半导体学报(英文版)期刊
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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  • 作者: 丁武昌 余金中 左玉华 徐学俊 成步文 王启明
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  201-205
    摘要: 基于龙格-库塔算法求解薛定谔方程,并对获得的数值结果进行分析得出精确的量子隧穿几率.通过适当的处理,该方法适用于任意势垒的情形.利用该方法计算了多种结构的隧穿几率,如抛物线型势垒及双势垒,获...
  • 作者: 庄惠照 李红 杨兆柱 秦丽霞 薛成山 陈金华
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  210-213
    摘要: 采用磁控溅射技术先在Si衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在950"C下流动的氨气中进行氨化反应制备GaN纳米棒.应用X射线衍射、扫描电镜、傅里叶红外吸收光谱、选区电子衍射和高分辨透射电子...
  • 作者: 吴虹 孙伟锋 时龙兴 易扬波 李海松
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  214-218
    摘要: 实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/SiO2表面的陷阱产生以及热电子的注入和俘获导致了高压pLE...
  • 作者: 孙玲玲 董林玺 钱忺 颜海霞
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  219-223
    摘要: 设计了一个新型的结构完全对称的双向MEMS电容式惯性传感器.该传感器主要由可动质量块、栅形条、支撑梁、连接梁、阻尼调整梳齿组成.设计的结构采用变电容面积的检测方式,在降低空气阻尼的同时也降低...
  • 作者: 张健 张海英 李志强 陈立强
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  224-228
    摘要: 采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种多模分频器.该多模分频器由一个除4或5的预分频器和一个除128~255多模分频器在同一芯片上连接而成;在电路设计中,分析了预分频器功耗和速度之间...
  • 作者: 张义门 张玉明 徐大庆 王悦湖 王超
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  240-243
    摘要: 借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺人的钒在4H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eVt处,其电子俘获截面分别为7.0 × 10-...
  • 作者: 刘必慰 郝跃 陈书明
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  244-250
    摘要: 使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转(multiple node upset,MNU)问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MB...
  • 作者: 李宁 李巍 李志升
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  251-255
    摘要: 设计了一种应用于MB-OFDM UWB射频频率综合器的工作于4.224GHz的正交压控振荡器(QVCO),并采用0.18μm RF-CMOS工艺进行了设计实现.该Qvco通过改进结构能够得到...
  • 作者: 杨华中 杨培 殷秀梅
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  256-261
    摘要: 介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.该调制器采用3阶单环单比特的结构,电路使用全差分开关电容结构实现,并在0.6μm 2P2M CMOS 工艺下...
  • 作者: 徐建 王志功 王蓉 管志强
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  262-268
    摘要: 采用CSMC 0.6μm 2P2M CMOS工艺设计并实现了0.5mV高灵敏度,72dB超宽动态范围的200Mbps CMOS限幅放大器.该电路详细分析和设计了一种新型的有源直流漂移消除环路...
  • 作者: 叶甜春 姚志健 莫太山 马成炎
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  269-274
    摘要: 提出了一种应用于流水线型模数转换器(ADC)的增益提高型套筒式全差分跨导放大器(OTA)的设计与分析方法.通过ADC的性能要求推导出OTA的设计指标.该设计中OTA的架构由主运放、增益辅助运...
  • 作者: 周锋 李舜 牛祺 陈华
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  275-280
    摘要: 提出了一种新型的适用于DC-DC变换器的混合式数字脉宽调制器.该脉宽调制器基于混合环路振荡器/计数器的结构.与已有的延迟线/计数器结构相比,由于该数字脉宽调制器采用了温度/工艺补偿技术和一种...
  • 作者: 叶强 李演明 来新泉 袁冰 陈富吉
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  281-287
    摘要: 为了防止亚谐波振荡以及提高系统的稳定性和带载能力,设计了一种伞区间分段线性斜坡补偿电路.与传统的设计方法相比,该电路在-40~85℃下提供的补偿信号在不同的占空比区间内具有不同的斜率,对三个...
  • 作者: 庄奕琪 庞则桂 李俊 李小明
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  293-297
    摘要: 介绍了一种为无源UHF RFID设计的高效高灵敏度电源产生电路.该电路基于0.18μm工艺,其中包含了两个电荷泵,一个参考电流源和一组偏置电路.由于其偏置电路消除了传统电路中的阈值损失和体效...
