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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增...
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273. 4H-SiC BJT的Early电压分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 通过考虑缓变基区4H-SiC BJT电流增益及器件内4种载流子复合过程,计算了4H-SiC BJT的厄利(Early)电压,分析了Early电压及电流增益的温度特性.结果表明,其他参数不变时...
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274. GaN HEMT器件22元件小信号模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用了新型的包含22元件的GaN HEMT小信号模型,通过增加与栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd并联的电导Ggsf和Ggdf来表征GaN HEMT栅漏电情况.结果表明22元件小信号模型拟合度提...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 研究了SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(random telegraph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型...
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277. 静电驱动可调微机械电容刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 利用简单MEMS技术制作了高品质因数的射频可调微机械电容.此电容由静电驱动,利用WYKO NT1100光学表面轮廓仪测量在不同外加直流电压下可变电容的表面轮廓和位移等信息.测试结果表明,电容...
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278. Si基SiO2波导芯层热应力的理论研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 结合弹性多层板热应力理论和应力集中效应给出了Si基SiO2波导芯层热应力的解析解,推导了芯层应力差的解析表达式.说明对于传统阵列波导光栅,芯层应力差来源于初始翘曲和波导各层热膨胀系数差;系统...
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279. SU-8胶深紫外光刻模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模...
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280. CMOS超高频整流器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0....
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281. 一种新颖的D类音频功率放大器驱动电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 在D类功率放大器的设计中,为了提高驱动效率,需要一个高电平驱动H桥的高端LDNMOS管.文中设计了一种新颖的适用于D类功放的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵电路.当芯片正常工作时,H桥低端...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 设计、制造并测试了一种单片集成的压阻式高性能三轴高g加速度计,量程可达105g.x和y轴单元均采用一种带微梁的三梁-质量块结构,z轴单元采用三梁-双岛结构.与传统的单悬臂梁结构或者悬臂梁-质...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 分析了影响CMOS采样开关性能的非理想因素,针对14bit 50MHz A/D转换器对采样开关特性的要求,提出了一种新型的时钟馈通补偿结构.该结构通过增加dummy开关管能够有效消除时钟馈通...
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284. MOS场引晶体管双极理论和实验刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,...
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285. ZnO纳米线的低温生长及其发光特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 用金属有机物气相外延在纳米棒ZnO模板上沉积AlN薄膜.SEM测试表明该薄膜形成了一种倾倒纳米棒的表面.而GIXRD测试进一步证实它是纤锌矿结构的AlN,晶粒尺度约为12nm,接近于ZnO纳...
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287. Ka频段PHEMT 1W功率单片放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 设计制作了Ka频段高输出功率的单片功率放大器.基于河北半导体研究所的0.25μm栅长的75mm GaAsPHEMT工艺制作的三级功率放大器,芯片尺寸为19.25mm2(3.5mm×5.5mm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的G...
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289. 铁电液晶光电特性的电路级分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 建立了铁电液晶的Spice等效电路模型,并基于此模型,分析了温度、光波长以及电压频率3个典型参量对铁电液晶光电响应特性的影响.仿真结果表明,以上3个参量的变化对铁电液晶光电响应有明显的控制作...
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290. 非均匀条间距结构功率SiGe HBT刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 成功研制出非均匀发射极条间距功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)用以改善功率器件热稳定性.实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距HBT相比,非均匀结构HBT的峰值结温降...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明,通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功函数.通过注入p型或n型杂质,如BF2,As或P,能够将Ni全硅...
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292. 面向高速应用的10位2GHz数模转换器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 提出了一个刷新率达2GHz的10位电流驱动型数模转换器.在综合了精度与芯片面积等因素之后,该数模转换器使用6+4结构.采用电流型逻辑以提高转换器的速度,并采用Q2 random walk方法...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 提出了一种新的纯MOS结构的基准电压源,它利用pMOS和nMOS的阈值电压差来抵消工艺偏差,提高了基准的精度.该电路经过Chartered 0.35mm标准CMOS工艺成功流片,芯片面积为0...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 采用纳米压痕方法,研究了AlN/sphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 采用第一性原理平面波超软赝势方法计算了锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质,并从理论上分析了它们之间的关系.利用精确计算的能带结构和态密度分析了电子带间跃迁占主导地位的锐钛矿相TiO2的介电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC po...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 基于电荷的离散性,运用最小平移算符的性质,研究介观电子谐振腔中量子电流的性质,给出量子Kirchhoff方程、量子电流关系式以及电流的量子涨落.结果表明,基于电荷量子化的事实,谐振腔中电荷具...
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300. 掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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