作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,分析比较了近十年来10种实用的具有新结构的功率MOS器件的结构与性能特点。
推荐文章
功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟
功率MOS器件
单粒子栅穿
PSPICE电路模拟
MOS器件中的边界陷阱
边界陷阱
缺陷结构
DTBT
MOS器件的ESD失效
金属氧化物半导体器件
静电放电模型
静电防护
新型功率半导体器件-IGCT性能研究
晶闸管
可关断晶闸管
集成门极换向型晶闸管
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 新型功率MOS器件的结构与性能特点
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 电力电子器件 绝缘栅双极晶体管 功率MOSFET
年,卷(期) 2001,(7) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 27-30,36
页数 5页 分类号 TN323+.4
字数 1649字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.07.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 华伟 14 295 6.0 14.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2001(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
电力电子器件
绝缘栅双极晶体管
功率MOSFET
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
论文1v1指导