DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布

• 作者: 刘刚 刘魁勇 曾传滨 罗家俊 赵洪利 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 直流电流电压(DCIV) 金属氧化物半导体/绝缘体上硅(MOS/SOI) 有效界面陷阱面密度 最小二乘拟合 U型分布
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 63-67
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.013

摘要

基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图.分别对部分耗尽的nMOS/SOI和pMOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图.结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109 cm-2·eV-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011 cm-2·eV-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
3	曾传滨	中国科学院微电子研究所	12	34	4.0	5.0
4	刘魁勇	辽宁大学物理学院	9	9	2.0	2.0
5	罗家俊	中国科学院微电子研究所	28	56	5.0	5.0
6	赵洪利	中国科学院微电子研究所	3	8	2.0	2.0