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半导体技术2014年第10期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 分析了集成电路技术发展趋势及面临的挑战,介绍了2013年全球半导体产业和集成电路设计产业的基本情况、全球设计产业销售占集成电路销售的比重及全球前十大半导体IP供应商情况.深入分析了2013年...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 设计完成了一款无源超高频RFID标签的低功耗模拟前端电路.采用了一种新的阈值消除技术,整流电路的能量转换效率可以达到30％以上;使用一种低功耗的稳压电路,为数字电路提供稳定的1V电源电压的同...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2～4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA).该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 基于带隙基准源的基本原理,设计一种应用于PFM控制升压型DC-DC转换芯片的高精度、低功耗、低电压带隙基准电压源,包含带隙基准主电路和输出偏置电压电路.采用韩国Dongbu 0.35 μm ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 采用有机金属化学气相沉积法,在1 μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm.使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、终端结构、工艺流程及版图的设计.通过分析...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A.对特高压晶闸管采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术.然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了硼不同掺杂比系列的p型微晶硅薄膜.采用光发射谱仪对薄膜的沉积过程进行了原位表征,采用喇曼光谱和椭圆偏振光谱仪对薄膜的结构及性能进行了分析.结果表明:随...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 新型Cu/低后芯片以其优异的性能逐步替代Al/SiO2芯片在微纳米器件中得到越来越多的应用.但由于其抗变形能力和强度较低,在引线键合中容易发生损坏.为研究Cu/低k芯片键合中的应力特征和失效...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 掺杂是改善氧化钛纳米结构半导体特性的有效方法.在醇基电解液中,采用阳极氧化方法在TiNi合金表面成功制备出Ni-Ti-O纳米管阵列.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和X射...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 测量了SiGe HBT直流增益在60Co γ辐照过程中随剂量及器件电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy (Si)后,器件电流增益变化与辐照剂量存在线性反比关系,且增...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 阐述了多芯板上芯片(CoB)封装结构,构建了多芯片LED封装模型,将88颗单电极小功率LED芯片直接封装在直径为65 mm的圆形镀铝陶瓷基板上,研制成了一种基于CoB封装技术的自检测LED模...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 采用二维轴对称近似的有限元法对DSS450型铸锭炉的温场分布进行理论模拟.对比分析了长晶过程中不同阶段的固液界面形状变化.随着长晶的持续进行,固液界面形状变得越平整,坩埚附近向内生长的晶体范...
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15. 非接触式LED结温测试刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年10期页码:摘要： 研究和分析了用LED的发光强度来表征LED的相对辐射强度和结温之间存在的线性关系,据此设计并实现了类似于正向电压法,基于相对辐射强度的非接触式测试系统,使用NIUSB6210数据采集卡在虚拟...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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| 3. | 中文核心期刊 |
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