不同脉冲工作条件对GaN HEMT器件结温的影响

• 作者: 乔玉娥 刘霞美 梁法国 翟玉卫 郑世棋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 结温 显微红外热像仪 脉冲工作条件 占空比
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 471-476
• 页数: 6页
• 分类号: TN386|TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.013

摘要

研究了不同脉冲工作条件对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结温的影响,通过改变脉冲信号发生器的输出频率和占空比来改变器件的工作条件,利用具备高空间分辨率的显微红外热像仪进行瞬态结温测试.结果 表明:器件工作在给定的平均功率下,可以通过提高脉冲信号占空比和频率来改善器件的寿命和性能可靠性;工作在给定的峰值功率下,可以通过降低脉冲占空比和提高脉冲频率来改善器件的寿命和性能可靠性.沟道温度影响着半导体器件的寿命,因此,可以在器件能够承受的范围内通过改变脉冲占空比和脉冲频率来改善器件的寿命和性能可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔玉娥	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	27	3.0	4.0
2	梁法国	中国电子科技集团公司第十三研究所	54	104	5.0	7.0
3	郑世棋	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	25	3.0	3.0
4	翟玉卫	中国电子科技集团公司第十三研究所	32	64	4.0	6.0
5	刘霞美	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	15	3.0	3.0