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半导体学报(英文版)2004年第5期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 提出了一种改进型的双有源层堆积方法制作单片集成电吸收调制的DFB激光器,报道了器件的制作过程和主要性能,初步结果为:阈值电流38mA,激光器在100mA下出光功率4.5mW左右,调制器消光比...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 采用人造刚玉高温炉管对4H-SiC进行1620℃的离子注入后退火.实验测试发现,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下,SiC表面与残余的氧成分反应生成衍生物SiOC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 采用一维传递矩阵法模拟计算了AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器(发射波长为396.6nm)的波导特性.以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量,获得激光器的优化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 采用1.2μm CMOS工艺技术制作出台阶沟道直接注入(SCDI)快闪存储器件,该种器件具有良好的器件特性.在Vg＝6V,Vd＝5V的编程条件下,SCDI器件的编程速度是42μs,在Vg＝8...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 采用可控的金属沾污程序,最大金属表面浓度控制在1012cm-2数量级,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度.利用斜坡电流应力和栅注入方式测量本征电荷击穿来评估超薄栅氧特性和金属沾污效应.研...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 提出了一个在多约束下进行性能优化的总体布线算法.研究了在总体布线阶段同时进行RLC耦合噪声(串扰)、时延性能和布线拥挤优化的问题.根据所提出的算法思想已实现了相应的总体布线器:CEE-Gr....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 建立了一个直接隧穿电流的经验公式.将氧化层厚度作为可调参数,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流.在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压-电容方法模拟得...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 提出了一种基于路径的缓冲器插入时延优化算法,算法采用高阶模型估计连线时延,用基于查表的非线性时延模型估计门延迟.在基于路径的时延分析基础上,提出了缓冲器插入的时延优化启发式算法.工业测试实例...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 为了简化多电磁线圈MWECR-CVD装置,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合,以形成所需的新型磁场.这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方,显著提高了等离子体的能量密度.应用这种新型磁场的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,研究了不同因素对生长过程中固液界面形状的影响.模拟结果表明,当坩埚下降速度约为1mm/h时,可获得接近水平的固-液界面.晶体生...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能CMOS带隙电压基准源电路,其输出电压为0.20～1.25V,温度系数为2.5×10-5/K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿(S/D tunneling),采用WKB方法计算载流子源漏隧穿几率,对薄硅层(硅层厚度为1nm)DG(dual gate)MOSFETs的器件特性进行了模拟...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 利用一种近似理论--悬臂梁理论对光读出热成像芯片进行了优化设计,所采用的Al/SiO2双材料体系,其关键性能指标--热-机械灵敏度可达6.60×10-8m/K,与之相对应的最优厚度比为0.6...
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15. 聚合物热光可变光衰减器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 提出一种旁路结构聚合物热光可变光衰减器(variable optical attenuator,VOA)的设计,采用旁路波导可提高衰减效率并降低串扰.软件模拟验证,无间距旁路VOA衰减可达2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 基于流体动力学能量输运模型,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究,并与受主型界面态的影响进行了对比.研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件...
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17. 薄栅氧高压CMOS器件研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 研制了与0.5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件.提出了具体的工艺制作流程-在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程,并成功进行了流片试验.测试结果显示,高压NMO...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 给出了达林顿λ型光电双极晶体管(DPLBT)的结构及其等效电路,并以此等效电路为基础,用PSPICE电路模拟程序对DPLBT的电学特性(IC-VCE)进行了模拟,对所研制的DPLBT器件进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 用一根柱透镜对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向进行准直,准直后的光束耦合到光纤列阵中.大功率半导体激光二极管线列阵的输出功率为40W,线列阵有19个发光单元,每个发光单元的发光区面...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 利用侧墙图形转移实现亚0.1μm栅线条,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现CMOS晶体管超浅源漏扩展区,并且将二者有机结合起来,成功实现了栅长约为84.6nm的CMOS器件和电路.报道了利用重掺杂...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响,结合器件结构设计确定了氧化限制层A...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 超大规模集成电路(VLSI)中的参数成品率最优化问题一直是集成电路可制造性设计的重点研究问题.尽管重心游移算法提出得较早,由于其固有的优点目前仍被研究和推广.文中从一个新的角度,即几何学原理...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 给出了考虑梁的轴向载荷情况下理论计算公式的推导过程,在变形较大时两种公式计算结果最大相差9.65%.用LPCVD技术制作了几种大小不同的T形梁结构,给出了残余张应力与杨氏模量比值.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场)进行检查.基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年5期页码:摘要： 提出一种使用遗传算法在高层次综合中完成互连优化的方法.相比同类的研究,该方法的主要优势在于提出一种新颖的编码方法,并设计了相应的遗传算子,避免了在计算过程中不可行解的产生.实验数据证明了该算...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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