半导体学报(英文版)期刊
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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  • 作者: 揭斌斌 薩支唐
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  1-11
    摘要: 本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论.晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区.把两维无缺陷Shockley方程分离为两个...
  • 作者: 史慧玲 崇峰 胡理科 马骁宇
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  12-16
    摘要: 采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法,在100~400℃低温范围内,在GaAs(001)衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射(XR...
  • 作者: 万星拱 赵毅
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  17-19
    摘要: 通过结合发光显微镜(EMMI)测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间,避免了栅极氧化膜的早期失效.从栅极氧化膜击穿电压的测试结果可以看出,当刻蚀时间较短时,一个晶圆内...
  • 作者: 刘挺 杨谟华 王振 罗木昌 赵文伯 赵红 邹泽亚
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  20-23
    摘要: 第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无...
  • 作者: 幸新鹏 李冬梅 王志华
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  24-28
    摘要: 介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在...
  • 作者: 张书明 杨辉 梁骏吾 王莉莉
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  29-32
    摘要: 用MOCVD技术生长GaN:Mg外延膜,在550~950℃温度范围内,对样品进行热退火,并进行室温Hall、光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,850℃退火后空穴浓度达到8×101...
  • 作者: 张志林 徐维 徐贵 朱文清 蒋雪茵 鲁富翰
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  33-38
    摘要: 将8-hydroxy-quinolinato lithium(Liq)掺入4'7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为n型电子传输层(ETL),将te...
  • 作者: 乔慧 仝召民 刘俊 张斌珍 薛晨阳
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  39-44
    摘要: 报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性.采用Pspice 8.0软件仿真并设计了振荡电路,测得其振荡频率达200kHz.在(100)半绝缘(SI)GaAs衬底上利用分子束外延(...
  • 作者: 周益春 唐俊雄 唐明华 张俊杰 杨锋 郑学军
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  45-49
    摘要: 提出了一个全耗尽SOI MOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解.同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型....
  • 作者: 刘明 商立伟 姬濯宇 涂德钰 王丛舜 胡文平
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  50-54
    摘要: 采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜,并进行了红外、紫外光谱表征.利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件.研究发现,Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关...
  • 作者: 丁武昌 余金中 左玉华 张云 成步文 王启明 郭剑川
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  55-62
    摘要: 研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器.它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP(1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成.采用半矢量三维束传...
  • 作者: 吴洪江 王向玮 王绍东 高学邦 默立冬
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  63-68
    摘要: 提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术...
  • 作者: 叶以正 周志波 周童 喻明艳
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  69-74
    摘要: 提出了一种低功耗真随机数发生器,它基于简单的伯努利移位混沌映射,并通过对映射进行特殊扩展来保证在实际实现中保持鲁棒性.映射由开关电流技术实现,从而使其可以完全嵌入到片上密码系统中.采用流水线...
  • 作者: 刘珂 杨海钢
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  75-81
    摘要: 提出了一种适用于高速、单级低分辨率流水线结构ADC的全差分动态比较器.由于采用了电流源耦合和差分对输入结构,比较器的翻转阈值电压可以设计为任意值.与传统的比较器相比,该比较器较好地兼顾了面积...
  • 作者: 王志功 章丽 陈莹梅
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  88-92
    摘要: 用简单的鉴频鉴相器结构实现了一个快锁定低抖动的锁相环.鉴频鉴相器仅仅由两个异或门组成,它可以同时获得低抖动和快锁定的性能.锁相环中的电压控制振荡器由四级环形振荡器来实现,每级单元电路工作在相...
  • 作者: 刘丹 吉利久 赵宝瑛 陈中建 鲁文高
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  93-98
    摘要: 介绍了一种面向384×288 CMOS面阵性红外读出电路的低功耗设计.针对探测器的特点(输出阻抗约100kΩ,积分电流约100nA),新提出并实现了一种四像素共用BDI的QSBDI(Quad...
  • 作者: 刘超 吴利锋 吴靓臻 唐吉玉 孔蕴婷 文于华 李顺方 汤莉莉 赵传阵 陈俊芳
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  105-109
    摘要: 针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对...
  • 作者: 程佩红 黄仕华
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  110-115
    摘要: 采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布,并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性.C-V曲线上电容平...
  • 作者: 刘世荣 吴克跃 王海旭 秦朝建 秦水介 许丽 金峰 黄伟其
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  116-122
    摘要: 用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构,可以用激光与半导体相互作用产生的等离子体波模型来解释这些结构的形成机理.其中,在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的706nm波长的光...
  • 作者: 刘挺 周勋 廖秀英 杨晓波 王振 罗木昌 赵文伯 赵红 邹泽亚
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  128-132
    摘要: 利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结...
  • 作者: 冯良桓 张静全 曾广根 李卫 李愿杰 武莉莉 蔡亚平 郑家贵 雷智 黎兵
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  133-135
    摘要: 在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分...
  • 作者: 于欣 周均铭 张世林 梁惠来 毛陆虹 牛萍娟 王伟 王文新 郭维廉 陈宏 齐海涛
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  136-139
    摘要: 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0...
  • 作者: 吕银祥 季欣 徐伟 董元伟 郭鹏
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  140-143
    摘要: 研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性.器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜,中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin...
  • 作者: 吴春亚 孟志国 张芳 李阳 熊绍珍 王文 郭海成
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  144-148
    摘要: 介绍了溶液法金属诱导晶化的p型掺杂多晶硅薄膜(p+-poly-Si)的制备,并研究了它的电学特性和光学特性.由于p+-MIC poly-Si薄膜具有比较好的电学特性,且在红光区域具有比较高的...
  • 作者: 冉军学 冯春 杨翠柏 王保柱 王军喜 王新华 王晓亮 肖红领
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  153-156
    摘要: 通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,...
  • 作者: 唐洁影 宋竞 李明 黄庆安
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  157-162
    摘要: MEMS器件的封装效应显著而复杂,其中由贴片封装引起的结构热失配是封装效应的主要成因.论文在前期封装-器件耦合行为模型的基础上,利用激光多普勒测振仪实验验证了贴片工艺的热致封装效应对固支梁器...
  • 作者: 廖小平 董乔华 黄庆安 黄见秋
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  163-167
    摘要: 吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数,针对RF MEMS开关,详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压.对于执行电压是脉冲方式而言,开关梁受迫振动,不同于准静态方式,此时使开关发生吸合的执...
  • 作者: 史铁林 廖广兰 彭平 林晓辉 汤自荣 程文进
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  179-182
    摘要: 利用玻璃的透光特性和紫外固化的成熟技术,研究了一种使用紫外固化胶作为中间层的玻璃/硅室温键合工艺.通过选择一定波段的紫外固化胶,旋涂紫外胶后使用365nm光刻机作为紫外光源控制紫外固化,从而...
  • 作者: 幸研 易红 朱鹏 汤文成
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  183-188
    摘要: 探讨了Metropolis蒙特卡罗方法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀仿真算法.在台阶流动(step flow)模型上引入了腐蚀概率方程,确定了蒙特卡罗转移概率.通过对不同相位晶面(vicina...
  • 作者:
    发表期刊: 2008年1期
    页码:  191-192
    摘要:

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

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