X波段AlGaN/GaN HEMTs厂栅场板结构研究

• 作者: 刘丹 刘新宇 刘果果 李诚瞻 王冬冬
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaNHEMTs г栅场板 截止频率 功率密度
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进器件制备技术)
• 页码范围: 850-854,922
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1610字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.002

摘要

基于SiC衬底成功研制X波段0.25um栅长带有г栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了г栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响.结果表明,г栅场板结构减小器件截止频率及振荡频率,但明显改善器件膝点电压和输出功率密度.针对场板长度分别为0.4、0.7、0.9、1.1 um,得出一定范围内增加场板长度,器件输出功率大幅度提高,并结合器件小信号模型提参结果分析原因.在频率8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度0.9um的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相应线性增益10.25 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	刘丹	中国科学院微电子研究所	52	328	10.0	15.0
3	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
4	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0
5	王冬冬	中国科学院微电子研究所	7	11	2.0	3.0