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半导体学报(英文版)2006年第10期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 采用表面MEMS工艺制作了二维多通道的硅基微电极阵列,用于提取脑神经电信号.在整个工艺制作过程中需要三步光刻,制作的硅针长1.2mm,宽100μm,厚30μm,同时各个记录点的间距为200μ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 给出了一个低功耗、高频CMOS峰值检测电路,可以用于检测射频信号和基带信号的峰值.该电路的设计基于中芯国际0.35μm标准CMOS工艺.理论分析和后仿真结果都表明,在工艺偏差以及温度变化条件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 介绍了由带尾纤的InGaAs/InP雪崩光电二极管建立的近红外单光子探测系统.使用带宽50GHz的数字采样示波器,首次直观地展现了门模式(即盖革模式)工作状态下,单光子探测的模式和过程.并且...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 基于介电连续模型与Loudon的单轴晶体模型,推导分析了纤锌矿准一维量子阱线中的准受限(QC)光学声子模及相应的电子-QC光学声子之间的相互作用函数.对一个AlN/GaN/AlN纤锌矿量子阱...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 给出包括栅电介质与耗尽层区域的边界条件和二维沟道电势分布.根据这个电势分布,得出高k栅介质MOSFET的阈值电压模型,模型中考虑短沟道效应和高k栅介质的边缘场效应.模型模拟结果和实验结果能够...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 基于有源开关电容网络二阶系统最小建立时间(MST)理论和阶跃响应分析,提出了一种用于Folded-Cascode放大器的频率补偿新方法,即通过MOS电容引入时钟馈通以调整电路阻尼因子η,使其...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 提出了一种高稳定性的电流型DC-DC转换器.首先应用一种新型的电流型转换器的模型推导了控制环路的增益表达式,在分析其环路增益的基础上,提出了一种新颖的控制环路频率补偿的方法,从而使转换器的稳...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 研究了抛物型半导体量子点中强耦合激子的性质.在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换的方法,导出了半导体量子点中重空穴激子的基态能量.在强耦合情况下讨论了量子点半径和受限强度对半导体量子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 利用X射线衍射技术、荧光光谱、霍尔效应和光学显微等方法分别研究了ZnO单晶的晶格完整性、深能级缺陷、电学性质、位错和生长极性.通过比较ZnO单晶材料在退火前后的测试结果,分析了材料的缺陷属性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 采用GDARE法在较低温度下,通过一次和多次沉积制备单层及多层ZnO薄膜.AFM和XRD分析表明,薄膜具有以ZnO(002)晶面取向为主的多晶结构,多层膜的晶粒尺寸增大.经200～300℃退...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀.分别用SEM,XR...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 研究了Cr扩散阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)太阳电池性能的影响.XRD和SEM分析表明,Cr阻挡层能够部分阻挡Fe等杂质从不锈钢衬底热扩散进入CIGS吸收层...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 利用现场水汽生成(in-situ steam generation,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉积二氧化硅薄...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 设计并搭建了检测共振隧穿二极管(RTD)压阻特性的实验系统,测试了RTD结构在不同应力状态下I-V特性曲线的漂移.实验结果表明RTD结构压阻特性的灵敏度大于1×10-8Pa-1.为了更精确地...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入...
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18. X波段PHEMT功率单片放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 报道了X波段8W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4.5mm×3mm.测试结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT.在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制,实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率.采用该工艺制作了总栅宽为19.2mm的功率P...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 对基于0.2μm GaAs PHEMT工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3.3...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 提出了一种具有折叠硅表面SOI-LDMOS(FSOI-LDMOS)新结构.它是将硅表面从沟道到漏端的导电层刻蚀成相互排列的折叠状,且将栅电极在较薄的场氧化层上一直扩展到漏端.由于扩展栅电极的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 分析了漏区边界曲率半径与射频RESURF LDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度...
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23. 一种新型半绝缘键合SOI结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si-Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variable k dielectric buried layer SOI,VkD SOI)高压功率器件新结构...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 用0.25μm标准CMOS工艺实现了单次变频数字有线电视调谐器中的频率合成器.它集成了频率合成器中除LC调谐网络和有源滤波器外的其他模块.采用I2C控制三个波段的VCO相互切换,片内自动幅度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 分析了SOA线宽增强因子α及交叉增益调制对干涉仪输出功率的影响,指出在SOA中由于交叉增益调制和交叉相位调制并存,干涉仪的两臂输出不能同时达到极大和极小值,存在一定的不协调性;干涉仪最佳工作...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 研究了采用离子交换和电场辅助退火法制作的铒镱共掺磷酸盐波导放大器的增益特性,测量了Er2O3,Yb2O3掺杂浓度分别为2.2wt%和4.7wt%,长度为1.2cm的器件增益,在130mW,9...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 设计了一款应用于超高频段射频识别系统中电子标签的超低电压低功耗基带处理器.该基带处理器兼容<EPCTM Class-1 Generation-2 UHF RFID>协议,并满足无源标签的超低...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并...
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30. 电热微执行器温度分布节点分析模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年10期页码:摘要： 针对如何使用具有集总性质的节点分析法仿真非集总的温度分布这一难点问题,本文以平面内运动的热执行器作为研究对象,依据不同坐标的空间温度分布之间相关性较强的特点,利用傅里叶变换使连续的空间温度分...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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