键合互连对微波多芯片组件相位特性的影响

• 作者: 杜丽军
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 键合互连 微波多芯片组件 相位 功率合成 仿真 MMIC
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 1268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.07.014

摘要

对键合互连对微波多芯片组件的相位特性影响进行了理论分析,并通过仿真软件HFSS对金丝键合互连模型进行了仿真.给出了在8～18 GHz的频率范围内,由于金丝拱高和跨距装配误差带来的相位误差.仿真分析表明,当金丝跨距在0.4～0.8 mm范围内波动时,最大相位差值在11 GHz以上时会超过20°,而当拱高在0.1～0.4 mm范围内波动时,最大相位差值在10 GHz以上时会超过20°,在13 GHz以上频率会超过30°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜丽军	中国电子科技集团公司第三十八研究所	4	14	2.0	3.0