集成电路多层铜布线阻挡层CMP技术与材料

• 作者: 刘玉岭 周建伟 李薇薇 檀柏梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 阻挡层 钽 化学机械抛光 抛光浆料
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(铜互连技术)
• 页码范围: 334-336,345
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.05.004

摘要

以化学机械全局平面化(CMP)动力学过程和机理为基础,在抛光浆料中采用粒径为15～20nm的硅溶胶作为CMP磨料,保证了高的抛光速率(200nm/min),同时可有效降低表面粗糙度,减少损伤层的厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	李薇薇	河北工业大学微电子研究所	27	172	8.0	10.0
4	周建伟	河北工业大学微电子研究所	40	197	8.0	11.0