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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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  • 241. 《半导体技术》征稿启示
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  885
    摘要：
  • 242. 超高频RFID标签的数字电路设计
    作者： 刘红侠 吴洪江 廖斌 苑少娜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  886-890
    摘要： 在研究读写器和射频标签通信过程的基础上,结合EPC C1G2协议以及ISO/IEC18000-6协议,采用VHDL语言设计出一种应用于超高频段的射频标签数字电路.对电路的系统结构和模块具体实...
  • 243. TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM的自测试设计
    作者： 李博 王继红 魏廷存
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  891-893,903
    摘要： 针对单片集成TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM的特点,提出了一种将内建自测试与机台测试相结合的SRAM测试方案.测试向量由机台提供,测试过程中启动内部自测试电路.在SRAM的读出寄存器和...
  • 244. 基于事务的RVM随机向量产生器在SOC验证中的应用
    作者： 万超 申敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  894-898
    摘要： 在搭建层次化验证平台时,产生器是一个重要的模块,它能否根据需要产生随机向量直接关系到测试平台的可靠性.传统的激励产生方法由于是用人工生成的,效率低且性能也不令人满意,已经不能满足当前大规模芯...
  • 245. 基于像素分布特性的IC晶片视觉检测方法
    作者： 伍冯洁 吴黎明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  899-903
    摘要： IC晶片制造过程存在多种致命缺陷,致使芯片失效,导致成品率下降.冗余物缺陷是影响IC晶片成品率下降的重要原因,主要造成电路短路错误.针对冗余物缺陷对版图的影响,提出了一种简单可行的缺陷视觉检...
  • 246. SOC设计的软硬件协同验证研究
    作者： 庄钊文 张亮 李建成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  904-908
    摘要： 软硬件协同验证是SOC的核心技术.通过分析SOC验证方法与软硬件协同验证技术,提出C与平台相合的协同验证方法.该方法是在系统级用SystemC确定SOC系统的体系框架、存储量大小、接口IO与...
  • 247. 基于多孔氧化铝模板的一维ZnO纳米线的制备
    作者： 刘慧 张利宁 潘志峰 袁一方
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  909-912
    摘要： 多孔氧化铝由于具有纳米级的孔径、尺寸可调等独特的优点,成为合成纳米材料的一种常用模板.以多孔氧化铝为模板,制备出了纳米量级的纤维、纳米棒、金属管、半导体等新型材料.制备出了优良的多孔氧化铝有...
  • 248. 单芯片加速度计陀螺仪结构设计与分析
    作者： 刘俊 石云波 马宗敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  913-917
    摘要： 提出了一种单质量块单轴集成加速度计陀螺仪(AG)结构,并利用力学、电磁学等原理对该结构进行了结构的设计与分析;同时运用计算机辅助软件对其进行了建模和仿真;依据所提指标,确定了加速度计陀螺仪各...
  • 249. 飞思卡尔三轴加速计产品激发创新应用思考
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  918-919
    摘要：
  • 250. 中软译星技术创新开发嵌入式应用
    作者： 张伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  920
    摘要：
  • 251. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年10期
    页码:  921-922
    摘要：
  • 252. 亚65 nm及以下节点的光刻技术
    作者： 徐晓东 汪辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  921-925
    摘要： 由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术.配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍...
  • 253. 用于倒装芯片的金球凸点制作技术
    作者： 吴燕红 唐世弋 杨恒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  926-928
    摘要： 倒装芯片中凸点用于实现芯片和基板的电路互连,芯片凸点的制作是倒装芯片技术的关键技术之一.对金球凸点制作进行了介绍.金球凸点直接粘附于芯片上,同时又可具有电路互连的作用,可以完成倒装芯片与基板...
  • 254. 《微纳电子技术》第二届理事会年会在上海召开/美研发出纳米太阳能电池粗细仅为头发两万分之一/中国第一届微纳电子技术行业交流大会在上海成功召开
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  928,943,956
    摘要：
  • 255. IMC生长对无铅焊球可靠性的影响
    作者： 华彤 沈萌 王珺 邵丙铣
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  929-932
    摘要： 通过模拟及实验研究了IMC层及其生长对无铅焊点可靠性的影响.采用回流焊将无铅焊球(Sn3.5Ag0.7Cu)焊接到PCB板的铜焊盘上,通过-55～125℃的热循环实验,获得了IMC厚度经不同...
  • 256. 贴片焊层厚度对功率器件热可靠性影响的研究
    作者： 何伦文 张卫 汪礼康 章蕾 郭好文
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  933-936
    摘要： 贴片工艺是用粘接剂将芯片贴装到金属引线框架(一般是由铜制成)上的过程.富铅的Pb/Sn/Ag软焊料在功率器件封装贴片工艺中作为粘接剂应用十分广泛.从功率器件整体来看,贴片焊层毫无疑问是影响器...
  • 257. 湿法清洗制程优化对焊盘表面再结晶缺陷抑制
    作者： 杨洪春 钱洪涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  937-939
    摘要： 芯片焊盘上的再结晶缺陷是引起半导体后段封测工艺中键合失效的主要原因之一.国际上已经对这一缺陷的形成有了一定的理论分析,也提出了可以通过湿法清洗来去除此缺陷.在此基础上,通过对湿法清洗这一制程...
