GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析

• 作者: 庄宝煌 朱梓忠 李开航 黄美纯
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 联栅晶体管 基区穿通电压 兼容性
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 190-194
• 页数: 5页
• 分类号: TN323.4
• 字数: 2299字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2000.02.009

摘要

通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄宝煌	厦门大学物理学系	8	13	2.0	3.0
2	黄美纯	厦门大学物理学系	35	129	7.0	8.0
3	朱梓忠	厦门大学物理学系	50	186	7.0	10.0
4	李开航	厦门大学物理学系	31	74	5.0	6.0