半导体学报(英文版)期刊
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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  • 作者: 沈绪榜 王忠 车德亮
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1586-1590
    摘要: 采用一种优化阶符的二进制数据表示方法,达到了减小LS-DSP内串行分布式计算滤波器的动态功耗的目的.实验结果表明,该方法可有效减小LS-DSP内串行分布式计算滤波器10%的动态功耗.
  • 作者: 廖小平 王彦丰 黄庆安
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1591-1594
    摘要: 射频集成电路(RFIC)中电感元件十分重要,其模型是RFIC模拟的关键.在确定电感的电路模型后,要进行正确的设计和优化,还必须知道模型中各元件的参数.文中首先给出了电感结构的嵌入式和非嵌入式...
  • 作者: 丁建宁 熊斌 王文襄 王权
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1595-1598
    摘要: 针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器敏感芯片,采用SIMOX技术的SOI晶片,在微加工平台上通过低压化学气相淀积法(LPCVD)均相外延硅测量层、浓硼离子注入...
  • 作者: 方玉明 李伟华 黄庆安
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1599-1604
    摘要: 以多级弯曲磁微梁执行器为研究对象,先采用梁的模态函数线性组合来逼近梁的变形曲线,然后利用磁路定律,考虑了在宏观磁执行器中忽略的磁芯磁阻,建立了考虑力-磁耦合的非线性方程组,克服了以往的磁微执...
  • 作者: 佟存柱 倪海桥 吴荣汉 彭红玲 杜云 杨晓红 牛智川 章昊 郑厚植 韩勤
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1605-1609
    摘要: 对1064nm谐振腔增强型(RCE)光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究.利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片,并对制作的探测器进行...
  • 作者: 张春福 张金凤 郝跃 龚欣
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1610-1615
    摘要: 在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaN p-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaN p-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-G...
  • 作者: 周帆 张静媛 朱洪亮 王圩 王宝军 王鲁峰 田慧良 赵玲娟 边静
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1616-1618
    摘要: 与折射率耦合分布的分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦...
  • 作者: 朱志炜 杜鸣 郝跃
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1619-1622
    摘要: 采用GG-NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果.通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准.在模拟的基础...
  • 作者:
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1623-1628
    摘要: 介绍了ISO 14443标准中IC卡到读卡机通信的信号特征和解调方法,提出了一种新颖的调幅波解调电路的基本原理和电路实现.芯片测试结果显示:电路在2.5~5.5V下都能稳定可靠的工作,工作温...
  • 作者: 孙义和 李翔宇
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1629-1634
    摘要: 给出了一种用于密码芯片以提高芯片抗功耗攻击能力的"功耗平衡"加法器,它运行时工作功率与运算数据无关.对新设计与相关原设计芯片的功率样本进行显著性检验,在样本数为283的情况下,前者的最低显著...
  • 作者: 刘训春 王润梅 袁志鹏 鄂辰熹
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1635-1639
    摘要: 在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上,设计出形式简洁的光调制器驱动电路.电路功耗仅为500mW,在2.5GHz信号下平均上升时间和下降时间(10%~90%)分...
  • 作者: 任俊彦 李联 王彦 陆平
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1640-1645
    摘要: 设计了一种用于10/100Base-T以太网收发器的频率综合器电路.该电路自适应工作在10和100Mbps两种模式下,并能自由切换.电路采用cascode电流源、差分对称负载延迟单元等优化结...
  • 作者: 曾晓洋 汤庭鳌 韩军
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1646-1652
    摘要: 提出一种互补结构的寄存器电路设计方案,用于减小DES加密电路的差分功率信号,防御差分功耗分析.提出了一种误导攻击者的干扰电路,在保证加密电路安全等级的前提下,大幅度降低了电路的硬件开销.为节...
  • 作者: 徐向明 曹刚 赵毅
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1653-1655
    摘要: 采用一种新颖的方法--多晶硅加热法评价了金属连线的电迁移(EM)寿命.用该方法得到的结果与传统封装测试法得到的结果进行了对比,两者有相当好的一致性.同时,测试时间不到封装测试的1‰.说明多晶...
