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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 基于谐振子模型的量子点能级,计算了包括和排除激子影响时多能级的增益谱.考虑了低温时非平衡载流子分布.得出了较宽温度范围内阈值电流密度的变化,包括负温度及振荡温度效应.研究了垂直层叠和p型掺杂...
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362. 一种基于LDO线性稳压器的放大器设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 设计了一种地电流约为0.6μA的基于低压差线形稳压器的放大器电路.此放大器的突出优点是与foldback限流保护电路融合在一起,使得芯片不需要专门的限流模块,大大减少了电流支路,实现超低功耗...
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363. 一种2.4GHz正交输出频率综合器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 介绍了一种用于bluetooth的基于0.35μm CMOS工艺的2.4GHz正交输出频率综合器的设计和实现.采用差分控制正交耦合压控振荡器实现I/Q信号的产生.为了降低应用成本,利用一个二...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 可动态配置的FPGA电路的出现产生了时序规划问题.如果把时间看作第三维度,那么该问题可转化为三维布局问题.本文提出了一个全新的三维受限切面网格结构(3D-BSSG),用来表示三维布局的解;并...
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365. 柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质.对AgBr量子点的数值计算表明:量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schrodinger方程,计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命.结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要.通过研究隧穿...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAO-Recursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/Al...
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368. GaN异质结的二维表面态刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 提出了氮化物表面强极化电荷产生薄吸附层形成的二维表面态新模型.从薛定谔方程和泊松方程的自洽计算中得到了新的二维表面态.计算了不同吸附层能带带阶、厚度和表面势下的表面状态,研究了表面态与异质结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 在(NH4)2S硫化后的n-型InP衬底上热蒸发ZnS薄膜制得Au/ZnS/InP(100)MIS器件,测得了其I-Ⅴ特性曲线以及3MHz下的高频G-V曲线和100Hz下的准静态G-V曲线....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 研究了导带非抛物线性对应变In0.84Ga0.16As/AlAs/In0.52Ga0.48As量子阱红外谱的影响.用8×8k·p理论分析了导带价带混合引起导带的非抛物线性、费米能级变化和带内...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为102～103Ω·cm之间,是Cu、Ⅲ...
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372. 拓扑缺陷对碳纳米管电学性能的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 在紧束缚近似基础上,利用扩展的Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型,在实空间中计算了理想的"zigzag"碳纳米管中分别引入5/7,5/6/7,5/6/6/7拓扑缺陷所构成的...
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373. ZnO/p-Si异质结的光电转换特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/p-Si异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 对TLP(传输线脉冲)应力下深亚微米GGNMOS器件的特性和失效机理进行了仿真研究.分析表明,在TLP应力下,栅串接电阻减小了保护结构漏端的峰值电压;栅漏交迭区电容的存在使得脉冲上升沿加强了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性.研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子...
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376. 八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 介绍了八羟基喹啉锌(Znq2)有机薄膜及器件的制备方法.X射线衍射谱指出,用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构;通过对Znq2有机薄膜I-Ⅴ曲线的分析,揭示了Znq2薄膜的开关特性....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 利用0.2μm GaAs PHEMT工艺实现了40Gb/s光接收机中的前置放大器.该放大器采用有源偏置的七级分布放大器结构,3dB带宽超过40GHz,输入输出反射损耗小于一10dB,跨阻增益...
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379. MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC 0.18μm MS/RF CMOS工艺进行了流片....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉...
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381. 一种改进的CMOS差分LC压控振荡器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 介绍了一种改进的LC振荡器设计方法.谐振回路采用非对称电容结构,与常见的振荡器结构相比,经改进后的电路结构可以获得更好的相位噪声.基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种采用补偿Colpi...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 针对采用阶跃可变电容的电感电容压控振荡器电路,本文提出了一种振荡器调谐特性的时域分析方法--周期计算技术.通过对电感电容谐振回路中电感的I-Ⅴ曲线分析,详细地阐述了阶跃可变电容能够实现线性压...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 介绍了一种低压电流模带隙电压基准电路,并提出了一种新颖的启动电路结构.电路采用预先设置电路工作点和反馈控制相结合的方法有效地克服了第三简并点的问题,从而保证电路能够正常工作.文中给出详细的分...
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384. LDMOS低功耗自恢复电平移位电路设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路.在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V.当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 研究了在Si(100)衬底上淀积低k薄膜的分层结构中表面波沿Si[100]和[110]晶向传播的速度-频率色散特性,给出了表面波色散特性的理论推导,得到了低k薄膜的杨氏模量、密度、厚度和泊松...
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386. 深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型.提出了一种基于L-M(Levenberg-Marquardt)...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年10期页码:摘要： 研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列.77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81×107V/W,平均峰值探...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0.3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0.85A/mm,峰值跨导为225mS/mm;特征频率和最高振...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37mA;100mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 基于DDM-CM理论,建立了CMOS工艺下射频集成电路中广泛使用的平面螺旋电感器的π型集总等效电路.获得了Si-SiO2结构衬底上解析、封闭的集总参数的表达式,并和已经发表了的实验数据进行了...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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