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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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目录
  • 1. 高k栅介质MOSFET的栅电流模型
    作者： 刘晓彦 康晋锋 韩汝琦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1009-1013
    摘要： 提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型.在该模型的基础上,研究了采用不同高介电常数栅介质材料时MOSFET的栅电流与介质材料的介电常数、禁带宽度及和...
  • 2. 利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能
    作者： 杨洪强 陈星弼 韩磊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1014-1018
    摘要： 通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为...
  • 3. 一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟
    作者： 刘新宇 刘运龙 海潮和 钱鹤 韩郑生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1019-1023
    摘要： 提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和二次侧墙,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方...
  • 4. 具有光纤自定位保持结构的2×2扭转微镜光开关阵列的制作和机电特性
    作者： 吴文刚 张培玉 栗大超 武国英 郝一龙
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1024-1030
    摘要： 应用基于表面硅、体硅微电子工艺的混合微加工技术,制作了新型2×2扭转微镜光开关阵列,并研究了其在外加静电场和交变电场中的机电特性.当该光开关中悬挂多晶硅微镜的弹性扭转梁的厚度约为1μm时,驱...
  • 5. 采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器
    作者： 刘志宏 刘楷 曾莹 朱钧 潘立阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1031-1036
    摘要： 提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时...
  • 6. 采用图划分技术的多端口RC网络约减方法
    作者： 冒小建 杨华中 汪蕙 燕昭然
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1037-1040
    摘要： 提出了一种采用分而治之的改进型RC网络约减方法.该方法首先将被约减的网络划分成若干子网络,然后用Krylov子空间算法逐个约减这些子网络,最后将所有被约减后的子网络链接起来就获得了原网络的约...
  • 7. 掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响
    作者： C.D.Beling 冯汉源 林兰英 罗以琳 赵有文
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1041-1045
    摘要： 利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的光...
  • 8. SiO2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响
    作者： 于广华 夏洋 张国海 朱逢吾 赵洪辰 马纪东 龙世兵
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1046-1050
    摘要： 利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在...
  • 9. 在量子阱中自组织量子点结构GaN/AlxGa1-xN的电子能谱
    作者： 刘承师 王立民 马本堃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1051-1056
    摘要： 在有效质量近似框架内,采用绝热近似,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质.计算表明系统的电子能级随量子点受限势的增大而升高,随量子点尺寸的增大而降低...
  • 10. 新型稀磁半导体Cd1-xMnxIn2Te4的光学和磁学性能
    作者： 介万奇 安卫军 常永勤 郭喜平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1057-1061
    摘要： 采用垂直Bridgman法制备出了x＝0.1、0.22和0.4的Cd1-xMnxIn2Te4晶体.采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性.用超导量子磁强计测量了样品在温度范围5～300K...
  • 11. Pb1-xGexTe薄膜在铁电相变点的折射率异常
    作者： 张凤山 张素英 李斌 江锦春
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1062-1066
    摘要： 对在80～300K温度范围测量的Pb1-xGexTe(x=0.06)薄膜透射谱采用Lorentz谐振子模型进行拟合得到折射率.研究发现:在其铁电相变温度150K折射率出现极大值.折射率的极大...
  • 12. Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能
    作者： 杜丕一 王瑞春 翁文剑 韩高荣
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1067-1072
    摘要： 采用真空热蒸发与PECVD方法,在经特殊设计的"单反应室双沉积"设备中沉积了Al/a-Si∶H复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al...
  • 13. 掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀
    作者： 孙军生 张建新 张恩怀 张维连 李嘉席 赵红生 陈洪建
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1073-1077
    摘要： 利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(...
  • 14. Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响
    作者： 孙荣霞 宋登元 宗晓萍 王永青 郭宝增
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1078-1082
    摘要： 在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Al).薄膜沉积在衬底温度250℃、溅射功率100W和纯氩气氛中进行.通过在0.2～3.2Pa范围改变溅射氩气...
  • 15. 雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能
    作者： 刘坤 叶志镇 季振国 杨成兴 樊瑞新
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1083-1087
    摘要： 采用超声雾化技术,以醋酸锌水溶液为源物质,在加热的玻璃衬底上生长了ZnO薄膜,并研究了衬底温度等因素对薄膜结构及其光、电性能的影响.结果表明其为六方晶体(纤锌矿)结构,在适当的条件下,可以生...
  • 16. p型扩散区(SiO2/Si系扩Ga)的俄歇分析
    作者： 孙瑛 王凤英
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1088-1092
    摘要： 采用Ga在SiO2/Si系扩散途径,对扩Ga硅片进行了俄歇分析,在p型区未发现重金属杂质,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性.
  • 17. 用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度
    作者： 付羿 冯志宏 冯淦 张宝顺 杨辉 沈晓明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1093-1097
    摘要： 尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.侧向外延是在SiO2/GaN/GaAs图形衬底上进行的,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜...
  • 18. 微型电光探针的研制
    作者： 周志雄 张晓婷 李海兰 贾刚 陈占国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1098-1101
    摘要： 介绍了用湿法化学腐蚀的方法制备GaAs晶体微型电光探针.用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了探针形貌.微探针为金字塔形,底座是边长为20μm的正方形,尖端尺寸在2μm左右.侧面比较光滑,棱角分...
  • 19. 渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器
    作者： 冯志伟 周帆 张瑞英 王圩 王鲁峰 董杰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1102-1105
    摘要： 采用渐变应变有源区结构,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器,工作电流在60～160mA范围内,其3dB带宽范围不小于35nm,偏振不灵敏度小于0.35dB,自发发射出光功率为0.18～3.9m...
  • 20. 共源-共栅组态S2I电流存储单元及其性能
    作者： 李拥平 石寅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1106-1111
    摘要： 针对原型S2I开关电流存储单元性能上的一些弱点,提出了共源-共栅组态的S2I电流存储单元(简称CS2I)新结构,使其关键速度与精度性能得到较好的改善.相同器件尺寸下的S2I与CS2I单元电路...
  • 21. 基于核的信息安全处理芯片可测性设计
    作者： 严晓浪 何乐年 何剑春 陆思安
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1112-1115
    摘要： 从可测性设计角度讨论了信息安全处理芯片的芯片级测试控制器的设计以及相应核的可测性设计.综合结果显示,所设计的芯片级测试控制器所占用的面积代价非常小.
  • 22. 响应表面法在工艺综合中的应用
    作者： 张文俊 杨之廉 鲁勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年10期
    页码:  1116-1120
    摘要： 通过实例,介绍多分区响应表面法的优点及其给工艺综合带来的好处,并用其构建的响应表面模型分析工艺窗口带来的影响.

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
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学科分布
研究主题
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