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半导体学报(英文版)2005年第z1期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔...
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33. 硅集成电感元件的分析、设计与优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用采用FDTD(finite-difference time-domain method)方法的计算软件ISE-EMLAB对片上集成电感进行了模拟,并分析了电感的金属宽度、金属间隔、线圈外...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 介绍了并行光发射模块制作过程中,垂直腔面发射激光器列阵与列阵光纤的对准及固定方法.对斜面光纤折弯耦合和垂直耦合两种方法进行了实验研究,得到的平均耦合效率均达70%以上.比较了两种耦合方式的利...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完全合并后的G...
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36. SiC基的高性能紫外光电探测器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n4H-SiC肖特基紫外探测器.测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度...
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38. 30GHz PHEMT振荡器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modi...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag,Ag等多种倒装结构p电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED p电极的多种设计方案.指出Ni/Au...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子...
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41. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 对GaN1-xPx三元合金进行了红外谱的测试和拟合.分析结果表明在GaN1-xPx三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化.一个是来自等电子陷阱的影响,它将减少三元合金中载流子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN外...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 测量了两种纳米粒子Bi2S3和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了Bi2S3的非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 研究了量子点分布的误差对镜像电荷量子元胞自动机(QCA)的影响.镜像电荷QCA每个元胞中的四个量子点是被严格限制在正方形元胞的四个角上的,考虑到现有的量子点生长技术,量子点偏离理想位置的情况...
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47. 化合物半导体的THz发射光谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的THz发射光谱.通过快速傅里叶变换,由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用磁控溅射方法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的(CoCr/Pt)20纳米多层膜,研究了溅射气压对(CoCr/Pt)20纳米多层膜的微结构和磁性的影响.结果表明,Ar溅射气压对(CoCr/P...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此...
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50. 低能离子束方法制备Mn-Si薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn...
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51. B在SiGe中的应变补偿作用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR...
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53. 半导体量子点自组织生长过程的控制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究.在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上,提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小,并对生长过程进行了计算机模拟...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 利用双离子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜.离子束能量在100～500eV范围内,衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202...
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55. 大功率GaN基LED的提取效率刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 影响GaN基LED效率的主要因素是内量子效率和提取效率.蓝光GaN基的LED内量子效率可达70%以上,紫外GaN基LED可达80%,进一步改善的空间较小.而传统大面积结构GaN基LED由于全...
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56. 单电子数据转换电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 提出了两种新型的由单电子晶体管、MOS管和电容组成的数模转换(ADC)和模数转换(DAC)电路.这种混合ADC和DAC电路可在室温条件下工作且负载能力大,功耗低.对这种混合单电子晶体管和MO...
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57. 大功率氮化镓基LED关键技术研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,p电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40...
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59. AlGaN中的应变状态刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且...
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60. 取样光栅DFB激光器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年z1期页码:摘要： 制作了取样光栅DFB激光器,比较研究了三种取样光栅的制备工艺,测试得到的取样光栅DFB激光器梳装光谱和理论计算大致吻合.
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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