生长单晶用SiC粉料合成工艺研究进展

• 作者: 徐伟 李斌 王英民 马康夫
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 生长单晶 粉料 合成
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 综 述
• 页码范围: 128-134
• 页数: 7页
• 分类号: TQ031.2|O722.4
• 字数: 3314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2016.03.002

摘要

SiC以其优异的物理化学性能在很多领域都有着广泛的应用前景，做为第三代半导体材料，SiC单晶是制作高频、大功率电子器件的理想材料。针对用于单晶生长的高纯SiC粉料的合成方法与合成工艺的研究现状进行了阐述，并对不同合成方法优缺点进行了评述，不同合成工艺对合成产物的影响进行了总结，提出了生长单晶用SiC粉料的研究方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
2	徐伟	中国电子科技集团公司第二研究所	50	146	6.0	9.0
3	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
4	马康夫	中国电子科技集团公司第二研究所	3	8	2.0	2.0