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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
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  • 61. 溶胶凝胶法制备多孔SiO2薄膜的新方法
    作者： 付学成 李金华 赵蒙 郑巍峰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  225-227
    摘要： 以氨水、醋酸为催化剂,用正硅酸已酯(TEOS)为Si源,甘油作为防裂剂,聚乙烯醇(PVA1750)作为致缓剂和发泡荆,制作多孔SiO2薄膜.碱催化使得硅.羟基化合物的溶解度增大,并抑制了Si...
  • 62. 掺杂对氟化非晶碳膜场发射性能的影响
    作者： 刘雄飞 徐根 李伯勋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  228-231
    摘要： 利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备(RF-PECVD)在单晶硅基底上沉积舍氮的氟化类金刚石薄膜,研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性.通过退火处理,研究了薄膜场发射电流的稳定性,通过原子力...
  • 63. SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响
    作者： 戴振清 杨克武 杨瑞霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  232-235
    摘要： 对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响,与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究.发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下,能级分裂的影响很小可忽略不计,其他条件下均需考虑能级分裂因...
  • 64. 高频控制开关用沟槽MOSFET的研究
    作者： 吴启迪 王翠霞 许维胜 谢福渊 陈炬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  236-239
    摘要： 高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗.基于器件与工艺模拟软件TsupremⅣ和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击...
  • 65. 基于DCIV法对pMOSFET热载流子损伤的研究
    作者： 何波涌 冯志刚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  240-243
    摘要： 利用新型的直流电流电压(DCIV)法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为,并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理...
  • 66. 特种快速大功率半导体切断开关的研制
    作者： 刘忠山 刘英坤 崔占东 杨勇 陈洪斌 马红梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  244-246,290
    摘要： 介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果.面积为0.28 cm2的开关(59只串联)在300 Hz连续工作模式中,切断电流为1.9 kA,电流切断时间为9.56 ns;在1 ...
  • 67. 双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响
    作者： 冯志刚 刘博 李文军 王俊 王磊 程秀兰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  247-250
    摘要： 基于0.18 μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流,Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流...
  • 68. 高隔离度宽频段组合式RF-MEMS开关的设计
    作者： 孙建海 崔大付 张璐璐
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  251-253,265
    摘要： 接触式与电容耦合式两类RF MEMS开关各自在一定的频段内,都具有较高的隔离度,但仍然很难满足微波控制系统中对高隔离度的要求.为了获得全波段高隔离度RF MEMS开关,单元开关很难达到要求,...
  • 69. 二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型
    作者： 李海霞 毛凌锋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  254-257
    摘要： 随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要.提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电...
  • 70. Buck变换器中电流检测的噪声研究
    作者： 冯全源 刘宇星
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  258-261,274
    摘要： 针对高压降压型电流控制模式DC-DC系统中控制环路噪声导致系统误触发这一问题,从系统电流环路中的电流检测模块出发,首先分析了该模块的噪声参数,然后对该噪声对系统电流环路中其他各个主要模块的所...
  • 71. DDS自动测试技术研究
    作者： 于宗光 周亚丽 张凯虹 陆锋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  262-265
    摘要： 重点研究了如何快速又精确地输出DDS的测试值并使测试值符合测试规范.基于NI卡板、信号分析仪、示波器和信号发生器,对DDS的特性参数进行测试研究.信号发生器提供时钟信号与比较器输入;信号分析...
  • 72. 引线键合劈刀Z轴运动信号分析
    作者： 甘海涛 陈新 高健
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  266-269
    摘要： 劈刀是自动引线键合机的关键部件之一.采集和分析劈刀的运动信号对于研究和改进微电子封装设备的制造工艺技术具有重要意义.利用激光多普勒(Doppler)非接触式测量方法,通过有效的试验光路设计,...
  • 73. GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响
    作者： 蔡伟智
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  270-274
    摘要： 采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行可靠性试验.对比分析表明,外延晶片中的微缺陷与器件...
  • 74. 标量网络分析仪的工作原理及常见故障检修
    作者： 彭浩
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  275-278
    摘要： 为克服仪器板级维修费用高的问题,通过对ANRITSU54147A标量网络分析仪工作原理的研究,列举了ANRITSU 54147A标量网络分析仪主机、信号源、检波器的常见故障及其维修方法,实现...
  • 75. 故障预测技术在半导体设计中的应用
    作者： 李春 邸曼丽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  279-282,286
    摘要： 介绍了IC可靠性对电子设备可靠性的影响及当前IC可靠性的局限性,阐述了故障预测的定义及详细介绍了"浴盆曲线"不同阶段的意义;从另一个角度介绍IC的可靠性,阐述了故障预测在集成电路设计中的价值...
