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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 有机无线射频识别技术的研究进展
    作者： 张福俊 徐征 王赟 田雪雁 袁广才 赵谡玲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  277-280
    摘要： 介绍了有机无线射频识别(RFID)标签的工作及制备技术原理.为了解决RFID标签的高成本一直制约RFID技术普及的问题,提出了采用有机半导体进行RFID标签制备的方案,分析了有机RFID标签...
  • 2. 提高大功率LED散热和出光封装材料的研究
    作者： 张建华 李清华 殷录桥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  281-285
    摘要： 阐述了LED封装材料对大功率LED散热和出先的影响及大功率LED的发展趋势.指出目前大功率LED研究的瓶颈是如何提高散热和出光以及封装互连材料在提高大功率LED散热.和出光方面所具有的重要影...
  • 3. 光调制器综述
    作者： 张世林 张彬 毛陆虹 郭维廉 陈燕
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  286-288,315
    摘要： 在光纤通信中,光调制器光信号调制发挥着不可替代的作用.介绍了光调制器的发展历程争最新进展,详细分析了不同种类的Si基光调制器的工作原理.与化合物材料光调制器进行了对比,指出最新技术利用Si作...
  • 4. 砂轮粒径对300 mm Si片双面磨削影响的研究
    作者： 冯泉林 库黎明 张国栋 盛方毓 索思卓 葛钟 闫志瑞 陈海滨
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  289-291
    摘要： 在直径300mmSi片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度.通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨...
  • 5. 硬脆性材料线切割切削液的组成和发展
    作者： 刘兆滨 孙艳芝 宋恩军 富扬 边玉强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  292-295
    摘要： 综述了国内外太阳能光伏产业及半导体等高精端电子产业中硬脆性材料线切削液的发展、分类和应用.归纳总结了国内外近年来切削液的使用量,对2008年的市场需求进行了预测,重点分析综述了国内外水性切削...
  • 6. MEMS划片技术的现状与技术革新
    作者： 范亚飞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  296-299
    摘要： MEMS独特的结构和特性,给划片工艺带来了巨大的挑战.介绍了传统砂轮划片技术在MEMS芯片生产中的局限性,指出了隐形激光划片技术的优越性,综述了激光划片技术在MEMS划片中的应用,对几种较成...
  • 7. 半导体芯片切割加工品质的评价方法
    作者： 小森雅晴 广恒辉夫 方素平 梅雪松 植山知树 赵宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  300-303
    摘要： 在对日本一些著名半导体生产企业实际生产中所用的质量控制方法和企业生产规范进行认真分析的基础上,提出了一组具有代表性的主要检测项目和相应的检测方法.设计了一组芯片切割实验方案并进行了切割实验,...
  • 8. 机械振动对直拉法Si单晶生长的影响
    作者： 庄力 李巨晓
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  304-307
    摘要： 机械振动是直拉法单晶生长过程中不可避免的因素,影响单晶的正常生长.从生长机理方面看,传递到熔体的振动会引起熔体内对流的变化,对固-液界面的稳定性造成干扰,从而影响单晶的品质和无位错生长;从操...
  • 9. Ge单晶抛光片清洗技术研究
    作者： 刘春香 李响 杨洪星 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  308-310
    摘要： Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐照能力,在红外光学、航天领域具有极大的应用潜力.通过对Ge单晶抛光片清洗技术进行研究,有效提高了Ge抛光片的表面质量,降低了Ge抛光片的表面颗粒度,控制...
  • 10. 高效率808 nm激光器的数值模拟研究
    作者： 彭海涛 杨红伟 赵懿昊 赵润 陈国鹰 陈宏泰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  311-315
    摘要： 分析了提高激光器电光转换效率的几种途径,认为降低激光器工作电压、串联电阻和阈值电流可以提高激光器转换效率.分别对Ga0.5InP和AlxGaAs对称波导激光器进行了模拟,结果表明,AlxGa...
  • 11. 高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化
    作者： 李文军 杨华岳 王俊 董业民 邵丽 邹欣
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  316-319
    摘要： 利用0.15 μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管.观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰.实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有...
  • 12. 功率型白光LED平面涂层技术研究
    作者： 侯斌 李君飞 申发华 胡玥 饶海波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  320-323
    摘要： 基于水溶性感光胶的白光LED表面涂层技术,阐述了含有荧光粉感光胶悬浮液的配比和封装结构对白光LED出光效率的影响,提出了相应的改进措施,通过实验证实提高了白光LED器件的整体性能.同时,对利...
  • 13. 柠檬酸溶胶-凝胶法制备非晶YBCO薄膜
    作者： 刘黎明 杨培志 杨明珠
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  324-327
    摘要： 采用柠檬酸溶胶-凝胶法(Pechini工艺)制备了钇钡铜氧(YBCO)溶胶,在SiO2/Si(110)衬底上生长了非晶YBCO薄膜.通过差热-热重分析得到了非晶YBCO薄膜的热处理务件.讨论...
