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半导体学报(英文版)2007年第8期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 对纳米晶器件,尤其是MOS电容进行了横截面TEM分析和不同条件下的电学特性(C-V特性)测量,包括+/-BT分析. 揭示了系统的纳米晶存储物理机制,例如电荷俘获、界面态填充和温度特性. 研究...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法在不同衬底温度和不同氮气分压下在石英玻璃衬底上制备氮化锌薄膜. 利用XRD和喇曼散射仪分析了样品的晶体结构和组成. 结果表明当氮气分压为1/2时可以生成多晶单一相的氮化锌薄...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型. 这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒MOSFET的阈值电压模型.数值模拟器ISE DESSIS验证...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 在国内首次使得1.2μm部分耗尽SOI 64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×106 rad(Si),其使用了SIMOX晶圆. 在-55～125℃范围内,该存储器的数据读取时间几乎不变...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 采用基于逐次正则变换的变分方法,利用单模压缩态变换处理包含声子产生湮灭算符的双线性项,研究了抛物量子点中束缚极化子的性质. 得到了在电子-体纵光学声子强﹑弱耦合极限下抛物量子点束缚极化子的基...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法. 首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、灵敏度因子和本征静电增益. 从理论和工艺实践上研究了这些因...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 设计了一种与标准CMOS工艺完全兼容的高速光电探测器和宽带光电集成接收机,并采用0.6μm标准CMOS工艺流片. 测试结果表明,该光电集成接收机的性能已接近实用要求. 探测器的频率响应带宽为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 介绍了一个16位精度Σ-Δ型模拟数字转换器.它由一个模拟的调制器和一个数字降采样滤波器组成.调制器采用了传统的单环两阶的结构,在第一阶调制器中采用了斩波稳零技术来消除电路的闪烁噪声.数字的降...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 用分子束外延方法在(001)GaAs衬底上生长了AlAs/InGaAs双势垒量子阱薄膜结构.介绍了量子阱薄膜在(110)与(110)方向单轴压应力作用下的力电耦合实验,测试出量子阱薄膜在室温...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 利用结合了非平衡格林函数的第一性原理的局域密度泛函理论,研究了氮原子取代掺杂单壁碳纳米管的输运特性.计算结果表明,不同构形和不同数目的氮原子掺杂对(8,0)单壁碳管的输运性能有复杂的影响.研...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性. 实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 制备了结构为indium-tin-oxide(ITO)/polystyrene(PS):N, N'-bis-(3-Naphthyl)-N, N'-biphenyl-(1,1'-bipheny...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si:H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以下时,样品具有较为典型的非晶硅特征,光电导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 研究 LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明:温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了有源区内电场强度、电流密度和功率密度随栅压的变化规律.从而...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 分析了REBULF LDMOS的实验结果,由击穿电压的测试结果验证了模拟仿真中发现的漏电流增加源于n+浮空层的作用,但暴露于表面的n+p结的漏电流使击穿电压降低.为了解决这个问题,文中分析了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with p buried layer).通过表面注入n+薄层...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 基于传统离子敏感器件的敏感模型,建立了与CMOS工艺兼容的以钝化层氮化硅作为敏感膜的MFGFET(multi-floating gate FET)多层浮栅晶体管结构阈值电压模型.采用上华0....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 研制了一种采用0.13μm混合信号CMOS工艺的高速USB 2.0收发器.为适应工艺和系统指标的要求,改进了高速电流模式差分比较器,带跳变窗口使能逻辑鉴相器和模拟连续调整共模反馈电路等电路模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 设计并实现了一种使用0.13μm CMOS 工艺制造的低电压低功耗串行收发器.它的核心电路工作电压为1V,工作频率范围为2.5~5GHz.发送器包括一个20:1的串行器和一个发送驱动器,其中...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 针对高端电流检测放大器输入级对宽输入共模电压范围的要求,对宽输入共模电压范围放大器的输入结构开展了研究,提出了一种宽共模输入范围的输入级结构,特点是具有低输入偏置电流,并能兼顾高低共模电平工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 介绍了一种基于机电耦合原理的新型冲击加速度MEMS开关.此开关的阈值开关点可以通过偏置电压的改变进行调节设置,同时具有自锁定功能.文中分析了这种开关的准静态加速度静力学平衡条件和在阶跃冲击加...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 用Al2O3抛光液处理ITO表面制备了有机电致发光器件.将ITO玻璃片分别放入Al2O3水选分级后的不同粒度的抛光液中,进行不同时间的超声处理,发现随着Al2O3抛光液粒度不同、超声时间的不...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 设计了一种适用于NCITS-256-1999协议的915MHz无源射频只读标签.芯片具有低功耗、高动态范围的特点.1.6V电源电压下模拟前端的静态工作电流为1.6μA,芯片正常工作所需要的最...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 提出了一种新颖的利用版图轮廓的超深亚微米光刻工艺建模流程.该流程采用的方法主要包括:首先将代表纯光学模型的传输交叉系数矩阵通过圆极化采样正交投影成更小规模的矩阵,同时用该组相同的极化采样基表...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 提出了建立电路Kriging元模型,并与遗传算法相结合确定电路参数,优化电路的方法.相对传统多项式回归模型,Kriging模型更适合电路仿真的实验类型;利用遗传算法,解决了基于Kriging...
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30. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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