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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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151. 超微粒SnO2薄膜元件气敏特性研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO2超微粒薄膜,借集成电路技术制成气敏元件,并用RQ-1型气敏特性测试仪在动态配气系统中测试其气敏特性.结果表明:烧结体SnO2元件的气敏效应出现在3...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： Sb2O3掺入量(均为质量分数)<1.9%时,晶体结构为纯钙钛矿相,平均晶粒尺寸随掺入量增大由17μm减小至2μm,压电活性逐渐增强;Sb2O3掺入量>1.9%时,为钙钛矿与焦绿石两相复合结...
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153. 0-3型压电复合材料切向极化圆柱形水听器刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 利用0-3型PZT/P(VDF-TFE)压电复合材料设计制作了切向极化圆柱形水听器,并对水听器的灵敏度进行了理论分析,通过对样机的测试,灵敏度与理论计算值接近.理论研究和实验结果表明,使用0...
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154. 纳米Al2O3对PTC材料性能的影响刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 将纳米Al2O3引入半导化钛酸钡的材料中,着重研究了纳米Al2O3对其烧成温度、材料性能以及显微结构的影响.实验表明,与普通Al2O3相比,纳米Al2O3能显著提高PTC陶瓷的性能:温度系数...
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155. 编读通信刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要：
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156. 温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3 h,把前后样品...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度.借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响.发现烧结温度...
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158. 磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响.结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 采用气泡最大压力法对Sn-9Zn-XBi焊料进行了表面张力测试,用平衡法测试焊料的润湿性.结果表明:Bi的添加大大降低了Sn-Zn系焊料熔体的表面张力;然而焊料暴露在空气环境下1 min后,...
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160. 铝电解电容器阳极氧化铝膜的耐水合处理刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 分析了氧化铝的水合作用机理、不同pH介质溶液中氧化铝的表面性能以及阳极氧化形成过程中水合氧化物的生成.结果表明:耐水合剂与氧化铝表面作用应形成一定的特征,才能起到很好的耐水合作用,不同类型的...
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161. 微接触印刷术--制备纳米器件的新技术刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 介绍了纳米结构制作的一种新方法--微接触印刷术的工艺流程和关键技术,并简要分析了影响微印刷技术的几个因素.它克服了传统光刻技术的缺陷,能在金、银、硅片等多种基材上制作平面和曲面上的纳米–微米...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 研究了铜电极端浆以及不同的烧端工艺对MLCC耐焊接热的影响.结果表明:选择粒径小且均匀的片状铜粉,可提高MLCC端头的致密性,提升其耐焊接热能力;选用Zn-B-Si作为玻璃体系,对片容的耐焊...
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163. 铝电解电容器开路和假性短路现象分析与改进刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年8期页码:摘要： 导针型铝电解电容器的开路现象主要是因为裂箔、钉接不良、钉接花瓣小、正箔表面箔灰厚及原箔腐蚀太深而造成.假性短路的现象主要是跑片、抽芯、钉花毛刺、导针毛刺、铝箔边缘毛刺、芯子高低脚等原因而造成...
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164. 弛豫铁电陶瓷最佳退火条件的正交试验法刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 采用正交试验法,通过计算水平均值和极差,运用直观分析来确定因素的最佳水平组合和因素的主次顺序,寻求退火的最佳实验条件. 根据最小二乘法原理,给出了测量数据真值的最佳估计值.采用正交试验法获得...
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165. 中温制备钛酸钕钙-钛酸钕锂系高介微波陶瓷刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 将温度系数相反的钛酸钕钙(CNT)和钛酸钕锂(LNT)进行复合,中温下(1 200℃)烧结获得了εr＞100的CNT-LNT微波介质陶瓷.该陶瓷为斜方结构的CaTiO3基固溶体单相.介电常数...
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166. 综合信息刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 用sol-gel方法在LaNiO3包覆的Si衬底上制备了(010)择优取向的BiFeO3以及Bi0.95La0.05FeO3薄膜,XRD分析结果表明,通过La的掺杂BiFeO3的择优取向度由...
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168. 镧掺杂钛酸铋钠钾系无铅压电陶瓷的制备工艺刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 利用XRD、SEM等技术分析方法,研究了工艺条件对[(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18]1-xLaxTiO3(x=0 ～ 0.1)无铅压电陶瓷的物相组成、显微结构...
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169. 片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电...
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170. 单纯形法在电解液配方优化中的应用刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 为了减少工作电解液的配方试验工作量,利用单纯形法对高含水率(48%,质量分数)电解液进行试验设计.选择己二酸(A)、磷酸二氢铵(B)、水合抑制剂(C)和吸氢剂(D)等四种溶质为考察因素,采用...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 以镍盐、四氯化锡及NaOH为原料,在常温条件下采用固–固相化学反应法制备钙钛矿型复合氧化物NiSnO3粉体.并用X射线粉末衍射(XRD),透射电镜(TEM)等对其进行表征.结果表明:产物基本...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 采用柠檬酸sol-gel法制备了不同掺杂量的Y2O3-Fe2O3(w(Y2O3)=0～7%)纳米粉体材料,并用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,并进行了气敏性能测试.研究...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 通过对烧端工艺中不同烧端温度以及保温时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器限制电压比的影响.结果表明:当烧端温度为850℃,保温时间15 min时,产品的限制电压比最小.
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174. 高磁导率800材料的研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 高磁导率800铁氧体是制作高感量叠层片式电感器的关键材料,以NiCuZn体系为基础,通过选取缺铁量配方,调节n(Ni)∶n(Zn)及添加适量CuO、Bi203等方法,研制出了结构致密、晶粒大...
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175. 智能微尘刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要：
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176. 锑掺杂二氧化钛的制备及其可见光催化性能刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 用草酸氧钛酸分解法制备了锑掺杂的二氧化钛光催化剂粉体.用XRD和TEM测定了样品的晶型、粒度等表征参数.结果表明:所制备的掺杂TiO2光催化剂为金红石型TiO2和锐钛矿型TiO2的混晶,颗粒...
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177. SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 在CH4,H2,SiH4混合气体中用热丝化学气相沉积(HFCVD)法生长SiC薄膜.利用XRD、原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌和晶体结构进行测试分析,结果表明,薄膜的确是SiC...
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178. ITO薄膜的制备及其光电特性研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜.研究ITO透明导电膜其膜厚、靶材、溅射气压和溅射速率等工艺对光电特性的影响.结果表明,采用陶瓷靶镀膜要比合金靶效果...
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179. 压电陶瓷微进给机构直流高压电源研制刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 针对压电陶瓷微进给机构所需,使用了较少的元器件,设计与制作了连续可调的直流高压电源0～530 V.电路设计的核心部分由两个直接耦合的高耐压三极管组成放大电路.分别做了开环与闭环的实验,进行了...
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180. AlN基板表面处理对薄膜附着力的影响刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2005年9期页码:摘要： 用扫描电镜和X射线能谱分析仪研究高温氧化及薄膜工艺过程中主要溶液对氮化铝陶瓷(AlN)基板的影响.结果表明:高温氧化使表面氧含量增加,在1 000℃氧化2 h,表面已形成致密的氧化层.碱性溶...
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
电子元件与材料统计分析
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