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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 在1.8V,0.18μm CMOS工艺下,实现了10位,50MS/s流水线操作A/D转换器的设计和测试.通过优化采样电容和运算跨导放大器(OTA)电流,并采用动态比较器,从而降低功耗;采用复...
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422. 位置数为2的多模干涉耦合器相位关系分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 根据多模干涉耦合器的自映像原理,分析了位置数为2的多模干涉耦合器相位关系.相位关系与输入场位置有关,得出位置数为2的多模干涉耦合器相位关系表达式.用导模传输分析法验证了相位表达式的正确性,为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 提出一种基于仿真的模拟电路参数自动生成方法,通过利用模拟电路性能仿真数值结果生成描述电路性能与电路参数之间关系的正多项式响应曲面模型(polynomial response surface ...
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424. 一种用于模数转换器的高性能差分参考电压源刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 介绍了一种可直接应用于模数转换器的低功耗、高性能差分参考电压源.它采用新型结构的带隙基准源产生高精度温度补偿的参考电流,参考电流通过跨导缓冲器直接转换成所需的差分参考电压.该差分电压精度高、...
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425. 光探测器TO封装的高频分析与改进刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 推导了封装前后探测器的散射参数的关系,提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法.一种方法是直接比较封装前后探测器的频响,另一种则是从待封装探测器的反射系数和封装网络散射参数计算获得.以TO...
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426. 抛光液中缓蚀剂对铜硅片的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 以硝酸铁为氧化剂选用不同缓蚀剂对铜化学机械抛光用抛光液的缓蚀效果进行了研究.通过测试不同缓蚀剂作用下铜的电化学极化曲线,来获得的腐蚀电流值和计算不同缓蚀剂的缓蚀效率.采用表面粗糙度为1.42...
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427. MOCVD法制备ZnO同质发光二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年11期页码:摘要： 在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由...
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428. 室温激射应变补偿5.5μm量子级联激光器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 利用应变补偿和优化波导结构来提高量子级联激光器的性能,实现了波长为5.5μm量子级联激光器的室温激射.利用双晶X射线衍射实验对材料生长质量进行了检验.对于条宽为20μm,长为2mm的脊形波导...
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429. 一种快速推算栅极氧化膜TDDB寿命的方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 提出了一种快速推算栅极氧化膜TDDB寿命的新方法.该方法可以用于对工艺的实时监控.通常情况下,为了得到栅极氧化膜在器件使用温度下的TDDB寿命,必须得到三个在一定温度下的不同电压下的TDDB...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 提出一种用于提取神经电信号的新型单片集成CMOS前置放大器.在放大器输入端引入的交流耦合电容可以消除存在于电极-电解液之间的电极极化电压,栅源电压为负值的二极管连接的nMOS晶体管能够作为大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子...
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432. 漂移区纵向线性掺杂的SOI高压器件研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOI LDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的纵向电场就会为一个常数,击穿电压会达到最大值,而...
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433. 一种提高垂直腔面发射激光器性能的新工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用一种新的工艺方法提高了垂直腔面发射激光器的输出功率.采用开环分布孔代替环形沟槽,使器件的输出功率提高了0.34倍.14μm孔径的器件输出功率超过10mW,工作电流为29.6mA时,最大输...
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434. 热退火对多晶硅特性的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 为研究热退火对太阳电池用多晶硅的影响,在750～1150℃,N2和O2环境下分别对硅片进行热处理.用傅里叶红外光谱仪和准稳态光电导衰减法测量退火前后的氧碳含量和少子寿命的变化.为了比较,对有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底上分别外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、原...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阈值电压.通...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 研制了一种新型的非选择性再生长掩埋异质结构长波长超辐射二极管(SLD).该器件采用渐变组分体材料InGaAs作为有源区,由金属有机物化学气相外延制备.150mA下,SLD发射谱宽的半高全宽为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 对DBR几何参量不同的InGaAs-GaAs-AlGaAs DBR半导体激光器样品的输出线宽进行了测量和分析.样品激光器DBR光栅取不同的长度和蚀刻深度以考察其几何特性对耦合系数、反射率以及...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 将一种精确高效的等效电路训练人工神经网络模型引入共面波导不连续性结构建模.该建模算法继承了等效电路模型和电磁仿真人工神经网络模型的优点.此次开发并得到验证的共面波导不连续性结构模型包括:台阶...
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440. Cu导线表面起伏度对其早期失效的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 不同化学机械抛光剂使单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%,电迁移寿命猛降至早期失效的量级,...
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441. 基于角模块布图表示的增量式布图规划算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 提出了一种基于CBL布图表示的新的增量式布图规划算法.该算法能很好地解决包括不可二划分结构在内的布图规划问题.针对现有增量式的一些需求,算法给出了相应的高速解决方案.在已有的初始布局的基础上...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 利用Broyden算法,通过自洽求解一维半导体量子线的电子浓度分布和电势分布,和常用的牛顿法以及逐次超松弛(SOR)法相比较,确认了Broyden算法的收敛结果正确,并减少了达到收敛的迭代步...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 研究了半导体量子点中磁极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中磁极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了对半导体量子点中磁极...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用自组织生长应变量子点的二维轴对称模型,系统分析了量子点内部及周围材料的应变分布.分别对透镜形、圆柱形、圆锥形和金字塔形量子点的应变分布进行了比较.结果表明主应变和切应变的分布受几何形状影...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为...
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446. 衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 用射频溅射设备,采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼(c-BN)薄膜.研究了在其他条件不变的情况下,成核阶段衬底温度对制备c-BN薄膜的影响.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜成分...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 理论分析了共熔法在玻璃中生长的CdSe0.9S0.1半导体量子点在恒定外场作用下的电偶极矩.由于玻璃介质与量子点的互溶,共熔法在玻璃中生长的量子点是球形梯度量子点,其相对介电常数沿径向的变化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射线光电子谱、俄歇电子能谱、X射线衍射对样品进行了表征.结果显示常温...
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450. 室温铁磁性Al2O3:Mn的制备及性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 以Al2O3为衬底利用多能态离子注入法在离子注入设备上制备了一系列具有室温铁磁性的Al2O3:Mn样品.在Al2O3的X射线衍射峰附近发现新的衍射峰,该衍射峰既可能对应一种未知新相,也可能对...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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