SOI MOSFET自加热效应测试方法

• 作者: 王娟娟 曾传滨 李江江 倪涛 李晓静 李多力 罗家俊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超快脉冲测试方法 自加热效应 绝缘体上硅(SOI) MOSFET 温度分布
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 164-168
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.02.012

摘要

为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80 μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲I-V测试方法.将被测器件栅漏短接、源体短接后串联接入超快脉冲测试系统,根据示波器在源端采集的电压脉冲的幅值计算漏电流受自加热影响的动态变化过程.选取体硅NMOSFET和SOI NMOSFET进行验证测试,并对被测器件的温度分布进行仿真,证实该方法用于自加热效应的测试是准确有效的,能为建立准确的器件模型提供数据支撑.采用该方法对2 μm SOI工艺不同宽长比的NMOSFET进行测试,结果表明栅宽相同的器件,栅长越短,自加热现象越明显.