  • 作者: 何捷 唐珏 唐长文 菅洪彦 闵昊
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1656-1661
    摘要: 建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型.实验验证了相同频率时,信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正比.进而针对不同外径电感到焊盘之间信号线长度不同,采用相同去嵌...
  • 作者: 李志国 李杰 程尧海 莫郁薇 谢雪松 郭春生
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1662-1666
    摘要: 提出了一种新的微电子器件快速评价方法-温度斜坡法,建立了确定失效激活能的新模型和寿命外推新模型,使用此模型可计算出单支器件的失效激活能并外推其寿命.同时,该方法的试验温度范围较宽,可以触发不...
  • 作者: 任晓敏 孙增辉 王兴妍 王琦 钟源 陈弘达 陈斌 陈良惠 马骁宇 高俊华 黄永清 黄辉
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1667-1670
    摘要: 提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0....
  • 作者: 刘明 施毅 李泠 郑有炓 陈杰智
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1671-1675
    摘要: 根据硅各向异性腐蚀在微观尺度下的特点,基于元胞自动机理论提出了新的腐蚀模拟模型.该模型考虑了腐蚀过程中硅不同晶面的晶体结构特点,并通过引入碰撞理论,综合反映了腐蚀温度和浓度对腐蚀的影响作用....
  • 作者: 李瑞贞 韩郑生
    发表期刊: 2005年8期
    页码:  1676-1680
    摘要: 提出了一种提取BSIM SOI模型参数的新方法,该方法基于遗传算法和局部优化法的结合,同时具有全局优化和局部优化的优点,提取的参数物理意义明确,并且容易得到全局最优解.该方法计算简单,不需要...
  • 作者: 孙国胜 曾一平 李海鸥 段晓峰 王晓峰 王雷 赵万顺 黄风义
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1681-1687
    摘要: 在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜.Raman测试结果表明,SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低.采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中的应力释放...
  • 作者: 周帆 朱洪亮 潘教青 王圩 王宝军 王鲁峰 赵谦
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1688-1691
    摘要: 制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件...
  • 作者: 常本康 曾一平 朱占平 李敏 杜晓晴 王保强 王晓峰
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1692-1698
    摘要: 研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另一组...
  • 作者: 吴文刚 尹冬青 徐安士 郝一龙 闫桂珍 陈庆华 陈章渊
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1699-1704
    摘要: 报道了以体硅表面硅混合微加工工艺制作在SOI衬底上的一种新型复合静电驱动结构致动内旋转微镜,其中复合静电驱动结构由一个平板驱动器和一个垂直梳齿驱动器构成.实验表明,该新型驱动结构不仅能使微镜...
  • 作者:
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1705-1710
    摘要: 提出了一种利用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器,激励信号直接注入子谐波振荡器的共源连接点.原理上,正交振荡器的相位噪声性能会比子谐波振荡器的相位噪声性能好.该正交振荡器已经采用0.25μ...
  • 作者:
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1711-1715
    摘要: 介绍了一种应用于GHz级高速频率合成器的数模混合下变频模块.采用了高速射频双模预分频器与数字逻辑综合生成的可编程吞脉冲分频器相结合的设计方法.双模预分频实现了高速低抖动低功耗,双模预分频器工...
  • 作者:
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1716-1721
    摘要: 为减少射频螺旋电感的金属导体损耗,提出了一种电感金属线宽及金属间距从外到内逐渐变小的新颖结构.与传统的固定金属线宽和间距的电感相比,该渐变结构电感涡流效应的影响较小,金属导体损耗减小,从而降...
  • 作者:
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1722-1726
    摘要: 为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的S...
  • 作者:
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1727-1730
    摘要: 提出了一种插入损耗较低、介质薄膜生长在桥膜上的新结构微波MEMS开关.该开关桥膜由介质/金属/硅三种薄膜构成,并采用键合和自停止腐蚀工艺成功制备.详细论述该开关的原理、设计和制备过程.磁控溅...
  • 作者:
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1731-1739
    摘要: 实现了一个应用于IEEE 802.11b无线局域网系统的2.4GHz CMOS单片收发机射频前端,它的接收机和发射机都采用了性能优良的超外差结构.该射频前端由五个模块组成:低噪声放大器、下变...
  • 作者:
    发表期刊: 2005年9期
    页码:  1740-1743
    摘要: 用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

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