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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. 使用SiO2介质膜实现InGaAsP量子阱混杂
    作者： 张靖 王圩 陆羽
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  785-788
    摘要： 报道了使用SiO2介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验,得到200nm的最大带隙波长蓝移.另外,采用量子阱混杂制作了蓝移的FP腔激光器,其性能与未混杂的激光器相当.
  • 2. FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量
    作者： 于丽娟 刘瑞喜 国伟华 韩春林 黄永箴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  789-793
    摘要： 利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差.从放大的自发发射谱,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱.利用上述方法,测出的1550nm I...
  • 3. 半导体激光器芯片3dB带宽的测量
    作者： 徐遥 王圩 王子宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  794-797
    摘要： 提出一种测量半导体激光器芯片频率响应的方法并建立了一套测试系统,通过校准完全剔除了夹具的影响.该方法简单、精确、实用性强.在理论上,该测试系统的测量范围只由测量仪器所决定.在实验中,测量了带...
  • 4. 多晶硅衬底上的RF MEMS开关
    作者： 刘玉奎 张正元 张正番 徐世六 李开成 温志渝 黄尚廉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  798-802
    摘要： 在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RF MEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RF MEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与I...
  • 5. 一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法
    作者： 杨国勇 毛凌锋 王子欧 王金延 许铭真 谭长华 霍宗亮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  803-808
    摘要： 提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法,用于提取LDD n-MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生.这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用.采用这种方法可以准确地...
  • 6. SOI MOSFET的失真行为
    作者： 张兴 张国艳 王阳元 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  809-812
    摘要： 采用幂级数方法对基于全耗尽(FD)SOI MOSFET和凹陷(RC)沟道SOI MOSFET的失真行为进行了研究,发现随着沟道长度的减小失真行为变坏,且RC SOI器件较FD器件具有更好的失...
  • 7. 应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染
    作者： 卢志恒 吴虎才 李晓民 李雪春 梁宏 罗晏 陈如意 马芙蓉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  813-816
    摘要： 研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利...
  • 8. 利用多项式拟合规范化方法实现范德堡函数的高精度反演
    作者： 刘新福 孙以材 王静
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  817-821
    摘要： 薄层电阻是IC生产过程中在线工艺监控测试的项目之一,其中经常使用范德堡法和Rymaszewski法作为普通四探针法的补充方法.应用这两种测试方法时必须要用到范德堡函数,而已知的范德堡公式是隐...
  • 9. 调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究
    作者： 刘杰 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 沈波 郑有炓 郑泽伟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  822-826
    摘要： 通过测量调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结样品的变频电容-电压(C-V)特性,对Al0.22Ga0.78N势垒层表面态的性质进行了研究.结果发现在小偏压下,样品的电容随着测量信...
  • 10. 近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱
    作者： 冯良桓 张静全 朱居木 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 陈诺夫
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  827-832
    摘要： 用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜.研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的P...
  • 11. 高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试
    作者： 介万奇 李国强 谷智
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  833-836
    摘要： 通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0.9Zn0.1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外...
  • 12. CdS薄膜的制备及其性能
    作者： 冯良桓 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 黎兵
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  837-840
    摘要： 采用化学池沉积(CBD)法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,...
  • 13. 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法
    作者： 周帆 朱洪亮 李宝霞 王圩 王宝军 王鲁峰 田惠良 胡小华 舒惠云 边静
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  841-846
    摘要： 提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发...
  • 14. AlGaN/GaN HEMT器件的研制
    作者： 吕长治 张小玲 曹春海 李志国 李拂晓 谢雪松 陈堂胜 陈效建
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  847-849
    摘要： 介绍了AlGaN/GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au,肖特基结金属为Pt/Au.器件栅长为1μm,获得的最大跨导为120mS/mm,最大...
  • 15. 光电双基区晶体管的工作机理
    作者： 夏克军 李丹 李树荣 毛陆虹 郑云光 郭维廉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  850-855
    摘要： 通过分析光电双基区晶体管(PDUBAT)内部载流子的二维传输过程,获得它的物理模型,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论,并依此模型给出了它的等效电路,利用SPICE程序得到的一系列计算...
  • 16. GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究
    作者： 周仲蓉 孙大鹏 宋增超 张万荣 李志国 程尧海
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  856-860
    摘要： 提出了一种快速评价GaAs FET可靠性寿命的新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而...
  • 17. 阵列式微机械悬臂梁的研制及其特性分析
    作者： 于晓梅 张大成 李婷 杜先锋 王小宝 阮勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  861-865
    摘要： 在一个芯片上设计了六组不同规格的矩形压阻悬臂梁.采用ANSYS有限元分析系统对微压阻悬臂梁进行应力分析,并对压阻悬臂梁的噪声、灵敏度以及最小可探测位移进行了研究.选用多晶硅为压阻材料,以硅微...
  • 18. 热激励硅谐振梁压力传感器闭环数据采集系统
    作者： 崔大付 范兆岩 陈德勇 高晓童
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  866-870
    摘要： 利用正反馈闭环谐振原理,采用偏置交流激振、一倍频拾振的方法,设计了闭环谐振电路和相应的数据采集电路,并对该电路进行了综合调试.实验结果表明,该系统实现了该传感器频率信号的自动跟踪和信号转换,...
  • 19. CMOS宽动态范围的可变增益放大器
    作者： 李永明 郑吉华 陈弘毅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  871-876
    摘要： 采用CMOS工艺,针对超外差结构的无线宽带接收器,提出了一个新结构的可变增益放大器,并对该放大器进行了仿真和测试.测试和仿真结果表明:该放大器能够工作在50～600MHz的频率上,增益为-2...
  • 20. 电容式微传声器的性能模拟与优化设计
    作者： 刘忠立 宁瑾
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  877-881
    摘要： 针对所研制的电容式微传声器在理想模式下的工作原理,建立了有限元分析模型和声-电模型,从理论上分析了器件的机械性能、灵敏度以及频响特性,得出了结构优化的设计原则,即要想得到高灵敏度的微传声器器...
  • 21. 基于半导体光放大器交叉偏振调制的波长转换分析
    作者： 缪庆元 黄德修 黄黎蓉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  882-886
    摘要： 对半导体光放大器(SOA)中光偏振态发生改变的原因和交叉偏振调制型波长转换进行了探讨和分析.如果SOA具有偏振不灵敏增益,则波长转换效果与泵浦光的偏振态无关,而只与探测光的偏振态有关,而且当...
  • 22. 硅片直接键合杂质分布的模型与模拟
    作者： 张佩君 黄庆安
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  887-891
    摘要： 根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布.并利用MATLAB软件,编写了键合工艺模拟程序,计算结果与实验进行了比较.该模型可以为...
  • 23. LDD-CMOS中ESD及其相关机理
    作者： 郝跃 马巍
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年8期
    页码:  892-896
    摘要： LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术,该技术很好地改善了沟道电场分布,避免了在器件漏端的强场效应,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命.然而,LDD结构的抗ES...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
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学科分布
研究主题
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