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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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241. 带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with p buried layer).通过表面注入n+薄层...
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242. 基于标准CMOS工艺的pH值传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 基于传统离子敏感器件的敏感模型,建立了与CMOS工艺兼容的以钝化层氮化硅作为敏感膜的MFGFET(multi-floating gate FET)多层浮栅晶体管结构阈值电压模型.采用上华0....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 研制了一种采用0.13μm混合信号CMOS工艺的高速USB 2.0收发器.为适应工艺和系统指标的要求,改进了高速电流模式差分比较器,带跳变窗口使能逻辑鉴相器和模拟连续调整共模反馈电路等电路模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 设计并实现了一种使用0.13μm CMOS 工艺制造的低电压低功耗串行收发器.它的核心电路工作电压为1V,工作频率范围为2.5~5GHz.发送器包括一个20:1的串行器和一个发送驱动器,其中...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 针对高端电流检测放大器输入级对宽输入共模电压范围的要求,对宽输入共模电压范围放大器的输入结构开展了研究,提出了一种宽共模输入范围的输入级结构,特点是具有低输入偏置电流,并能兼顾高低共模电平工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 介绍了一种基于机电耦合原理的新型冲击加速度MEMS开关.此开关的阈值开关点可以通过偏置电压的改变进行调节设置,同时具有自锁定功能.文中分析了这种开关的准静态加速度静力学平衡条件和在阶跃冲击加...
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247. 电极分离的980nm锥形激光器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 对脊形波导区和锥形区电极分离的980nm锥形激光器(简称电极分离的980nm锥形激光器)改变脊形波导区所加电流,测试激光器的P-I特性和光束质量因子,与脊形波导区和锥形区共用电极的980nm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 用Al2O3抛光液处理ITO表面制备了有机电致发光器件.将ITO玻璃片分别放入Al2O3水选分级后的不同粒度的抛光液中,进行不同时间的超声处理,发现随着Al2O3抛光液粒度不同、超声时间的不...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 设计了一种适用于NCITS-256-1999协议的915MHz无源射频只读标签.芯片具有低功耗、高动态范围的特点.1.6V电源电压下模拟前端的静态工作电流为1.6μA,芯片正常工作所需要的最...
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251. 适用于超深亚微米光刻仿真的建模和优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 提出了一种新颖的利用版图轮廓的超深亚微米光刻工艺建模流程.该流程采用的方法主要包括:首先将代表纯光学模型的传输交叉系数矩阵通过圆极化采样正交投影成更小规模的矩阵,同时用该组相同的极化采样基表...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 提出了建立电路Kriging元模型,并与遗传算法相结合确定电路参数,优化电路的方法.相对传统多项式回归模型,Kriging模型更适合电路仿真的实验类型;利用遗传算法,解决了基于Kriging...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用自主外延的4H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B+离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管...
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254. 具有容错功能的OLED有源驱动电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 以有机电致发光器件(OLED)为基础的显示或照明器件,通常会受到短路故障的影响,从而使得像素失效,降低面板的亮度,进而严重地影响亮度的均匀性,并且会产生大量的功耗.本文介绍了一种新的有源OL...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 设计并实现了一个高速12路并行CMOS单片光电集成接收机.其每一路都包括一个光探测器、一个跨阻放大器以及后续放大电路.双光电二极管(DPD)结构可以提高接收机速度,但同时降低了响应度.在跨阻...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出了一种基于全集成的无源射频身份识别(RFID)应答器芯片的电源供给方案,并在特许半导体的0.35μm嵌入EEPROM的CMOS工艺线上流片成功.提出的AC/DC和DC/DC电荷泵能够为R...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 应用分子动力学仿真研究了原子量级条件下磨粒钝圆半径、磨削深度和磨削速度对单晶硅磨削后亚表面损伤层深度的影响.分子动力学仿真结果表明:在磨削深度和磨削速度相同情况下,随着磨粒钝圆半径的减小,损...
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258. 一种新型全耗尽双栅MOSFET刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用0.18μm CMOS工艺,设计并实现了应用于WLAN IEEE 802.11a的正交调制器和上变频器.正交调制器在传统的Gilbert单元基础上,采用负反馈跨导放大器来提高线性度;上变...
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260. 逐次逼近型模数转换器中的失配校准技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 设计了一种用于逐次逼近型模数转换器中的比较器失调和电容失配自校准电路.通过增加校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,实现高精度与低功耗.校准精度可达14bit.采用该电路设计了一个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出一种能够综合考虑IR drop和di/dt噪声的门级电路模型.实验表明,利用这种模型进行电源噪声估计,可以比传统模型提高5.3%的精度,同时运算时间降低10.7%.根据输入信号对最大电源...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要...
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263. 掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光...
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264. InGaN太阳电池转换效率的理论计算刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池....
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265. 化学氧化法聚吡咯导电性能与导电机理刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用化学氧化法制备了导电聚吡咯(PPy).运用SEM和TEM表征了PPy的形貌,利用四探针技术测试了材料的电导率,对影响其电导率的因素进行了讨论,并对其导电机理进行研究.结果表明,氧化剂用量...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Ag靶的方法制备了不同厚度Ag夹层的ZnO(60nm)/Ag/ZnO(60nm)多层膜.分别用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、四探针测试仪对样品的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在G...
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269. 具有非平面埋氧层的新型SOI材料的制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提出一种基于SDB技术的非平面埋氧层SOI材料制备方法.其关键技术包括:通过干法刻蚀、高压氧化和淀积二氧化硅获得高质量非平面埋氧层;通过化学气相淀积多晶硅来形成键合缓冲层,并运用回刻光刻胶和...
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270. 凹栅AlGaN/GaN HFET刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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