高效率X波段GaN MMIC功率放大器的研制

• 作者: 付兴昌 倪涛 崔玉兴 王民娟 蔡树军 马杰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 器件模型 氮化镓 X波段 单片微波集成电路
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 513-516
• 分类号: TN43|TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.07.004

摘要

突破了GaN MMIC功率放大器的设计、制造、测试等关键技术,研制成功X波段GaN MMIC功率放大器.设计及优化了电路拓扑结构及电路参数,放大器芯片采用了国产外延材料及标准芯片制作工艺.单片功率放大器包含两级放大电路,采用了功率分配及合成匹配电路,输入输出阻抗均为50 Ω.制作了微波测试载体及夹具,最终实现了X波段GaN MMIC功率放大器微波参数测试.在8.7～10.9GHz频率范围内,该功率放大器输出功率大于16W,功率增益大于14dB,增益波动小于0.4dB,输入驻波比小于2∶1,功率附加效率大于40％,带内效率最高达52％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
2	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
3	王民娟	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	20	2.0	2.0
4	马杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	23	3.0	4.0
5	倪涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	18	2.0	4.0
6	蔡树军		18	62	4.0	7.0