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新型功率MOS器件的结构与性能特点
新型功率MOS器件的结构与性能特点
作者:
华伟
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电力电子器件
绝缘栅双极晶体管
功率MOSFET
摘要:
电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,分析比较了近十年来10种实用的具有新结构的功率MOS器件的结构与性能特点。
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内容分析
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文献信息
篇名
新型功率MOS器件的结构与性能特点
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
电力电子器件
绝缘栅双极晶体管
功率MOSFET
年,卷(期)
2001,(7)
所属期刊栏目
综述
研究方向
页码范围
27-30,36
页数
5页
分类号
TN323+.4
字数
1649字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353X.2001.07.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
华伟
14
295
6.0
14.0
传播情况
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2001(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
电力电子器件
绝缘栅双极晶体管
功率MOSFET
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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