MnxGe1-x薄膜结构磁性和输运特性的研究

• 作者: 乔双 刘永利 刘清华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 磁畴 电阻率 磁性与输运性质
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 131-134
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.007

摘要

用磁控溅射法制备了Mnx Ge1-x(x=0.05、0.07、0.11、0.15、0.19、0.23、0.26、0.29)系列薄膜样品.X射线衍射(XRD) 表明所有样品为Ge立方体结构,没有发现第二相存在.晶格常数随Mn摩尔浓度增加而增加,符合Vegard定律.磁力显微镜(MFM)测量表明没有明显的磁畴结构出现,原子力显微镜(AFM)测量表明样品表面颗粒均匀并且呈圆柱状生长.X射线光电谱测量表明Mn原子并不是处于单一的正二价态.电子输运特性测量表明室温电阻率随Mn摩尔浓度增加而增加,Mn原子处于深的受主态,电阻率随温度增加而减小,样品仍表现为典型的半导体特性.物理性质测量仪测量表明样品的铁磁性是固有的长程有序的,通过s、p-d载流子的交换耦合来实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘永利	河北邢台学院物理系	2	7	1.0	2.0
2	刘清华	河北邢台学院物理系	2	2	1.0	1.0
3	乔双	河北师范大学物理科学与信息工程学院	1	0	0.0	0.0