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半导体技术2019年出版文献
出版文献量（篇）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： CuSbS2是一种良好的太阳电池吸收层材料,其组成元素毒性低且地球储量比较丰富.采用溶胶-凝胶法制备CuSbS2薄膜,为了去除薄膜中的氧化物并提高薄膜质量,对薄膜进行了硫化处理.采用X射线衍...
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122. 封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化.因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键.针对1 200 V/2...
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123. 28nm工艺制程SRAM高低温失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 采用SRAM读/写功能分析、晶圆可接受测试(WAT)分析、SRAM操作电路分析相结合的方法,找出28 nm工艺平台开发过程中高温(125℃)和低温(-40℃)测试条件下静态随机存储器(SRA...
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124. 陶瓷封装倒装焊器件热学环境可靠性评估刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 陶瓷封装倒装焊器件在应用过程中往往面临大温差、湿热、高温等外部环境,为了满足其应用要求,必须进行充分的热学环境可靠性评估.以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,进行温度循环、强加速稳态湿热(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 为获得某星载专用集成电路(ASIC)控制运算芯片在轨单粒子翻转率,开展了不同线性能量传递(LET)值重离子辐照试验,并根据试验结果量化评估了该芯片抗单粒子翻转效应性能并获得了单粒子翻转截面....
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126. 一种延长NAND闪存寿命的新策略刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 提出预测刷新策略来延长与非型(NAND)闪存寿命.预测刷新的核心是挖掘闪存中块的最大刷新周期,然后使用该周期刷新块来减少驻留错误,保证块中页的错误数(FBC)在错误纠正码(ECC)的纠错能力...
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127. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 近年来,由于有机-无机杂化钙钛矿在提高太阳电池效率方面的突破受到广泛关注,其出色的表现主要归功于长载流子寿命和扩散长度、高光吸收系数以及低激子结合能等优点.这些独特的优点使其在电学和光学等领...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 毫米波/太赫兹信号源作为微波系统的关键电路,普遍应用在无线通信、电子对抗、毫米波成像等领域,稳定性高、相位噪声低的毫米波/太赫兹信号源对整体链路起到至关重要的作用.基于IHP 130 nm ...
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130. F频段三倍频放大多功能芯片设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 基于InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款F频段三倍频放大多功能芯片.将三倍频器与驱动放大器级联,实现了F频段三倍频放大的单片集成.前端三倍频器电路由输入匹配电路、输入低通滤波...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱结构存在极化效应导致能带倾斜,极大地影响了LED的辐射复合效率.采用阶梯状量子阱的结构来改善LED的发光特性,通过金属有机物化学气相...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层.定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导...
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133. 基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构.通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 通过电化学和化学机械抛光(CMP)实验研究了紫外光及催化剂对GaN电化学特性及去除速率的影响.电化学实验结果表明,采用K2S2O8作为氧化剂时GaN的腐蚀电位随氧化剂的浓度增大而降低.在H2...
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135. 超薄氮化镓制备及其光学性质刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 超薄氮化镓(GaN)是一种厚度在纳米尺度的少层GaN薄片,相对于GaN体材料,量子限域效应会使超薄GaN的禁带宽度增大,超薄GaN有望应用于深紫外电子器件.通过使用微机械剥离法将制备出的少层...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜.分别研究了水和臭氧作为共反应...
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137. FCOL封装芯片热应力及影响因素分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 引线框架上倒装芯片(FCOL)封装常用于I/O数量少的功率芯片封装.由于FCOL封装中铜引线框架和硅芯片的热膨胀系数差异大,热载荷作用下热失配应力导致与焊点相连的芯片表面微结构发生失效破坏....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 采用高分子复合纳米电压变阻薄膜与金属电极矩阵构成瞬变脉冲能量吸收矩阵(EAMTP),将其按印刷电路板(PCB)制程内嵌到PCB板夹层中,使PCB板上所有敏感元件从贴装开始就得到保护,实现电子...
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139. 新型量子点气体传感器测试系统的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 针对量子点气体传感器的阻值过大难以进行数据采集的问题,设计了一种基于MPS-010602采集卡的高精度气体传感器测试系统.系统硬件主要包括多通道电压采集模块、温度控制模块、温湿度采集传感器模...
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140. 宽带微波微系统自动测试系统的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年10期页码:摘要： 宽带微波微系统是由系列化、标准化封装的微波功能模块构成的复杂微波组件.针对组件测试指标多的需求,设计了具有一键化测试、数据可重构、参数可配置、数据自动采集、结果自动存储等多项功能的宽带微波微...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要：
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142. 全聚合物太阳电池研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 体异质结聚合物太阳电池是有机半导体太阳电池的重点研究领域,其中全聚合物太阳电池由于有着以下优点而受到广泛关注:聚合物给体和聚合物受体的光吸收可调节范围大;太阳电池器件薄膜相对稳定;与大面积、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 基于CSMC 0.18 μm BCD工艺,在传统亚阈带隙基准(BGR)的基础上进行了改进,设计了一款新型亚阈BGR.利用BCD工艺中普通MOSFET和高压MOSFET的特性差异,使器件工作在...
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144. 一款精准低噪声运算放大器输入级的优化设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 基于4 μm 40 V互补双极工艺,设计了一款精准、低噪声、轨到轨输入输出运算放大器.电路采用轨到轨互补输入级,并在此基础上采用了一种新型的低噪声偏置电流补偿电路,该结构的电流噪声与运算放大...
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145. 中红外量子级联超辐射发光二极管的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 量子级联(QC)超辐射发光二极管(SLD)已经成为众多应用领域(如生物成像、气体探测和红外对抗等)理想的中红外(MIR)宽光谱光源.然而,QC材料基于子带间跃迁的发光模式使其自发辐射效率较低...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 基于低成本溶液法的浸渍提拉成膜工艺以无机In-A1-Zn-O (IAZO)为沟道层,以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层,研制了无机/有机混合型薄膜晶体管(TFT),探究了PMMA厚度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺.在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用.阐述了常用的缓蚀剂——苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应...
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148. 复合络合剂在阻挡层抛光液中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 分别选用FA/OⅡ型螯合剂和柠檬酸钾(CAK)单独配置及复合配置多层铜布线阻挡层抛光液,对Cu和正硅酸乙酯(TEOS)介质层进行化学机械抛光(CMP),研究复合络合剂对材料去除速率、碟形坑和...
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149. 钴与钛的去除速率选择比控制及电偶腐蚀刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 研究了抛光液pH值、酒石酸钾(PTH)、双氧水(H2O2)和硅溶胶对钴插塞和钛阻挡层的去除速率及选择比的影响,并讨论了前3种因素与钴和钛电偶腐蚀的变化关系.采用正交抛光实验探讨了各因素对钴和...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年11期页码:摘要： 研究了在抛光液中分别添加非离子表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE)、阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸(LAS)和阳离子表面活性剂十二烷基三甲基氯化铵(DTAC)对a面蓝宝石衬底化学机械抛光(...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
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