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半导体学报(英文版)2006年第3期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延的一些研究结果.75mm HgCdTe薄膜材料的组分均匀性良好,80K下截止波长偏差为0.1μm.对所观察到的HgCdTe表面缺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0+△0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 用自洽计算的方法研究了极化电场对AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响.发现极化场会导致电压降的出现,从而使得结构对称的AlxGa1-xN/GaN双量子阱具...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 研究了暴露在空气中退火和表面覆盖蓝宝石基板退火对MOCVD生长的ZnO薄膜光学性质的影响.研究发现,暴露在空气中退火虽可以去除薄膜中的氢杂质,并在低温光致发光(PL)谱中观察到与氢相关的束缚...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间隙铜对氧沉淀几乎没有影响,铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成;而间隙镍...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN中,掩膜下方的缺陷被掩膜所阻...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 使用纳米氧化硅光纤探针,利用倏逝波耦合方法,将紫外到红外的激光成功地耦合进单根ZnO纳米线,耦合效率可达25%.实验观测了单根纳米线的荧光特性,发现ZnO纳米线光传输损耗很低.研究证明:采用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C:F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 为了处理纳米MOSFET载流子分布的量子效应,提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的量子更正模型,通过载流子的经典密度计算其量子密度,并对拥有不同隐层数和隐层神经元...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 给出一种利用等效负电阻实现阻抗增加的方法.利用该方法,文中所提出的电流源可在不增加电源电压的前提下显著提高其输出阻抗.基于0.6μm的CMOS工艺模型,仿真所得电流源的输出阻抗可达109Ω,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 在国内首次将等效氧化层厚度为1.7nm的N/O叠层栅介质技术与W/TiN金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备.为抑制短沟道效应并提高器件驱动能力,采用的关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/SiGe量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制.模拟结果表明该结构具有高速和高可靠性的优点.测试结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 基于0.18μm RF CMOS工艺,采用双端调谐结构实现了一种可应用于WLAN的二次变频收发机的压控振荡器.其输出频率范围可以覆盖收发机所需4.1～4.3GHz的频段,其最大调谐范围为50...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 介绍了一种0.18μm CMOS工艺基于GSM1900(PCS1900)标准低中频接收机中的混频器.该混频器采用了一种新型的折叠式吉尔伯特单元结构.在3.3V电源电压、中频频率为100kHz...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 报道了一种利用MEMS技术制作的微型直接甲醇燃料电池.其特点在于,利用KOH体硅腐蚀和双面光刻工艺制作了一种独特的三维自吸氧阴极结构.分析了MEMS制作工艺的改进.实验结果表明,该电池室温下...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 采用量子光学和极化子正则变换的方法研究了有限温度下半导体微腔中单量子点的激子动力学行为,并解析得到了激子真空拉比分裂随温度变化的函数关系.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 利用多模干涉效应和自由载流子等离子体色散效应设计和模拟了基于1.55μm波长的2×3 SiGe光开关.该光开关由两个单模输入端口、一个多模干涉区和三个单模输出端口构成.在多模干涉区,设有两个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 利用含时二维热传导模型分析了蓝宝石衬底上生长、制作的脊形InGaN激光器内波导层的温度分布和时间演化规律.由于较大的阈值电流和电压以及较差的衬底导热性能,脊形下波导层内会产生较高温升并在脊形...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 针对已制作并发表的一种新型铁氧体磁膜结构射频集成微电感进行了等效电路分析.阐述了磁性铁氧体薄膜对电感的感值(L)和品质因数(Q)的增强作用.对射频测试结果进行了电路元件参数提取.结果表明,与...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 应用一个三层互连布线结构研究了诸多因素尤其是布线的几何构造对互连系统散热问题的影响,并对多种不同金属与介质相结合的互连布线的散热情况进行了详细模拟.研究表明互连线上焦耳热的主要散热途径为金属...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 测试了国产和美国Cree公司生产的n型6H-SiC低温下的电学参数,包括电阻率、迁移率和自由载流子浓度,并用FCCS软件数据拟合分析得到两种SiC的杂质浓度和能级.实验结果表明:杂质浓度和补...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备Al/Sb预制多层薄膜,然后将Al/Sb预制多层薄膜在退火炉中退火得到AlSb多晶薄膜.用X射线衍射(XRD)法测薄膜结构;用扫描电镜(SEM)测薄膜Al/Sb...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 提出了一种简单有效的有机/金属肖特基二极管的制备方法:通过简单的真空气相沉积工艺,依次将有机材料PTCDA(C24H8O6)薄膜和金属电极Au蒸镀在透明导电玻璃ITO上.通过在室温条件下对该...
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27. 新型全CMOS片上温度传感器设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 利用阈值电压随温度的线性变化关系,设计并改进了一种基于弛张振荡器的全CMOS片上数字温度传感器,提出了一种新型的基于施密特触发器的全CMOS片上数字温度传感器,用于集成电路的热测试和温度保护...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 利用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 通过对电子器件加速试验失效模型--Arrhenius模型的研究,发现加速试验过程中,失效机理不发生改变时,电子器件失效敏感参数的退化速率与施加应力的负倒数遵从指数关系,从而提出了一种加速试验...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 2005年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数继续大幅度上升,本文简介2005年半导体学科基金申请与资助概况,分析半导体学科受理申请的近期动态,介绍学科拟采取的对策,并附20...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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