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半导体学报(英文版)2003年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 提出了一种频率可调范围约230MHz的全集成LC压控振荡器(VCO).该压控振荡器是用6层金属、0.18μm的标准CMOS工艺制造完成.采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管,为降低芯片...
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62. 半导体器件建模与优化系统刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 随着器件尺寸的缩小,器件特性空间变得越来越复杂.如果仍采用手工参数调整的方法,不仅需要有较好的器件物理知识,而且也不一定能得到合适的结果.为节约设计时间,对半导体器件建模与优化系统(MOSS...
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63. 压阻加速度计的Au-Si共晶键合刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 通过将压阻加速度计上帽与结构片的键合(365℃保温10min),再进行下帽与结构片的键合(380±10℃保温20min),成功进行了三层键合.测得的键合强度约为230MPa.硅片-基体/Si...
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64. 合成鱼骨外形氮化镓纳米棒刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 通过氨化射频溅射工艺生长Ga2O3薄膜,在石英衬底上成功地合成了六方GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨率透射电镜(HRTEM)和光致发光光谱(PL)对生成的产物...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 研究了利用低压MOVPE宽条(15μm)选区外延生长InGaAsP的性质.研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、Ⅲ族源流量的变化规律,给出了合理的...
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66. 微机械可调谐滤波器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 利用GaAs/AlGaAs分布反馈Bragg反射镜在GaAs衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器.该器件在7V调谐电压下调谐范围达28nm.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 介绍了一种制作在普通体硅上的CMOS FinFET.除了拥有和原来SOI上FinFET类似的FinFET结构,器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面MOSFET,同时该器件结构与传统的CMOS...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 光学邻近校正(OPC)系统要求一种精确、快速的方法来预测掩模图形转移到硅圆片的成像结果.基于Gabor的"降解为主波"方法,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似,并用高斯过滤器...
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69. 低温下应变外延层的单层生长刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 用接触式原子力显微镜来观察460℃低温下生长的In0.35Ga0.65As/GaAs外延层形貌.实验发现,这种460℃低温生长材料的失配外延层既不是层状的FvdM生长模式也不是岛状的SK自组...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 实现了一个基于触发器结构用0.35μm CMOS工艺实现的1∶8分频器.它由3级1∶2 分频器单元组成,其中第一级为动态分频器,决定了整个芯片的性能,第二、三级为静态分频器,在低频下能稳定工...
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71. ZnS1-xTex混晶的压力光谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱.每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰,来源于束缚在Ten(n≥2)等电子陷阱上的激子复合发光,且随压力(...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的ZnSe/ZnSxSe1-x(x=0.12)超晶格结构,通过X射线衍射谱和光致发光谱,对其结构特性和光学特性进行了研究.结果表明:在4...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 采用射频(RF)反应共溅射法制备了a-SiOxNy∶Er3+薄膜,在不同温度下进行退火处理,并测量了样品的可见及红外发光PL谱,观察到Er3+在550nm、525nm和1532nm的发光以及...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 报道了用溅射后退火反应法在GaAs (110) 衬底上制备GaN薄膜.XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜.PL测量结果发现了位于3...
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75. a-Si∶H TFT的寄生效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD...
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76. 双极RF功率管的深阱结终端刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 给出了双极RF功率管新的深阱结终端结构.模拟分析表明,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的95%以上.实验结果表明,深阱结终端结构器件DCT26...
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77. MEMS E类放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 对采用MEMS开关的E类放大器进行了原型仿真,并且通过工艺流片制作MEMS开关,搭建E类放大器电路进行测试.测试结果显示,这种机械式的放大器同样能实现有源放大器的功能.测试得到的放大器实际效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究.采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺,最终制作出的器件平均阈值电压为1.15V,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 提出了一种新的PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在InP PHEMT材料上制作出高成品率的T型纳米栅.在曝光显影条件变化20%的情况下,InP H...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 对传统分频器电路工作在低电压(1V)时存在的问题进行了分析,在此基础上提出了一种新的分频器电路结构,将NMOS和PMOS管的直流偏置电压分开,有效地解决了分频器在低电压下工作所存在的问题.采...
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81. 钟控准静态能量回收逻辑电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 钟控准静态能量回收逻辑(clocked quasi-static energy recovery logic,CQSERL)只在输入信号导致输出状态发生变化的情况下才对电路节点充电(或者回收...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 介绍了一种综合考虑集成电路电学性能指标以及热效应影响的布局优化方法.在保证传统设计目标(如芯片面积、连线长度、延迟等)不被恶化的基础上,通过降低或消除芯片上的热点来优化集成电路芯片的温度分布...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 在超大规模集成电路(ULSI)铜布线工艺中,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散.为了达到全局平面化,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不...
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84. 合理偏差驱动的时钟线网构造及优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 提出了一种新的时钟布线算法,它综合了top-down和bottom-up两种时钟树拓扑产生方法,以最小时钟延时和总线长为目标,并把合理偏差应用到时钟树的构造中.电路测试结果证明,与零偏差算法...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年4期页码:摘要： 在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验,并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度.研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了GaAs抛光晶片...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 提出了一种新的工艺方法制备硅基电容式微传声器.用氧化多孔硅作牺牲层制备空气隙,用约15μm厚的浓硼掺杂硅作为微传声器的刚性背极板.采用该方法制备的微传声器,在500Hz至11kHz的工作频率...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上,提出了双层有机电致发光器件的数值模型,研究了结构为"阳极/空穴输运层(HTL)/发光层(EML)/阴极"的器件中电流密度和量子效率随有机层的特征陷阱能量、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器,并具有令人满意的特性:即使在0.1mA的低偏置电流下,器件的最高温度工作温度仍能达到550℃.实验结果分析说明,当硅膜足够薄时,普通电阻结构...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年5期页码:摘要： 描述了采用CMOS工艺技术,用于2.4GHz无线局域网收发机的上变频器/下变频器的实现.由于采用class-AB类工作模式的输入级,该下变频器具有很高的线性度.同时,该输入级也完成了输入阻抗...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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