GaN基HEMT器件的优化设计

• 作者: 冯嘉鹏 姚奕洋 孙渤 段磊 赵红东 郭正泽 陈洁萌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件参数 性能 场板 自热效应
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 817-821
• 分类号: TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.004

摘要

针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能.通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响.结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度.为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考.