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半导体学报(英文版)2004年出版文献
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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271. 半导体量子点中极化子的有效质量刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变...
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272. 隧道级联半导体激光器的光束质量因子刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 运用波导模式理论和光束传输的非傍轴矢量矩理论,对隧道级联InGaAs/GaAs/AlGaAs半导体激光器的光束质量进行了理论研究.分析了隧道级联半导体激光器内限制层厚度和垂直方向光束质量因子...
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273. 低温注入硅片中的锗在快速热处理后的再分布刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 大剂量(4×1016cm-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中,并结合随后的1080℃快速热处理(RTP)以形成Si/SiGe异质结构.用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研...
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274. 快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 利用伏安特性和俄歇能谱深度分布研究了快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响,氮气中600℃退火60s可以获得欧姆接触.实验结果表明,退火温度的升高导致N元素向表面扩散和界面反应的发生.N空...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 对于未掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片,采用在Cd/Zn气氛下,以In作为气相掺杂源进行热处理;而对于低阻In-Cd0.9Zn0.1Te晶片,则采用在Te气氛下进行热处理.分别研究了不同的热...
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276. Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶SiGe薄膜特性进行了表征,并对退火气氛中氧的存在对非晶...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 通过一系列实验,对聚焦离子束诱发MOCVD的成膜机理进行了研究,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型.发现随着离子束流的增大,薄膜淀积速率增大,但并非完全线性增加,薄膜中的C/P...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实...
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279. 基于MOBILE的JK触发器设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 介绍了一种新型量子逻辑单元电路--单稳双稳转换逻辑单元及其工作原理,在此基础上探讨并设计了以MOBILE为基本单元电路的具有同步置位复位功能的边沿型JK触发器电路,从而丰富了量子电路中触发器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 对一种超低功耗能隙源的电源噪声抑制进行了分析.给出了简单而又有效的频域分析模型,并将其电源噪声抑制实测结果与频域分析模型理论结果及其SPICE仿真结果进行比较.在Charted 0.35μm...
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281. 一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 在Razavi模型和Weigandt模型的基础上,提出了一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型.新模型考虑了环振非线性对相位噪声的影响,从新的角度讨论了相位噪声的三种发生机制和影响,讨论了闪烁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 采用本土CSMC 0.6μm标准CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的CMOS跨阻前置放大器.电路采用差分结构以提高共模抑制比,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰,抑制衬底耦合噪声和...
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283. 基于自会聚多光束阵列的薄膜应力传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 介绍了一种通过分析二元光束阵列的反射光图像,利用Stoney方程解算出薄膜应力的在线测量传感器.传感器是以二维Dammann光栅和Fresnel波带板所组成的集成二元光学分束器为核心设计的....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 分析比较了在不同外延生长条件下GaN基高In组分绿光LED材料室温和低温10K下光致发光谱中蓝带发光峰,研究了外延结构中p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响.结果表明:...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C...
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286. 单节拍浮点运算神经元的组合逻辑设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 介绍了通用神经计算机CASSANDRA-Ⅱ中单节拍浮点运算神经元的硬件设计方法.基于通用超曲面神经元模型,以组合电路与EPROM查表分别实现浮点数加法、乘法及p次幂运算,从而实现了单节拍内完...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 研究了金属连线上的焦耳热对连线温度的影响,进而提出了一种新型的集成电路多层金属连线上的温度模拟器(LTem).该模拟器采用一种相对简单的热学解析模型,详细考虑了通孔效应以及边缘效应对温度分布...
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288. 能量回收阈值逻辑电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 通过把阈值逻辑应用在能量回收电路中,提出了一种新的电路形式--能量回收阈值逻辑电路(energy recovery threshold logic,ERTL).阈值逻辑的应用,使ERTL电路...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 采用TSMC 0.25μm CMOS工艺成功实现了用于光纤传输系统的12Gb/s数据判决和1∶2数据分接电路.测试结果显示,在3.3V电源供电情况下,功耗为600mW,其中包括3路输出缓冲....
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290. 二种EPAL绝热开关电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 研究和设计了两种低功耗的EPAL(efficient PAL)绝热开关电路.这两种电路均采用逐级相位落后90°的四相正弦功率时钟.讨论了EPAL电路的设计方法,并在不同时钟频率和不同的负载条...
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291. 超深亚微米下快速电源网格节点电压求解器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 提出了利用预处理器来提供强大的压缩节点功能,大大提高了电源网格节点电压求解器的求解能力和求解速度.实验证明,该求解器能处理大规模电路设计,速度快,精度高.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 基于静电执行结构,结合能量法,推导出不等宽多层两端固支梁在静电作用下发生吸合(pull-in)现象时吸合电压的解析表达式,并用数值方法进行了拟合修正,用Coventorware软件进行的模拟...
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293. 热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年11期页码:摘要： 提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量.通过Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析.用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较.实验中将硅波导的表面粗...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 为了获得高质量4H-SiC外延材料,研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统,在偏晶向的4H-SiC Si(0001)晶面衬底上,利用"台阶控制生长"技术进行了4H-SiC...
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295. n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 给出了n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱的实验结果.指认了所观察到的一些光谱结构对应的特定声子支及其在布里渊区中相应的对称点.发现在4H-SiC的二级喇曼谱中存在能量差约为10cm-1 的双...
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296. 4H-SiC埋沟MOSFET的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET.用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区,然后在1600℃进行激活退火.离子注入所得到的埋沟区深度大约为0.2μm.从转移特性提取出来...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 报道了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的制备与特性.该器件包括栅长为0.8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件.实验表明,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性,从而控制...
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298. SOI热光4×4光开关阵列的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 设计和制作了由5个2×2多模干涉马赫-曾德开关元组成的重排无阻塞型SOI 4×4热光开关阵列.阵列的最小和最大附加损耗分别为6.6和10.4dB,阵列的串扰为-12 ～-19.8dB,光开关...
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299. SiGe共振腔增强型探测器的制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2～1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年12期页码:摘要： 提出一种图形化SOI LDMOSFET结构,埋氧层在器件沟道下方是断开的,只存在于源区和漏区.数值模拟结果表明,相对于无体连接的SOI器件,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高57%和70%...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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