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半导体技术2009年第9期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 性,决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率,并可更好地满足现代雷达的要求.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 糙度方面明显优于传统的RCA清洗法,而且更加节能环保.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 随着微电子技术的发展,对清洗技术的要求也越来越严格.LCD由于低功耗、高画质和轻巧等优势,已作为平板显示领域的主导技术.采用金刚石膜电化学的强氧化物质对液晶盒上的残留有机物进行清洗,通过实验...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 存在的问题,并对其发展趋势进行了展望.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 中;焊垫腐蚀区域的Cl则来源于焊垫蚀刻气体.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 清洗工艺在抛光Si片加工中广泛使用,其纯水槽使用的纯水受区域和季节变化的影响,温度最大波动可以达到10℃以上.阐述了这种波动对清洗后Si片表面化学残留物浓度造成的影响,当冬季水温出现下降,S...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 析提供了参考.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 对采用银浆和250℃、130℃度高、低温锡膏作为芯片键合材料的1 W白光LED结温、热阻和光袁进行了对比研究.研究结果表明,与采用银浆作为芯片键合材料的LED相比,采用锡膏作为芯片键合材料的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： EDs器件的优化设计具有重要指导意义.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 报道了一种用于长波长新的片直接贴合In0.53Ga0.47As/InP-GaAs/Al0.2Ga0.8As APD的设计和制造.使用MBE技术,在p+InP衬底上生长掺Be的p型InP薄层,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 用直流磁控溅射法在不同溅射功率下沉积了TiO2薄膜,并制备了染料敏化太阳能电池.I-V曲线的结果表明,150～200 W,随着溅射功率的升高,电池的短路光电流和光电转换效率增大,200 W时...
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13. 太阳能半导体空调蓄冷介质的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 根据太阳能半导体制冷特点,给出了带储能装置并能进行能量匹配数控的制冷与蓄冷并重、热电制冷装置模块化的太阳能半导体制冷空调系统.在研究较成熟的常温送风空调蓄冷技术和蓄冷材料的基础上,采用示差扫...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 品和SOI静态随机存储器产品上,成功地将这两款产品的ESD防护能力从1000 V提高到了3000 V以上,验证了这种容性封装技术在ESD防护方面的优良性能.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 研究了18 V漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管(DEMOS)在高栅极电压下的热载流子注入效应.实验观察到两种失效模式,分别是热空穴的注入效应和高栅压导致的阈值电压增大,发现其对器件损伤分...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 为降低电子系统在宽带运用中波束倾斜效应的影响,开展了相关的技术研究.简要介绍了实时延迟线电路的基本概念,对电路设计流程进行了阐述.最终成功开发出一款具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片...
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17. 低功耗RFID的公钥密码系统实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 安全性是RFID系统继续扩大应用的一个重要障碍.为提高RFID系统的安全性,给出了一种基于公钥密码体制NTRU的实现.并针对RFID标签芯片成本低、计算能力弱、获取能量少的特点,在设计中面向...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 设计了一种低压、宽带CMOS电流反馈运算放大器(CFOA),它可以实现轨到轨的输入/输出,同时具有较大的电流驱动能力.采用0.25μm CMOS工艺参数,对所设计的CFOA进行了PSPICE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： IP监测系统的稳定性.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 提出了一种适用于宽带大动态范围应用的六阶跨导电容低通滤波器.该滤波器为Chebyshev类型,采用开环级联结构来实现.通过一组开关电容阵列来补偿由工艺温度等因素引入的截止频率的偏差.实际测试...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 整个芯片的功耗为2.6 mW.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 为了提高显示屏的成品率,降低成本,提出了一种由全p沟道TFT构成的屏上驱动电路.基础电路部分包括反相器和移位寄存器,屏上驱动电路主要是行驱动电路和列驱动电路.行驱动电路和列驱动电路基本上都是...
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23. DC-DC低功耗限流电路的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 设计了一种用于升压型DC-DC转换器的限流电路,可以防止芯片内部的功率开关管遭受大电流的冲击.该电路把电流流过开关管产生的压降与参考电流流过参考管产生的压降相比较,输出电流限制信号,克服了传...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出.该带隙基准源采用TSMC 0.18 μm工艺进行电路和版图...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 折叠插值结构是高速ADC设计中的常用结构.提出了一种新的在折叠插值结构ADC中只对THA进行时间交织的技术,可以在基本不增加芯片功耗和面积的情况下,使ADC的系统速度提高近1倍.位同步技术可...
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26. 低相噪毫米波源的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 介绍了一种毫米波低相噪源的设计方法,采用PDRO和倍频电路方案,对本微波源的相位噪声和频率稳定度进行了分析,并简要介绍了PDRO的设计,对研制成的实物进行了测试,达到了设计要求的指标.该毫米...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要： 介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计.版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面.版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要：
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29. 综合新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要：
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30. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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