500 V耗尽型NLDMOS器件研究

• 作者: 孙伟锋 李海松 李维聪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 耗尽型 高压LDMOS 线性漂移区
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 772-775
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.010

摘要

基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法.分析了沟道注入工艺对器件阈值电压和表面电场分布的影响,综合利用RESURF技术和线性漂移区技术,改善耗尽型NLDMOS的表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压.在漂移区长度L≤50μm下,器件击穿电压达到600 V以上,可以应用于LED驱动芯片整流器电路等各种高压功率集成电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李海松	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	13	75	4.0	8.0
2	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
3	李维聪	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0