双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响

• 作者: 冯志刚 刘博 李文军 王俊 王磊 程秀兰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压器件 扩展漏端MOS 衬底电流 热载流子注入
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 247-250
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2400字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.03.013

摘要

基于0.18 μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流,Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化.通过TCAD分析表明,这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层,进而改变了器件不同区域内部电场分布所致.同时模拟研究还表明,在,Isub第一极大值条件下应力所致的器件退化,主要是由器件漏/沟道耗尽区域的电场强度增加引起的;而在Isub第二极值条件下的应力诱发器件退化,则主要是由漏端欧姆接触附近的电场加强所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	130	1155	16.0	27.0
2	刘博	上海交通大学微电子学院	19	143	6.0	11.0
4	王磊	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	346	2763	24.0	41.0
6	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
7	冯志刚	上海交通大学微电子学院	4	4	1.0	1.0
15	李文军		2	7	1.0	2.0