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摘要:
报告了一个两级C-波段功率单片电路的设计、制作和性能,该单片电路包括完全的输入端和级间匹配,输出端的匹配在芯片外实现,该放大器在5.2~5.8GHz带内连续波工作,输出功率大于36.6dBm,功率增益大于18.6dB,功率附加效率34%,4芯片合成的功率放大器在4.7~5.3GHz带内,输出功率大于42.8dBm(19.0W),功率增益大于18.8dB,典型的功率附加效率为34%。
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文献信息
篇名 19WC-波段MMIC多芯片合成功率放大器
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科 工学
关键词 C-波段 微波单片集成电路 多芯片合成 功率放大器
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 5-9
页数 5页 分类号 TN72
字数 2483字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈堂胜 56 225 8.0 12.0
2 李拂晓 60 352 10.0 14.0
3 陈效建 40 253 9.0 14.0
4 沈亚 9 37 4.0 5.0
传播情况
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引文网络
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参考文献  (0)
节点文献
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2001(0)
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2010(1)
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2012(1)
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  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
C-波段
微波单片集成电路
多芯片合成
功率放大器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
论文1v1指导