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半导体学报(英文版)2004年第8期出版文献
出版文献量（篇）
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总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴线的黄昆因子S,除了LO声子外,得到了T...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式Bragg反射激光器.通过同时控制相位区和光栅区的注入电流,该激光器的波长可以准连续地调谐4.6nm.在整个调谐范围内,除了少数几个模式跳变点以外,激...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80mA的注入电流下,器件的3dB光带宽大于85nm(1520～1609nm).该带宽几乎同时全部覆...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 给出了一种新型的低噪声放大器的变增益方案.与传统的噪声恶化很严重的低噪声放大器变增益方案相比,该方案以3dB为步长,可以得到25dB的变增益范围,并且在低增益时的噪声恶化只有0.3～0.5d...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管的研制.在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性.功率测试结果显示:当器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 为了提高硅基上单模波导器件与单模光纤的耦合效率和工艺容差,设计了一种实用新型光斑转换器,它由水平和垂直双向楔变的波导芯区和双内包层构成.分析了内包层折射率与其厚度对耦合效率的影响,发现通过优...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 提出了一种由三相电源驱动的新绝热逻辑电路--complementary pass-transistor adiabatic logic(CPAL).电路由CPL电路完成相应的逻辑运算,由互补...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 提出了一种有效的Data-Path布局算法DPP,该算法基于一个新的"不规则度"概念来评价电路单元之间连接关系的规则性信息,并根据这些规则性信息提取规则化的单元形成规则矩阵;然后算法把规则矩...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用线形组合算符和么正变换研究了磁场对半导体量子点中强耦合磁极化子基态的影响.结果表明,磁极化子束缚能、磁极化子振动频率随有效束缚强度增大而减小,随电子-体纵光学声子耦合强度增大而增大,随磁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响.铝...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用高分辨X射线衍射的方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延材料的X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系.实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响.衬底与外延层...
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12. 氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响.实验结果表明,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布,即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ),体内靠近DZ区域形成高密度、小...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用聚焦连续波CO2激光束对n型InP基片进行局域加热,并利用专用的温度测量系统对InP基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量.结果表明,在基片初始温度为室温时,难以得到满足加工所...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 以SiC超细粉为原料,采用热等离子体PVD(TPPVD)法快速制备了SiC膜,最大沉积速度达到138nm/s.为了降低SiC膜的电阻率,提高其热电性能,采用向等离子体中通入N2的方法对SiC...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(A...
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16. 离子束淀积方法制备GdSi2薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在400℃沉积的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜.质子激发X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度;扫描电镜和Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与(100)硅衬底发生固相反应直接生成CoSi2,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性.通过X射线衍射图谱发现,当退火时间相同时,在61...
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19. 三端双向负阻晶体管的模拟与实验刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 在发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAs HBT工艺的基础上,研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺,用简单方法制备出了发射极宽度为2μm的InGaP/GaAs H...
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21. 有机聚合物热光器件热场的解析模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 根据傅里叶导热定律,采用分离变量的方法,导出有机聚合物热光器件热场分布的解析表达式,该解析计算结果同采用FD-BPM法计算机模拟结果进行比较,平均相对误差不超过4%,并运用光线法分析全内反射...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得...
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23. GaN基蓝光激光器光场特性模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用有限差分法对GaN基多量子阱(MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟.InGaN和AlGaN材料的折射率分别由修正的Brunner以及Bergmann方法得到.分析了激光器单模特性和远场发...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 利用磁控溅射的方法在p-Si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究.利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积HfO2薄...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 选取分段线性的混沌表达式来设计真随机数发生器,具体分析了表达式中参数对迭代产生的序列的影响,并给出了最佳的参数选择范围.真随机数发生器由模拟电路实现,整个电路由八级结构相同的子电路和一级抗饱...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 介绍了一种采用深亚微米CMOS工艺实现单片集成发送器的设计.它适用于IEEE 802.3ae多通道10Gbps以太网接口(Ethernet).发送器主要由时钟发生器、多路选择器、占空比调整电...
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27. 具有反馈结构的PAL-2NF电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 在分析PAL-2N电路缺陷产生原因的基础上,提出了一种低功耗,具有反馈结构的PAL-2NF电路,它采用逐级相位落后90°的四相正弦功率时钟.讨论了PAL-2NF电路的设计方法,并在不同时钟频...
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28. 一种CMOS蓝牙无线发送器电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 实现了一种低中频架构的CMOS蓝牙无线发送器,提出一种漏极开路输出的功率放大器电路结构.采用0.35 μm数字CMOS工艺制造.测试结果表明:该电路在3.3V电压下总静态电流为19mA;低频...
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29. 驱动复杂RLC互连树的逻辑门延时刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 提出了一个用于估计RLC互连树驱动点导纳的闭端等效π模型,并将其用于驱动复杂RLC互连树的逻辑门延时的估计中.与其他方法相比,它具有结构简单、精度较高的特点.
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
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| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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