  • 14. 平面型RTD制作过程中的两个关键工艺
    作者： 于欣 张世林 梁惠来 牛萍娟 王伟 郭维廉 陈乃金
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  328-332
    摘要： 采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温...
  • 15. 射频E类功率放大器并联电容技术研究
    作者： 何莉剑 张万荣 李佳 沈珮 甘军宁 谢红云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  333-335,359
    摘要： 为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值.分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法.指出了E类功率放大器设计过程...
  • 16. 基于FPGA的TH-UWB窄脉冲信号发生器设计与实现
    作者： 李全 李晓欢 陈倩 陈石平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  336-338
    摘要： 给出了一种基于FPGA的TH-UWB窄脉冲信号发生器的实现方法.信号采用脉冲位置调制,调制后的信号利用FPGA片内逻辑门的延时特性,编写延时程序产生携带调制信息的窄脉冲.在Altera DE...
  • 17. 基于温度补偿的1V CMOS电流基准源
    作者： 徐俊平 朱冬勇 朱文举 朱樟明 杨银堂
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  339-342
    摘要： 利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源.使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点.在1 V工作电压...
  • 18. 基于OTA的有源Gm-C复数带通滤波器的设计
    作者： 任怀龙 吴思汉 吴洪江 赵宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  343-345
    摘要： 设计了一种基于OTA的有源Gm-C复数带通滤波器,用以实现射频前端芯片中的中频滤波和镜像抑制功能,该滤波器采用Gyrator结构,将低通原型滤波器中的集总电感用有源电感进行替换,并依据复数变...
  • 19. 高速CORDIC算法的电路设计与实现
    作者： 付东兵 姚亚峰 杨晓非
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  346-348
    摘要： CORDIC(coordinate rotation digital computing)算法能够通过简单的移位、加减运算得到任意输入角度的正弦或余弦值,具有速度快、精度灵活可调、硬件实现简...
  • 20. 用于数控跳频滤波器的计算机辅助测试系统
    作者： 吴立丰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  349-351
    摘要： 数控跳频滤波器是滤波器家族中的重要组成部分.随着产品成熟度的不断提高,批量生产成为可能,原有的手动工测试方法显然已不能胜任大量的产品测试工作.介绍了利用先进的计算机软件舜口硬件技术,结合矢量...
  • 21. ISO/IEC18000-6B标签逻辑电路低面积设计
    作者： 张春 王志华 骆元舒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  352-355
    摘要： 简要介绍了射频识别技术(RFID)协议ISO/IEC 18000-6B的通信,并基于该协议用VHDL语言设计了标签的逻辑部分电路.设计时运用命令分类、实时处理、资源共享等技术减少硬件资源,在...
  • 22. 基于0.18 μm RF CMOS工艺的低相噪宽带LC VCO设计
    作者： 周玉洁 张俊波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  356-359
    摘要： 介绍了一种低功耗、低相噪和超宽频率覆盖范围的全差分电感电容结构的压控振荡器(VCO)设计.采用开关控制的二进制MIM电容阵列对频率进行粗调,再结合MOS可变电容进行微调,实现了极大的频率覆盖...
  • 23. 大功率半导体激光器加速寿命测试方法
    作者： 仲琳 安振峰 张存善 王晓燕 荣宝辉 陈国鹰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  360-362
    摘要： 大功率半导体激光器在高可靠性光学系统的应用中,寿命值预测十分关键.采用808 nm波长的无Al大功率半导体单管激光器进行了40、80℃的恒定温度的加速老化试验.应用Arrhenius和对数正...
  • 24. 耿氏二极管的几种失效模式及其机理分析
    作者： 张士芬 徐立生 高兆丰 高金环
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  363-365
    摘要： 介绍了耿氏二极管的工作原理及其基本结构,通过外观检查、电特性测试、环境试验、内部目检、X射线及扫描电镜(SEM)检查等失效分析手段和方法,针对耿氏二极管在使用过程中较常出现的短路、开路及管帽...
  • 25. 瞬态热阻测试在贴片二极管在线测试中的应用
    作者： 保爱林 傅剑锋 管国栋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  366-368
    摘要： 表面贴装整流极管的焊接质量直接影响其可靠性.提出了通过测试与瞬态热阻等价的热敏电压增量来评价焊接质量、筛选焊接不良的产品.利用TRR8000测试仪对样品进行合适条件下的在线筛选,能够有效剔出...
  • 26. 可为客户量身定制飞思卡尔推出高精度锂电池充电器IC
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  后插1-后插2
    摘要：
  • 27. 电源越来越"绿",安森美半导体展示高能效解决方案
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  后插3-后插4
    摘要：
  • 28. 应用材料公司致力于太阳能产业的发展
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  后插5
    摘要：
  • 29. 业界动态1
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  后插6-后插8
    摘要：
  • 30. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2008年4期
    页码:  后插8-后插9
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
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