热丝CVD法沉积超薄α-Si∶H钝化膜

• 作者: 周浪 周耐根 孙喜莲 岳之浩 王涛 田罡煜 袁吉仁 高超 黄海宾
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热丝化学气相沉积(HWCVD) 介电常数 非晶硅(α-Si∶H)薄膜 钝化 带有本征薄层的异质结(HIT)
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 376-381,386
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.05.010

摘要

采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜.利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响.结果表明,热丝电流为21.5～23.5 A时,钝化后硅片的少子寿命随着热丝电流的增加呈现先增加后降低的趋势,热丝电流为23.0A时,钝化效果最好;H2体积流量为5～ 20 cm3/min时,少子寿命随着H2体积流量的增加呈现先增加后降低的规律,体积流量为15 cm3/min时,钝化效果最好;热丝与衬底间距为4～5 cm时,随着间距的增加,薄膜的结构由晶化向非晶化转变,在间距为4.5 cm时硅片的钝化效果达到最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周耐根	南昌大学光伏研究院	34	179	7.0	12.0
2	周浪	南昌大学光伏研究院	110	1018	16.0	26.0
3	王涛	南昌大学光伏研究院	22	56	4.0	7.0
4	袁吉仁	南昌大学光伏研究院	24	74	5.0	7.0
5	黄海宾	南昌大学光伏研究院	15	40	4.0	6.0
6	田罡煜	南昌大学光伏研究院	4	4	2.0	2.0
7	高超	南昌大学光伏研究院	14	10	2.0	2.0
8	岳之浩	南昌大学光伏研究院	4	8	2.0	2.0
9	孙喜莲	南昌大学光伏研究院	6	3	1.0	1.0