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半导体学报(英文版)2005年第6期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 在n型Si衬底上用热丝化学气相沉积方法制备了多晶金刚石膜,用200keV的离子注入机在金刚石膜中进行了二次硼离子注入,第一次注入能量为70keV,第二次注入能量为120keV,获得了硼离子的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 建立了预测片上等效寄生电容的片上电感分布电容模型.预测和解释了差分电感的自激振荡频率的差异.实测数据显示,与单端驱动模式下的相同对称电感相比,差分驱动模式电感提高最大品质因数127%,具有更...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用微机电系统技术制作了螺线管电感.为了获得高电感量和Q值,采用UV-LIGA、干法刻蚀、抛光和电镀技术,研制的电感大小为1500μm×900μm×70μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 成功研制了GaAs基MOEMS可调谐RCE光探测器.该器件采用单悬臂梁结构,在6V的小调谐电压下,获得了31nm的连续调谐范围.在调谐过程中,峰值量子效率最大为36.9%,最小为30.8%;...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 报道了1.6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件.该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25.6dB),3dB调制带宽为15GHz,直流消光比为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 硅基二氧化硅光波导是光通信中的关键器件.采用光刻胶以及金属作为掩膜进行了反应离子刻蚀二氧化硅光波导的工艺研究,获得了刻蚀速率及刻蚀选择比相对各工艺参数变化的三维神经网络模型.利用一种新型的用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 设计并流片制作了基于GaAs PHEMT工艺的Ka波段微波单片集成压控振荡器(MMIC VCO).该VCO具有紧凑、宽电调谐带宽及高输出功率的特点.提出了缩小芯片面积及增大调谐带宽的方法,同...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用RF-MBE技术,在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN/GaN HEMT结构.用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43%,异质结构晶体质量较高,界面比较光滑....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 对微晶硅薄膜晶体管,尤其对底栅型晶体管,在衬底和晶化层间存在一层非晶相起始层,这将严重影响器件性能.文中采用降低硅烷浓度的方法简便有效地减薄了用超高频化学气相法直接沉积的微晶硅薄膜起始层的厚...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响,改善源漏的图形...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 在电路误差、电路占用芯片面积相互折中和妥协的前提下提出了一种8+4结构的电流驱动型数模转换器.采用Q2 random walk方法设计了一个新型的双中心对称的电流矩阵,确保数模转换器的线性度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 利用二能级近似理论分析了外场驱动下非对称耦合双量子点中激子的动力学行为,并给出了局域化的条件.分析发现:当外场振幅较小时,库仑相互作用扮演着重要角色,激子的动力学行为主要发生在低能级子空间,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe,并对其结构和光学性质进行了研究.原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS/CdTe异质结,研究了其结构、电子学性质.获得的CdS/CdTe半导体异...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCX...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si:H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.In...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构.ASITIC模拟证明,该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子.采用此工艺,在固定腐蚀液配比的条件下,变化电流密度和阳极氧化时间,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻N...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 介绍了-种新型硅磁电负阻-振荡器件--S型负阻-振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线...
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24. 电阻栅结构负阻异质结双极晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 基于激光器速率方程和等效电路模型对激光器高频响应特性进行分析,提出了一种采用激光器频率响应扣除法提取有源区本征响应和预测激光器整体频率响应的仿真新方法.用该方法对实验样品的高频调制响应进行了...
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26. 折叠内插模数转换器分析及实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 应用Matlab/Simulink工具对折叠内插模数转换器进行了建模,研究了具有8bit分辨率、200MHz采样频率的该模数转换器的芯片设计和实现.系统设计时采用Matlab/Simulin...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 讨论了适用于无线局域网零中频收信机的4阶切比雪夫有源RC滤波器,为消除工艺偏差和环境变化对截止频率的影响,提出片上数字控制频率调谐电路.采用TSMC-0.25μm 1P5M CMOS工艺进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路,利用D/A变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现数字控制的耐压为300V的LDMOS功率开关电路.该功率集成...
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29. 一种用于SRAM快速仿真的模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 根据静态随机存储器(SRAM)电路及版图的设计特点,提出了一种新的可用于SRAM设计的快速仿真计算模型.该模型仿真快速准确,能克服Spice仿真软件对大容量SRAM版图后仿真速度较慢的缺点,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年6期页码:摘要： 分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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