  • 作者: 徐建 汪鹏君 陆金刚 陈恳
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  298-303
    摘要: 针对n变量逻辑函数在不同极性下所对应REED-MULLER(RM)电路功耗和面积不问的特点,对信号几率传递算法、多输入XOR/AND(异或/与)门的低功耗分解算法和多成份极性转换算法进行了深...
  • 作者: 吕英波 宋淑梅 王爱芳 郑卫民 陶琳
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  310-314
    摘要: 从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱宽度从3nm...
  • 作者: 刘丽 张彤 漆奇 范会涛
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  319-323
    摘要: 用化学沉淀法制备了SnO2纳米材料,利用XRD和SEM对合成产物进行了表征.采用旁热式结构制成了以SnO2为基体材料,掺杂Sm2O3的气体传感器.通过元件对C2H2气敏特性的测试表明:Sm2...
  • 作者: 张文栋 毛海央 熊继军 薛晨阳
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  324-328
    摘要: 共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着廊力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RT...
  • 作者: 刘丹 刘新宇 刘键 和致经 李诚瞻 郑英奎 魏珂
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  329-333
    摘要: 提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN...
  • 作者: 吕红亮 张义门 张玉明 王悦湖 车勇
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  334-337
    摘要: 针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材料的温度特性分析了温度升高对器件特性的影响.分析了陷阱对...
  • 作者: 刘静 孙立伟 杨媛 高勇
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  338-343
    摘要: 提出了一种全新的器件结构--双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS...
  • 作者: 张波 成建兵 李肇基
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  344-347
    摘要: 提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBUL...
  • 作者: 亢宝位 吴郁 周文定 王浩 胡冬青
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  348-351
    摘要: 对新近提出的一种新结构的IGBT--内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件...
  • 作者: 冯倩 林若兵 王冲 郝跃 魏巍
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  352-355
    摘要: 空气桥是单片微波集成电路MMICs的一种高速互连技术,其目的是减少微波大功率器件单位而积的寄生电容,提高器件的频率特性.文中提出了一种灵活性很强,应用于微波和高温器件的空气桥定型方法.该方法...
  • 作者: 刘训春 张宗楠 王宇晨 郝明丽 黄清华
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  361-365
    摘要: 报道了一款自主设计并研制成功的UHF频段宽带大功率放大器,采用PCB工艺实现了基于LANGE耦合器的平衡放大结构.通过调整耦合端和直通端的谐振支路,在损耗与对称性之间折衷,LANGE耦合器的...
  • 作者: 杨华中 杨斌 殷秀梅 魏琦
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  366-370
    摘要: 介绍了一个应用于数字电视地面多媒体广播(DTMB)接收机的10-bit,40-MS/s流水线模数转换器(ADC),通过优化各级电容大小和运算放大器电流大小,在保证电路性能的同时降低了功耗.测...
  • 作者: 吴俊 徐建 王志功 王蓉 管志强
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  371-375
    摘要: 采用CSMC 0.6μm 2P2M CMOS工艺设计并实现了一种新型可用于智能光模块的可变阈值信号丢失(LOS)检测电路,电路利用光接收机中的限幅放大器组成准对数律接收信号强度指示电路.该指...
  • 作者: 刘晓晓 李海军 马光胜
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  376-380
    摘要: 分析独特的屏蔽方法及改进方法的不足,提出了逻辑层和算法层相结合抵御高阶差分功耗分析攻击的新方法,并给出芯片半定制设计流程.芯片关键部分电路采用自定义功耗恒定逻辑单元实现,非关键部分电路采用C...
  • 作者: 俞宏坤 吴顶和 沈萌 邵雪峰
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  381-386
    摘要: 为了研究电过应力对功率MOSFET可靠性的影响,分别对含有焊料空洞、栅极开路和芯片裂纹缺陷的器件进行失效分析与可靠性研究.利用有限元分析、电路模拟及町靠性加速实验,确定了器件发生EOS失效的...
  • 作者:
    发表期刊: 2008年2期
    页码:  395-396
    摘要:

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

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