半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 傅健 刘珂 杜占坤 毕见鹏 邵莉 马骁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  1-5,15
    摘要: 设计了一种适合于无线传感网(WSN)结点SoC芯片传感器接口电路应用的12 bit精度逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC).为了实现高精度、低成本,并兼容射频CMOS工艺的要求,利用全差...
  • 作者: 柳现发 王绍东 许春良 高学邦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  6-9
    摘要: 采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路.该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一...
  • 作者: 刘俊 李孟委 李锡广 杜康 郑伦贵
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  10-15
    摘要: 基于GaAs材料和器件的制造工艺,介绍了纳米膜隧穿器件和微陀螺的结构设计方法和工艺加工方法.阐述了基于纳米膜隧穿效应微陀螺的工作原理,对纳米膜隧穿器件和微陀螺的结构进行了设计,分析了微陀螺的...
  • 作者: 卿朝进 李天倩 王军 阳小明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  16-19,50
    摘要: 为了提高基于绝缘体上的硅(SOI)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS (S SOI LDMOS)耐压新结构.当器件关断时,...
  • 作者: 付兴昌 冯志红 崔玉兴 李亮 李佳 蔡树军 邓小川 默江辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  20-24
    摘要: 基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了A1记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片.采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,...
  • 作者: 杨瑞霞 田汉民 郭丽佳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  25-29
    摘要: 光伏建筑一体化部件服役过程中组件温度会大幅度升高,使组件中太阳电池的输出特性受到影响导致输出功率下降,直接影响到一体化部件的电性能,因此准确地模拟出组件在服役过程中的温度场分布并计算出此热场...
  • 作者: 刘国辉 田石
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  30-34
    摘要: 介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺.根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式.采...
  • 作者: 孙丽 张保平 张江勇 梁明明 翁国恩 陈明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  35-39
    摘要: 近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度.基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LED样品电学性能及光学性能的影响.电流电压特性的...
  • 作者: 张苗 母志强 狄增峰 薛忠营 陈达
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  40-44
    摘要: 基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Sil-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅....
  • 作者: 吕文峰 周彬 张雪 杨倩倩 胡涛朝 郭金川
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  45-50
    摘要: 高长径比深孔阵列是微通道板、高分辨率X射线探测器、X射线二维光栅等器件的基本结构.基于制作大面积高长径比的深孔阵列目前仍是微纳制作技术面临的重大挑战.介绍了几种硅基微孔阵列的制作方法并分析了...
  • 作者: 于江勇 刘玉岭 夏显召 孙鸣 李英的 杨昊鹍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  51-54
    摘要: 以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式.采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅溶胶复配混合作为磨料,利用氧化铈对硅片表面化学反应产物硅酸胺盐...
  • 作者: 毛淑娟 罗军 闫江
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  55-59
    摘要: 为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/...
  • 作者: 李小红 沈亚锋 熊敬康 王阳夏 陈忠 陈杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  60-64
    摘要: 散热问题是LED灯具成为新一代照明光源亟待解决的关键问题之一.提出一种LED灯具散热建模方法:选用LED射灯作为代表产品进行散热建模研究,采用三维造型软件建立LED灯具产品三维模型,然后导入...
  • 作者: 倪晓文 旷仁雄 谢飞 陈昊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  65-68
    摘要: 分析了低温密封焊的工艺难点,通过改变腔体耦合结构及工艺实验,实现了微波产品高气密性快速低温焊接.从焊料、气密性两方面进行工艺难点分析并进行工艺实验及可靠性实验研究.通过调整腔体的耦合结构,选...
  • 作者: 周鑫延 姚兴军 张关华 王正东 章文俊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  69-73,78
    摘要: 倒装芯片封装中的下填充工艺可以有效地提高封装连接的可靠性,因而得到了广泛应用.含有硅填料的环氧树脂是常用的下填充胶料,在下填充流动过程中表现出明显的非牛顿流体特性.利用Fluent软件对具有...
  • 作者: 吴维刚 张金龙 杨士元 闫军政
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  74-78
    摘要: 固态功率控制器或固体继电器逐步向大功率方向发展,其结温测量与监控成为工程应用中的难题,针对这类具有输入输出隔离功能的器件,采用等功率结温测试法研究了基于MOSFET的功率控制器结温无损伤测量...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年1期
    页码:  79-80,前插1
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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