绝缘结构的研制
    作者： 姚熹 张良莹 李靓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  847-851
    摘要： 采用由多孔SiO2薄膜和过渡SiO2薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘.利用溶胶凝胶方法制备了多孔SiO2薄膜以及过渡SiO2薄膜,通过优化制备工艺,使得多孔Si...
  • 21. 高精度带隙基准电压源的实现
    作者： 江金光 王耀南
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  852-857
    摘要： 提出了一种高精度带隙基准电压源电路,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源.设计得到了在-20～+80℃温度范围内温度系数为3×10-6/℃和-85dB的电源电压抑制...
  • 22. SiON对Si基SiO2 AWG偏振补偿的数值分析
    作者： 安俊明 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 郜定山
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  858-862
    摘要： 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导...
  • 23. 硅基纳机电探针及其敏感和执行特性
    作者： 刘民 李昕欣 杨尊先 王跃林 陆德仁 鲍海飞
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  863-868
    摘要： 阐述了集成纳机电探针实现超高密度存储的工作原理,并对所设计的结构进行了力学理论计算和有限元模拟.采用硅基微纳机械加工工艺,将压阻敏感器和电热纳米针尖一体集成到硅悬臂梁上,实现器件制作.对加热...
  • 24. 用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数
    作者： 夏冠群 张有涛 李拂晓 杨乃彬 铁宏安 高建峰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  869-873
    摘要： 提出了一种改进的遗传算法,应用于提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.改进的算法采用浮点编码连续突变,多种遗传操作合作运行,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象...
  • 25. vf-BGA封装焊球热疲劳可靠性的研究
    作者： 乌健波 何国伟 和平 孟宣华 彭瑶玮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  874-878
    摘要： 采用有限元分析方法对vf-BGA焊球的热疲劳特性进行了模拟 .通过扫描电镜(SEM)对温度循环试验后焊球金属间化合物(IMC)层和剪切强度试验后的断裂面进行了形貌、结构和组分的观察及分析.实...
  • 26. 深亚微米设计中天线效应的消除
    作者： 叶青 周玉梅 杨旭 黄令仪
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  879-883
    摘要： 分析了PAE效应(process antenna effect)的成因,并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法.其方法应用于"龙芯-I CPU"的后端设计,保证了...
  • 27. 一种提高热氧化均匀度的方法
    作者： 张霞
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年7期
    页码:  884-888
    摘要： 分析了在采用内燃结构进行氢氧合成氧化过程中,造成氧化层厚度不均匀的原因.根据流体力学和热传导理论,设计了解决这一问题的半封闭式炉管结构氧化方法和相关的匀流隔热散热装置.实验结果表明,此方法简...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

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期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

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