  • 258. S波段10 W SiC MESFET的研制
    作者： 冯震 李亮 杨霏 潘宏菽 蔡树军 陈昊 霍玉柱 齐国虎
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  940-943
    摘要： 采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作...
  • 259. 体内注入TrenchMOS模型研究
    作者： 孙伟锋 戈喆 李海松 王钦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  944-947
    摘要： 围绕TrenchMOS的击穿电压BVds、特征导通电阻Ron和栅漏电荷Qgd这三个最重要的特性指标,对TrenchMOS进行分析和改进,提出了体内注入TrenchMOS的概念.体内注入结构巧...
  • 260. 基于OLED灰度显示的新方法
    作者： 李洪芹
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  948-950
    摘要： 介绍了有机发光二极管(OLED)技术特点、彩色实现方式和驱动方式.针对OLED灰度显示,介绍了实现灰度显示的两种常用方法即脉宽调制和帧灰度调制,并分析了各自的特点.在此基础上,尝试了一种新的...
  • 261. 功率MOSFET并联驱动特性分析
    作者： 徐鸣谦 米智楠 钱敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  951-956
    摘要： 并联MOSFET非常适合于在低电压、大电流下工作.基于IRFS4227PBF功率MOSFET,分析和测试了在一定散热环境下MOSFET结温的收敛特性与漏极电流的关系,说明了MOSFET的实际...
  • 262. 抛光垫表面特性分析
    作者： 傅宇 张学良 杜家熙 苏建修 郭东明 陈锡渠
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  957-960
    摘要： 研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光(CMP)材料的去除机理及优化抛光垫的微观结构.使用ZYGO 5022轮廓仪、SEM等仪器研究了IC1000/SubaIV平抛光垫表面粗糙度...
  • 263. 掺Si补偿Cu高阻n-GaAs单晶
    作者： 于洪国 张海涛 武壮文 袁泽海 赵静敏 郑安生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  961-963,987
    摘要： 用水平布里奇曼法(HB法)研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶.既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量(包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10-5,Si的质量分...
  • 264. VB GaAs抛光片几何参数控制技术研究
    作者： 刘玉岭 吕菲 李保军 杨洪星 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  964-966
    摘要： 在VB(垂直布里奇曼法)GaAs材料加工过程中,切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序对VB GaAs抛光片的几何参数有着不同程度的影响.通过试验对比,找出了影响不同几何参数指标的关键工艺,其中切...
  • 265. 锗单晶片的碱性腐蚀特性分析
    作者： 于妍 刘春香 吕菲 杨洪星 赵权 赵秀玲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  967-969
    摘要： 讨论了锗单晶研磨片在强碱性腐蚀液和弱碱性腐蚀液中的腐蚀特性.研究了锗单晶片在两种不同腐蚀液中的腐蚀速率随腐蚀液温度、浓度的变化规律.通过探索腐蚀速率、表面光洁度及腐蚀去除量和表面粗糙度的关系...
  • 266. 低压低功耗CMOS电流运算放大器的设计
    作者： 彭建华 杜广涛 梁恒 王红燕 陈向东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  970-974
    摘要： 设计了一种新型CMOS电流反馈运算放大器结构,通过在输出端采用电阻反馈,增强负载能力,利用MOS管实现串联电阻以消除补偿电容带来的低频零点.使用0.5 μm CMOS工艺参数,PSPICE模...
  • 267. 升压型同步整流功率MOSFET的分析及电路仿真
    作者： 冯全源 赵婉婉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  975-979
    摘要： 同步整流技术已成为目前提升开关电源芯片转换效率的有效手段.以采用UMC 0.6μm BiCMOS工艺制造的升压转换器为例,基于功率MOS管工作机理,对不同的负载情况和工作模式分别加以分析和模...
  • 268. AC/DC开关电源中温度补偿电流源的设计
    作者： 应建华 张姣阳 方超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  980-983
    摘要： 提出了一种新型电流叠加型温度补偿技术,设计出用于AC/DC开关电源芯片的温度补偿电流源.在传统正负温度系数电流叠加的基础上,通过增加一条电流支路,对温度特性进行优化,使用简单的结构得到了很好...
  • 269. 高电源抑制比带隙基准电压源的设计
    作者： 易峰 曾健平 田涛 邹韦华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  984-987
    摘要： 提出一种采用0.25 μm CMOS工艺的低功耗、高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源(BGR)设计.设计中,采用了共源共栅电流镜结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,并...
  • 270. 2.4 GHz低相位误差低相位噪声CMOS QVCO设计
    作者： 吕志强 来逢昌 高慧
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年11期
    页码:  988-991
    摘要： 提出了一种新型的适用于锁相环频率合成器的正交压控振荡器(QVCO)结构,分析了QVCO的工作原理及其相位噪声性能.ADS仿真结果表明,电路工作在2.4 GHz、偏离中心频率600 kHz的情...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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