  • 76. 米波功率放大器模块的小型化设计和研制
    作者： 刘英坤 李俊敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  283-286
    摘要： 介绍了一种VHF功率放大器模块的小型化设计方法.为了解决设计中实现电性能指标所需电路多与功放模块体积小和功放模块的功率耗散大与模块盒体有效散热面积小这两个主要矛盾,采用了独特的腔体结构、简单...
  • 77. DC～20 GHz宽带单片数控衰减器
    作者： 刘志军 吴洪江 方园 高学邦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  287-290
    摘要： 介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现.利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标.工作频率为D...
  • 78. 基于ESL的多格式解码芯片前期设计优化
    作者： Leah Clark 王益华 祝永新 罗少波 陈庆华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  291-294
    摘要： 通过使用ARM ESL工具仿真基于Linux的多媒体系统,提出一种基于多核及计算加速的体系,这种架构可很快地映射到后期芯片设计中.给出了解码系统中IQIT、IP和DB等核心模块的软硬件分配、...
  • 79. 高效率F类对讲机功率放大器的设计与实现
    作者： 刘磊 南敬昌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  295-298
    摘要： 研究了F类射频功率放大器的电路结构与工作原理,并设计了一个工作频段为405～415 MHz、输出功率为30 dBm、功率附加效率达到65%的高效率低谐波失真的F类对讲机功率放大器.为了达到设...
  • 80. 飞思卡尔惯性传感器增强汽车安全气囊系统灵敏度
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  299-300
    摘要：
  • 81. 产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年3期
    页码:  301-302
    摘要：
  • 82. 各类环境调和型封装技术与材料的现状
    作者： 傅岳鹏 张颖一 杨俊 田民波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  301-306
    摘要： 整理和归纳了各国不同的RoHS相关政策,并分门别类地概括和介绍了各种符合环保法规的封装技术和材料的发展与动态,包括电子元件的环境对应、环境调和型印制电路板技术、低温导电技术、导电性粘结剂、易...
  • 83. 晶片边缘磨削控制方法研究
    作者： 张志军 王学军 贺敬良
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  307-310
    摘要： 对半导体工艺中晶片的边缘磨削技术进行了论述,分析了晶片边缘磨削技术的特点,在此基础上,提出了一种高效、可靠的晶片边缘磨削方法.该方法基于单轴电机进给控制,通过控制软件来实现对晶片边缘及定位边...
  • 84. 大直径InP单晶生长研究
    作者： 周晓龙 孙同年 孙聂枫 杨克武 杨瑞霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  311-314
    摘要： 生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点.通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、...
  • 85. 新的晶圆级1/f噪声测量法
    作者： 黄丽华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  315-317
    摘要： 提出了一种新的可靠的晶圆级1/f噪声测量方法和架构.测试架构采用了吉时利的一系列仪器,包括4200-SCS、428和一个低通滤波器,并且采用了吉时利的自动特征分析套件(ACS)软件来控制测量...
  • 86. 多线切割工艺中晶片翘曲度的控制
    作者： 林健
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  318-319,332
    摘要： 翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一.采用逐点扫描法对多线切割制备的晶片翘曲度分布进行了测量.通过对切割线张力、砂浆使用次数、切割速度等影响翘曲度的主要因素进行实验分析,阐述了产生的原...
  • 87. 杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究
    作者： 刘洪 刘洪飞 刘燕 索开南 董军恒 高岗
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  320-323
    摘要： 对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素.结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素.本文从FZ单晶在生长过程中,杂质...
  • 88. 外延用300 mm重掺B Si衬底中热致微缺陷研究
    作者： 周旗钢 崔彬 戴小林 韩海建 高朝阳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  324-327
    摘要： 研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响.通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生...
  • 89. SiGe合金单晶生长研究
    作者： 何秀坤 刘锋 李丹 毛陆虹 王义猛 韩焕鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  328-332
    摘要： 通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度.采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,...
  • 90. 无液封GaAs多晶合成技术
    作者： 刘晏凤 周春锋 杨连生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  333-336
    摘要： 利用As、Ga、GaAs的性质,开发出一种新的GaAs多晶合成方法.开展了φ130 mm合成系统的温度、压力优化实验.采用石墨盖代替BN坩埚盖,开发了100 mm新合成石墨系统,通过工艺实验...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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