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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 在不同的衬底温度下,用脉冲激光沉积(PLD)方法制备了c轴高度取向的ZnO薄膜.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术研究了ZnO薄膜与Si(111)衬底的界面结构.GID结果表明:不管...
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332. MOCVD制备InN薄膜的光学性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段,对采用金属有机物气相沉积法(MOCVD)制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究.吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×101...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用微波反射光电导衰减法测量了P+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω·cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构AIGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一...
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337. PZT铁电场效应晶体管电学性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的n沟道铁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出一种精确的体接触RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOSFET(lateral double diffused MOSFET)大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了八种节点电容典型结构用以建立电容模型库,并阐明了这八种结构可以提取大多数VLSI互连线的电容参数,给出了这些结构的拟合公式.采用该库查找法计算的互连线电容结果与FastCap所得结果非...
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340. 高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上...
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342. 表面处理对p-GaN欧姆接触的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 分别用稀盐酸、王水以及(NH4)2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以...
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343. n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-...
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344. 亚65nm工艺新型p结构多米诺与门设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 利用休眠晶体管、多阈值和SEFG技术(源跟随求值门技术),设计了一种新型的p结构多米诺与门.HSPICE仿真结果表明,在相同的时间延迟下,与标准双阈值多米诺与门、标准低阈值多米诺与门和SEF...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 利用CMOS工艺下衬底型双极晶体管的温度特性,设计了一种精度较高的温度传感器.动态元件匹配的应用很好地解决了由于集成电路工艺误差引起的不匹配对温度传感器性能的影响.采用CSMC 0.5μm混...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 给出了一种基于MEMS工艺的二维热风速传感器的设计、制造以及测试结果.该传感器采用恒功率工作方式,利用热温差的方法测量风速和风向.本传感器采用MEMS剥离工艺在玻璃衬底上同时加工出加热电阻和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 针对PHS通信系统,综合采用了反型数控MOS变容管、数控MOS变容管单元矩阵、动态元素匹配、流水线MASHΣ△调制器等多项旨在提高新型全数控LC振荡器(DCO)性能的电路技术,在SMIC 0...
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348. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,以表面势为参变量,得到解析方程.提供实用硅基和氧化层厚度范围...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该f...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很...
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352. 一个4～12GHz混合集成宽带功率放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 设计研制了一个4～12GHz的宽带混合集成平衡功率放大器电路.该平衡放大器由一个4指的微带兰格耦合器实现.其输出连续波饱和功率在中心频率为8GHz时达到29.5dBm,在4～12GHz频率范...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 提出了LDO,其基于缓慢滚降式频率补偿方法,通过在电路中引入三个极零对(极零对的产生没有增加静态功耗),不仅克服了常规LDO不能使用低等效串联电阻、低成本陶瓷输出电容的缺点,而且确保了系统在...
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354. 光探测器芯片小信号等效电路模型的建立刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 提出了一种光探测器芯片小信号等效电路模型及其建立方法.首先根据光探测器的物理结构确定其等效电路模型,模型考虑了影响光探测器高频性能的主要因素.然后精确测量了光探测器芯片的S参数,通过遗传算法...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 研究了库仑场中抛物量子点中束缚极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了量子点中束缚极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用下,研究了其对量子点中束...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 在Si(100)衬底上,用直流磁控溅射沉积约100nm的纯金属Fe膜,然后在600～1000℃真空退火2h.用能量为3MeV的C离子进行了卢瑟福背散射(RBS)测量,并用SIMNRA 6.0...
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357. 三元混晶膜的表面声子极化激元刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 采用改进的无规元素孤立位移模型和波恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究极性三元混晶膜中的表面声子极化激元.以AlxGa1-xAs,ZnxCd1-xS 和GaxIn1-xN 膜...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 基于南京电子器件研究所0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种高增益级联式光接收机前置放大器.作为前级的跨阻抗放大器的-3dB带宽为10GHz,小信号增益为9dB;作为后级的分布式放...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 在20～80℃范围内连续工作条件下,非对称波导层结构的1.3μm AlInGaAs/AlInAs单量子阱激光器的特征温度为200K,这是目前国内报道的相同有源材料、相同发射波长的激光器中最高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型.考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了重要作用.基于指...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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