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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. 自组织量子点的优化生长
    作者： 曾一平 朱占平 段瑞飞 王宝强
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1009-1015
    摘要： 在不同生长条件下,生长低组分InGaAs/GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量.通过对生长条件的优化,得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件,这对于自组织量子点在器件方面的应...
  • 2. 用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究
    作者： 施卫 贾婉丽
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1016-1020
    摘要： 用1553nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明,当光电导开关处于3.33～10.3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度200fs且单脉冲能量0.2nJ的激光脉冲照射时,开...
  • 3. 可用于光纤用户网的0.6μm CMOS激光驱动器
    作者： 夏春晓 梁帮立 熊明珍 王志功 田俊 章丽
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1021-1024
    摘要： 基于国内的CMOS技术和EDA工具以及全定制的设计方法,采用无锡华晶上华(CSMC-HJ)0.6μm CMOS技术实现了可工作于155Mb/s、622Mb/s的激光驱动器.该激光驱动器在50...
  • 4. 湿法腐蚀制备的SOI光波导
    作者： 严清峰 余金中 刘敬伟 王小龙 陈少武
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1025-1029
    摘要： 用化学湿法腐蚀的方法制作了SOI光波导,并且用三维波束传播方法分析和设计了单模波导和1×2 3dB多模干涉分束器,修正了有效折射率和导模传输方法的误差.制作的器件具有低传输损耗(-1.37d...
  • 5. 18μm CMOS工艺条件下的信号完整性分析
    作者： 叶甜春 叶青 周玉梅 孙加兴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1030-1034
    摘要： 通过模拟分析了0.18μm CMOS工艺条件下的信号完整性问题.在进行串扰延迟和噪声分析中发现了一些规律,这些规律对以后的设计有一定的指导意义.
  • 6. 高温快速热处理对硅中热施主的影响
    作者： 杨德仁 樊瑞新 裴艳丽 阙端麟 马向阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1035-1039
    摘要： 研究了不同气氛(N2、O2、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片...
  • 7. Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质
    作者： 危书义 张开明 戴宪起 杨宗献 马丽
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1040-1043
    摘要： 用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(100)表面的化学吸附.计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Co原子在C位(四度位)时吸附最稳...
  • 8. 纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型
    作者： 张进城 李培咸 范隆 郝跃 马晓华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1044-1048
    摘要： 在GaAs低场电子迁移率解析模型的基础上得到了纤锌矿GaN低场电子迁移率的解析模型,该模型考虑了杂质浓度、温度和杂质补偿率对低场电子迁移率的影响.模拟结果和测量数据的比较表明该模型在1016...
  • 9. 氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化
    作者： 何丕模 张寒洁 杨德仁 汪雷 祝洪良 裴艳丽 阙端麟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1049-1052
    摘要： 研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化,利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显微镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热...
  • 10. 直流反应磁控溅射Zn1-xCdxO薄膜的研究
    作者： 叶志镇 赵炳辉 马德伟 黄靖云
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1053-1056
    摘要： 用直流反应磁控溅射法在n-Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜,最佳生长温度为450℃(x＝0.2).当x≤0.6时,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO...
  • 11. 周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se2薄膜结构
    作者： 刘洪图 徐传明 徐军 杨晓杰 许小亮 闵海军 黄文浩
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1057-1062
    摘要： 采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜.通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜,对四元...
  • 12. SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量
    作者： 何平 刘理天 李志坚 王曦 田立林 董业明 陈猛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1063-1066
    摘要： 提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率.测量结果显示至少在55nm以上的尺度上对...
  • 13. 利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性
    作者： 李国华 钮金真
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1067-1071
    摘要： 在室温下测量了GaInP/AlGaInP垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光致发光谱和反射谱.通过反射谱测量可以很容易得到激光器的腔模波长.但是用通常的背散射配置不能测得与有源区中量子阱有关...
  • 14. 50nm SOI-DTMOS器件的性能
    作者： 陈国良 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1072-1077
    摘要： 利用二维器件模拟软件ISE对50nm沟道长度下SOI-DTMOS器件性能进行了研究,并与常规结构的SOI器件作了比较.结果表明,在50nm沟长下,SOI-DTMOS器件性能远远优于常规SOI...
  • 15. 一种新型结构的光电负阻器件
    作者： 夏克军 李丹 李树荣 郑云光 郭维廉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1078-1083
    摘要： 提出了一种新型结构的硅光电负阻器件--光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled area transistor,PDUCAT),它是由一个P+N结光电二极管和...
  • 16. 大功率半导体激光器阵列稳态温度分布分析
    作者： 安振峰 康志龙 谢红云 辛国锋 陈国鹰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1084-1088
    摘要： 通过对大功率激光器阵列热现象的分析,采用有限元分析法建立了大功率激光器稳态工作时的空间温度分布模型,给出了具体的温度分布曲线,由此模型得出大功率激光器阵列沿谐振腔方向有一定的温度差.该模型给...
  • 17. 半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀
    作者： 冯荣珠 安振峰 牛健 花吉珍 赵卫青 辛国锋 陈国鹰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1089-1092
    摘要： 研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程,其中HF(40%)/CrO3(33wt%)腐蚀液比较适合,用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,并给出了利用这种腐蚀液进行腐...
  • 18. 确定VCSEL电势及载流子自洽分布算法的研究
    作者： 林世鸣 赵鼎
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1093-1098
    摘要： 分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降,建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法.针对电极电压变化和氧化层限制孔径变化的两种情况,在阈值附近对器件中的结电...
  • 19. 超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO2的性能
    作者： 宋志棠 林成鲁 沈勤我 章宁琳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1099-1102
    摘要： 采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示:ZrO2薄膜成分均一,为完全氧化的ZrO2,...
  • 20. 刻蚀衍射光栅像差特性分析
    作者： 何赛灵 宋军 文泓桥 梅维泉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1103-1108
    摘要： 对作为波分复用关键器件之一的刻蚀衍射光栅(EDG)的像差特性提出了一种简单方便的计算方法,分析了像差对刻蚀衍射光栅频谱响应的影响.理论推导了基于基尔霍夫衍射、角谱衍射以及快速傅里叶变换等方法...
  • 21. Al2O3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制
    作者： 任驰 刘晓彦 康晋锋 杨红 韩德栋 韩汝琦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1109-1114
    摘要： 利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层物理特性的影响.结果表明:在较高温度下N2气氛中退...
  • 22. 半导体物理研究新进展
    作者： 何杰 孙连亮 张荣 李树深
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年10期
    页码:  1115-1119
    摘要： 简要介绍了第26届国际半导体物理会议上一些受到广泛关注的课题,它们代表了半导体物理研究领域里的研究热点和前沿工作,希望能够为今后的研究工作提供一个参考方向.

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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